В приближении поверхностной молекулы рассмотрено взаимодействие уровней кремниевых и углеродных вакансий с состояниями металла. Показано, что определяющая роль кремниевых вакансий в формировании барьера Шоттки на контакте Cr--SiC объясняется высокой плотностью состояний на антисвязывающем уровне. PACS: 73.30.+y, 71.20.Nr
Давыдов С.Ю., Посредник О.В. Овлиянии вакансий вподрешетках кремния иуглерода наформирование барьера Шоттки наконтакте металл--SiC // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 304

Определена электропроводность слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов в случае, когда электрическое и квантующее магнитное поле перпендикулярны слоям. Зарядовое упорядочение при этом рассматривается как чередование слоев с различной плотностью носителей тока. Электропроводность при рассеянии на акустических фононах вычисляется в приближении сильного квантования, когда межподзонные переходы можно считать подавленными. Показано, что при переходе слоистого кристалла из неупорядоченного состояния в почти полностью упорядоченное осцилляции электропроводности становятся двупериодическими, причем высокая основная частота определяется величиной эффективного притягивающего межэлектронного взаимодействия, отвечающего за зарядовое упорядочение, а низкая модулирующая--- шириной узкой минизоны в направлении, перпендикулярном слоям. Показано также, что при переходе из неупорядоченного состояния в почти полностью упорядоченное продольная проводимость слоистого кристалла понижается на 2--3порядка, а относительный вклад осцилляций резко возрастает, что находится в удовлетворительном согласии с экспериментальными данными. PACS: 73.61.At, 72.15.Gd
Горский П.В. Электропроводность слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов в квантующем магнитном поле в области инверсии неосциллирующей части магнитосопротивления // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 296

Представлены результаты по взаимодействию инфракрасного лазерного излучения (homega<< Eg и плотностью мощностиW, не превышающей порог теплового разрушения кристаллов) снизкоомным p-CdZnTe (4=<rho=<25 Ом·см). Показано, что лазерностимулированные дефекты, в зависимости от времени взаимодействия иW, до достижения стабильного состояния проходят две неравновесные стадии, в пределах которых свойства кристаллов частично релаксируют к первоначальному состоянию или к стабильному состоянию соответственно. Встабильном состоянии оптическое пропускание (lambda=<20 мкм) и удельное сопротивление достигает значений, которые удовлетворяют требованиям, предьявляемым к подложкам CdZnTe для HgCdTe ИК-фотоприемников. Лазерностимулированные преобразования в решетке рассматриваются в модели, которая предполагает генерацию активированных центров в объеме и их миграцию увлечением свободными носителями в электрическом поле лазерной волны. PACS: 61.72.Yx, 81.40.Tv
Пляцко С.В., Рашковецкий Л.В. Лазерностимулированная компенсация объемных дефектов вp-CdZnTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 287

Проведены исследования оптических свойств полупроводникового твердого раствора CdxHg1-x-yZnyTe в ультрафиолетовой, видимой и инфракрасной областях спектра. Найдены соотношения, позволяющие по положению особых точек E0 и E1 в оптических спектрах оценивать составx иy данного материала. Получено хорошее соответствие теоретических и экспериментальных результатов в области составов 0.09
Белогорохов А.И., Флоренцев А.А., Белогорохов И.А., Пашкова Н.В., Елютин А.В. Ширина запрещенной зоны иоптические свойства твердых растворов CdxHg1-x-yZnyTe вультрафиолетовой ивидимой области спектра // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 281

Предложен механизм оствальдовского созревания островков в условиях дислокационно-поверхностной диффузии для полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками. Рассчитана функция распределения островков по размерам для предложенного механизма роста, а также проведено сопоставление экспериментальных гистограмм с рассчитанными кривыми. PACS: 66.30.-h, 68.35.-p
Венгренович Р.Д., Москалюк А.В., Ярема С.В. Распределение островков по размерам вусловиях дислокационно-поверхностной диффузии для полупроводниковых гетероструктур // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 276

Сформулирована система уравнений, описывающая самосогласованное поведение полей упругих смещений и концентрации точечных дефектов в облучаемых центросимметричных кристаллах (германий, кремний). Взависимости от значений времени релаксации дефектов получены модельные эволюционные уравнения, описывающие стационарные нелинейные продольные волны с учетом флексоэлектрического эффекта, связанного с возникновением диэлектрической поляризации при неоднородных упругих деформациях решетки. При определенной конкретной связи между коэффициентами этого уравнения, т. е. параметрами подсистемы дефектов и упругой нелинейной среды, получены точные решения, описывающие возникновение как солитонов, так и ударных волн небольшой интенсивности. Оценены вклады в линейную скорость звука и дисперсионные свойства среды, обусловленные дефектно-деформационным взаимодействием и флексоэлектрическим эффектом. PACS: 71.55.Cn, 62.30.+d
Мирзаде Ф.Х. Нелинейные продольные волны взаимодействующих полей деформации иконцентрации дефектов вгермании икремнии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 269

Построена теория нелинейных поверхностных акустических волн в полупроводниках при наличии парамагнитных примесей. Рассматривается процесс образования нелинейных волн в многослойных системах в условиях, когда два различных (резонансный и нерезонансный) механизма формирования нелинейных волн являются одновременно эффективными. Получены явные аналитические выражения для поверхностных акустических бризеров. Показано, что взаимодействие волны с электронами проводимости приводит к слабому затуханию амплитуды и изменению параметров бризера. PACS: 43.20.El, 77.65.Dq
Адамашвили Г.Т., Адамашвили Н.Т., Моцонелидзе Г.Н., Пейкришвили М.Д. Поверхностные акустические бризеры вполупроводниках // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 264

Теоретически исследуется процесс роста бездислокационной тонкой пленки, осаждаемой на поверхность твердого тела из газообразной фазы. Рассматривается наиболее распространенный случай, когда монослои растут по двумерному механизму, а каждый следующий слой формируется на заполненных участках предыдущего слоя. Построена самосогласованная кинетическая модель формирования пленки, которая позволяет при известной энергетике системы и условиях роста рассчитать ее структурные характеристики на различных стадиях ростового процесса. Найдена функция распределения островков по размерам на стадии изолированного роста островков, периметр границы слоя и степень заполнения поверхности на стадии формирования сплошного слоя, средняя высота и шероховатость поверхности трехмерной пленки. Приведен алгоритм численных расчетов и примеры расчетов для модельных систем. Полученные результаты могут быть использованы для управления и оптимизации ростовых процессов в различных технологических методах осаждения тонких пленок. PACS: 68.55.Ac, 81.15.As
Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. Теория формирования многослойных тонких пленок наповерхности твердого тела // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 257

Созданы композиты на основе акронитрилбутадиенстирола и поли-N-эпоксипропилкарбазола с добавками гетерополиядерных комплексов меди. Исследованы электро- и фотопроводящие свойства пленок этих композитов. Ввидимой области света поглощение и внутренний фотоэффект определяется d-d-переходами ионовCu(II). Впленках этих композитов обнаружены положительный и аномальный отрицательный эффекты фотопроводимости. Необычные фотоэлектрические свойства могут быть связаны с захватом неравновесных носителей заряда на глубокие ловушки вблизи границ ассоциатов различных по строению комплексов. Эффект отрицательной фотопроводимости нивелируется и увеличивается фоточувствительность пленок при создании дополнительного канала транспорта неравновесных дырок в случае использования поли-N-эпоксипропилкарбазола. Предложена феноменологическая модель кинетики фотопроводимости, объясняющая экспериментальные результаты. PACS: 79.60.Fr, 72.40.+w, 42.70.Jk, 73.61.Ph, 78.65.Kn
Давиденко Н.А., Кокозей В.Н., Давиденко И.И., Нестерова О.В., Шевченко Д.В. Необычные фотоэлектрические свойства полимерных композитов, содержащих гетерополиядерные комплексы переходных металлов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 246

Предложена модель электролюминесценции, возникающей в структуре металл/пористый кремний при обратном смещении образующегося барьера Шоттки. Модель учитывает лавинное умножение горячих носителей заряда и безызлучательную оже-рекомбинацию в пористом кремнии. Установлено, что различие в закономерностях возрастания электронного и дырочного тока за счет генерации неосновных носителей заряда при лавинном умножении горячих электронов ведет к сверхлинейному росту интенсивности излучательной рекомбинации от тока. Врежиме лавинного пробоя происходит снижение эффективности излучательной рекомбинации за счет увеличения вклада оже-процессов. Показано, что одним из основных путей увеличения эффективности электролюминесценции пористого кремния является увеличение в нем концентрации нанокристаллитов. PACS: 78.60.Fi, 81.40.Tv, 61.43.Gt, 73.40.Ns
Берашевич Ю.А., Лазарук С.К., Борисенко В.Е. Электролюминесценция в пористом кремнии приобратном смещении барьераШоттки // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 240