Впервые исследованы высокотемпературные (400-900oC) электрические свойства монокристаллов CdTe<Pb> под контролируемым давлением пара Cd (0.001-3 атм). Измерялись температурные и барические зависимости удельной проводимости и коэффициента Холла. Пониженная по сравнению с нелегированным CdTe концентрация электронов свидетельствует об увеличении количества примесных точечных дефектов, связанных с примесьюPb. Полученные результаты объясняются с использованием теории квазихимических реакций дефектообразования Крегера в предположении возможности существования свинца в изолированном состоянии (Pb+Cd) и в составе ассоциата (Pb+CdV2-Cd)-. PACS: 72.80.Ey
Фочук П.М., Парфенюк О.А., Панчук О.Э. Электрические характеристики монокристаллов CdTe&lt;Pb&gt; привысоких температурах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 667

Обнаружено, что в области температур, при которых в p-CdxHg1-xTe проводимость становится смешанной, магнитофотопроводимость, измеренная в геометрии эффекта Холла при подсветке вдоль магнитного поля ( k|| B normal E), имеет немонотонную зависимость от магнитного поля. Немонотонность выражается в появлении максимума при B#0 и появляется вследствие существенного магнитосопротивления, связанного с равновесными носителями заряда. Максимум появляется при условии, что проводимость равновесных электронов больше или равна половине проводимости равновесных тяжелых дырок, что выполняется в CdxHg1-xTe с x=0.22 при температурах 140-150 K. PACS: 72.20.My, 72.20.Fr, 72.80.Ey, 72.40.+W
Протасов Д.Ю., Костюченко В.Я., Овсюк В.Н. Немонотонное поведение магнитофотопроводимости в p-CdHgTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 663

Методом FLAPW впервые рассчитаны энергетическая зонная структура, плотность состояний, распределение электронной плотности, уравнение состояния и объемные модули трех нитридборных кристаллов фулборенитов: B12N12 с алмазной решеткой иB24N24, B12N12 с простой кубической решеткой, вузлах которой расположены молекулы фулборенов--- B12N12, B24N24. Получены следующие характеристики гипералмазногоB12N12: равновесный параметр решетки a=1.1191 нм, длина B--N-связи aBN=0.1405 нм, число атомов в элементарной ячейке Z=192, плотность rho=2.823 г/см3, объемный модуль B0=658 ГПа, ширина запрещенной зоны Delta Eg=3.05 эВ. Это неизвестный ранее уникальный легкий сверхтвердый полупроводниковый фажозит с рекордным объемным модулем выше, чем у алмаза. Есть основания предполагать, что это E-фаза. Характеристики B24N24 спростой кубической решеткой: равновесный параметр решетки a=0.7346 нм, длина B--N-связи aBN=0.1521 нм, чисто атомов в элементарной ячейке Z=48, плотностьrho=2.495 г/см3, объемный модуль B0=367 ГПа, ширина запрещенной зоныDelta Eg=3.76 эВ. Это гетерополярный полупроводник или диэлектрик с объемным модулем, сравнимым с объемным модулем кубического нитрида бора, а также новый нитридборный цеолит с диаметром каналов0.46 нм. B12N12 спростой кубической решеткой--- молекулярный полуметалл. PACS: 71.15.Ap
Покропивный В.В., Бекенев В.Л. Электронные свойства и объемные модули новых полиморф нитрида бора--- гипералмазногоB12N12 ипростых кубическихB24N24, B12N12 фулборенитов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 656

Проведено численное моделирование воздействия наносекундного излучения KrF эксимерного лазера (lambda=248 нм, tau=20 нс) на фазовые переходы в теллуриде кадмия с учетом диффузии компонентов в расплаве и их испарения с поверхности. Показано, что в результате испарения и диффузии компонентов теллурида кадмия в расплаве происходит обогащение приповерхностной области теллуром. Полученное значение пороговой плотности энергии излучения 0.05 Дж/см2, при которой происходит плавление, согласуется с экспериментальными данными. PACS: 64.70.Kb
Жвавый С.П., Зыков Г.Л. Численное моделирование динамики фазовых переходов вCdTe, инициируемых наносекундным излучением эксимерного лазера // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 652

Исследована диффузия тербия в кремнии в интервале температур 1100-1250oC сиспользованием впервые прямого метода--- метода радиоактивных изотопов. Установлены диффузионные параметры тербия вкремнии. PACS: 61.72.Tt; 66.30.Jt; 81.40.Ef
Назыров Д.Э. Диффузия тербия в кремнии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 650

Представлены результаты исследования характера влияния облучения быстрыми и полным спектром реакторных нейтронов и последующих термообработок на структурные характеристики монокристалловInP. Показано, что в отличие от других полупроводниковых соединений AIIIBV в монокристаллахInP при облучении нейтронами период решетки уменьшается. Основной вклад в изменение периода решетки вносят быстрые нейтроны. Наличие составляющей тепловых нейтронов, приводящих к образованию в материале атомовSn, не вызывает существенного изменения периода решетки. Термообработка облученных образцов до температуры порядка600oC приводит к отжигу радиационных дефектов и восстановлению периода решетки, а при больших флюенсах нейтронов период решетки становится больше, чем до облучения. Анализ полученных экспериментальных результатов позволил сделать предположение о том, что уменьшение периода решетки вInP при облучении нейтронами вызвано в основном образовавшимися антиструктурными дефектамиPIn, вызывающими в данном случае эффект, аналогичный вакансионным дефектам. PACS: 61.66.-f, 61.80.Hg, 61.82.Fk, 81.40.Wx, 81.40.Gh
Бойко В.М., Бублик В.Т., Воронова М.И., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И., Щербачев К.Д. Влияние облучения реакторными нейтронами итемпературы наструктуру монокристалловInP // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 641

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены структуры вертикально-излучающих лазеров с активной областью на основе массивов субмонослойных квантовых точек InGaAs и легированными распределенными брэгговскими отражателями AlGaAs / GaAs. Показана работа одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 980 нм с диаметром токовой апертуры 3 мкм, пороговым током0.6 мА, максимальной выходной мощностью до4 мВт и внешней дифференциальной эффективностью68%. Многомодовые вертикально-излучающие лазеры с диаметром апертуры 10-12 мкм обладают сверхнизкими внутренними оптическими потерями (0.09% на один проход фотона), что сравнимо с лучшими результатами для лазеров такого типа с нелегированными распределенными брэгговскими отражателями. PACS: 42.55.Px, 78.67.He
Блохин С.А., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Шерняков Ю.М., Новиков И.И., Гордеев Н.Ю., Дюделев В.В., Соколовский Г.С., Кучинский В.И., Кулагина М.М., Максимов М.В., Устинов В.М., Ковш А.Р., Михрин С.С., Леденцов Н.Н. Вертикально-излучающие лазеры наоснове массивов субмонослойных квантовых точек InGaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 633

Согласно концепции мощных полупроводниковых лазеров, в системе твердых растворов AlGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии выращены симметричные и асимметричные гетерострутуры раздельного ограничения. На основе лазерных структур изготовлены мощные полупроводниковые лазеры с апертурой излучения100 мкм, излучающие в диапазоне длин волн 808-850 нм. Внутренние оптические потери в асимметричных гетероструктурах раздельного ограничения с расширенным волноводом снижены до0.5 см-1. Влазерах с толщиной волновода1.7 мкм достигнута мощность оптического излучения7.5 Вт в непрерывном режиме генерации благодаря снижению плотности оптического излучения на зеркале резонатора до4 МВт/см2. PACS: 42.55.Px, 85.60.Jb
Андреев А.Ю., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Мармалюк А.А., Налет Т.А., Падалица А.А., Пихтин Н.А., Сабитов Д.Р., Симаков В.А., Слипченко С.О., Хомылев М.А., Тарасов И.С. Мощные лазеры (lambda =808-850 нм) наоснове асимметричной гетероструктуры раздельного ограничения // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 628

Рассмотрена тепловая модель светодиода с InGaN/GaN-квантовой ямой в активной области. Исследовано влияние температуры и рабочих токов светодиода, а также размера и материала радиатора на выход света и эффективность голубого светодиода. Показано, что при оптимальном теплоотводе уменьшение эффективности светодиода с ростом тока накачки до100 мА связано с влиянием электрического поля на эффективность инжекции носителей заряда в квантовую яму. При дальнейшем росте тока до400 мА причиной снижения эффективности является джоулев нагрев. Показано, что рабочие токи светодиодов можно увеличить в 5--7раз при оптимальном отводе тепла. Даны рекомендации по охлаждению светодиодов в зависимости от их мощности. PACS: 85.60.Jb, 85.35.Be, 78.67.De
Ефремов А.А., Бочкарева Н.И., Горбунов Р.И., Лавринович Д.А., Ребане Ю.Т., Тархин Д.В., Шретер Ю.Г. Влияние джоулева разогрева наквантовую эффективность ивыбор теплового режима мощных голубых InGaN/GaN светодиодов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 621

Исследованы спектры люминесценции пористого кремния, их температурные зависимости, а также трансформация в процессе старения. Показано, что инфракрасная полоса, преобладающая в свежеприготовленных образцах, обусловлена рекомбинацией экситонов в кремниевых кристаллитах. Впроцессе старения наблюдалось появление с коротковолновой стороны хорошо выделенной дополнительной полосы. Предполагается, что она обусловлена рекомбинацией носителей, возбужденных в кремниевых кристаллитах, через центры в окисле. Показано, что широкая полоса, обычно наблюдающаяся в окисленном пористом кремнии, является суперпозицией двух указанных полос. Получены зависимости положений их максимумов и интенсивностей от времени старения и температуры, а также информация о распределении окисных центров по глубине пористого слоя. PACS: 81.65.Cf, 81.05.Rm, 78.55.Mb
Булах Б.М., Корсунская Н.Е., Хоменкова Л.Ю., Старая Т.Р., Шейнкман М.К. О влиянии процесса окисления на эффективность испектр люминесценции пористого кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 614