Впервые исследована диффузия иттрия в кремнии. Диффузия проводилась на воздухе или в вакууме в интервале температур 1100-1250oC. Температурная зависимость коэффициента диффузии иттрия в кремнии описывается соотношением D=8·10-3exp(-2.9 эВ/kT) см2с-1. Выявлена акцепторная природа иттрия вкремнии. PACS: 66.30.Jt; 71.55.Cn
Назыров Д.Э., Базарбаев М.И., Иминов А.А. Диффузия иттрия в кремнии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 788

В диапазоне 85-300 K (а в ряде случаев до700 K) исследованы коэффициенты термоэдс, электро- и теплопроводности в твердом растворе PbTe0.8Se0.1S0.1 с концентрацией электронов (4.6-54)·1018 см-3. Характер температурных зависимостей электро- и теплопроводности свидетельствует о существовании низкотемпературного рассеяния электронов и фононов, вызванного нецентральной примесью серы. Вприближении параболического спектра и рассеяния электронов на акустических фононах и нейтральных примесях замещения рассчитаны температурные зависимости электронной и решеточной составляющих теплопроводности. Последняя в легированных образцах имеет особенность в виде неглубокого минимума в диапазоне 85-250 K. Подобная особенность, только выраженная не столь отчетливо, получена также для сплавов Pb1-xSnxTe1-xSex (x>=q0.15) с нецентральной примесью олова. Рассмотрение возможных причин появления этого эффекта привело к заключению, что числа ЛоренцаL в исследованных материалах при низких температурах меньше использованных значенийL0, соответствующих указанным выше механизмам рассеяния. Причиной пониженияL является рассеяние электронов на двухуровневых системах, эффективность которого повышается с ростом энергии электронов. Анализ экспериментальных данных для высоких температур, а также для не легированных примесями образцов с минимальной концентрацией носителей тока позволил определить величиныL для образцов с разной плотностью электронов. Минимальное отношение L/L0=0.75 получено для слабо легированного образца при ~130 K. PACS: 66.70.+f, 65.40.-b, 72.20.Fr
Гуриева Е.А., Константинов П.П., Прокофьева Л.В., Пшенай-Северин Д.А., Федоров М.И., Равич Ю.И. Теплопроводность легированных твердых растворов наосновеPbTe снецентральными примесями // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 783

Методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии проведены исследования слоев GaAs, без легирования и однородно легированных фосфором (2.3 мол%), выращенных при температуре 250oC и изохронно отожженных при 400, 500, 600 и 700oC. Установлено, что легирование фосфором уменьшает количество избыточного мышьяка, захватываемого в слой в процессе роста, а также приводит к \glqq замедлению\grqq преципитации при последующем отжиге. Внелегированных образцах концентрация избыточного мышьяка составила ~0.2 ат%, кластеры были обнаружены после отжига при температуре 500oC. Вобразцах, содержащих фосфор, концентрация избыточного мышьяка составила 0.1 ат%, а кластеры обнаружены только после термообработки при 600oC. Средний размер кластеров в легированных образцах меньше по сравнению с нелегированными при равных температурах отжига. PACS: 61.46.Bc, 81.07.Bc
Бойцов А.В., Берт Н.А., Мусихин Ю.Г., Чалдышев В.В., Яговкина М.А., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. Влияние изовалентного легирования фосфором накластерообразование варсениде галлия, выращиваемом методом молекулярно-лучевой эпитаксии принизкой температуре // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 778

Изучены структурные превращения в кристаллах InSb при облучении быстрыми нейтронами (сэнергиями E>0.1 МэВ) и полным спектром реакторных нейтронов с соотношением плотностей потоков тепловых и быстрых нейтронов varphisn/varphifn~ 1. Показано, что по характеру воздействия быстрых нейтронов на период решетки в дозовой зависимости можно выделить два участка. При малых флюенсах быстрых нейтронов (Ffn2.5· 1017 см-2 период решетки с увеличением флюенса нейтронов растет линейно, и образуется множество мелких вакансионных и межузельных кластеров, которые могут захватывать примесные атомыSn. Термообработка облученных образцов до400oC приводит к полному восстановлению значений периода решетки. PACS: 61.80.Hg, 61.66.Fn
Бойко В.М., Бублик В.Т., Воронова М.И., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И., Щербачев К.Д. Изменения структуры монокристалловInSb после облучения нейтронами итермообработок // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 769

Методом МОС-гидридной эпитаксии получены асимметричные GaInAs / GaInAsP / AlGaAs-гетероструктуры, излучающие на длинах волн 940 и 980 нм. Состав твердого раствора волноводного слоя Ga0.74In0.26As0.47P0.53 был выбран на основе расчета энергии выброса электронов из квантовой ямы активной области в волновод. Полученные гетероструктуры использовались для изготовления полупроводниковых лазеров с апертурой излучения 100 мкм. Внепрерывном режиме генерации лазеров при комнатной температуре была достигнута максимальная выходная оптическая мощность12 Вт. Внутренние оптические потери составляли 0.6 и 0.3 см-1 соответственно на длинах волн 940 и980 нм. PACS: 42.55.Px; 85.60.Jb; 78.67.-n
Винокуров Д.А., Станкевич А.Л., Шамахов В.В., Капитонов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Николаев Д.Н., Пихтин Н.А., Рудова Н.А., Соколова З.Н., Слипченко С.О., Хомылев М.А., Тарасов И.С. Мощные лазеры (lambda =940-980 нм) наоснове асимметричной GaInAs / GaInAsP / AlGaAs-гетероструктуры раздельного ограничения // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 764

Исследованы спектры люминесценции, эффективность и цветовые характеристики светодиодов белого свечения на основе p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN синего свечения, выращенных на подложках из SiC, и покрытых желто-зелеными люминофорами на основе алюмоиттриевых гранатов с примесями редкоземельных элементов. Светодиоды синего свечения имеют коэффициент полезного действия до22% при токе 350 мА и напряжении3.3 В. Светодиоды белого свечения имеют светоотдачу до40 лм/Вт и световой поток до 50 лм при токе350 мА. PACS: 85.60.Jb
Бадгутдинов М.Л., Коробов Е.В., Лукьянов Ф.А., Юнович А.Э., Коган Л.М., Гальчина Н.А., Рассохин И.Т., Сощин Н.П. Спектры люминесценции, эффективность и цветовые характеристики светодиодов белого свечения на основе p-n-гетероструктур InGaN/GaN, покрытых люминофорами // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 758

Новая технология термически стабильных омических контактов с диффузионными барьерами на основе аморфных фаз внедрения TiN, Ti(Zr)Bx использована при разработке СВЧдиодов миллиметрового диапазона (более 100 ГГц) на основе GaAs, InP иSi. Повышение надежности GaAs, InP диодов Ганна, работающих на частоте 200 ГГц, стало возможным также и за счет использования в качестве исходных приборных структур эпитаксиальных слоев, полученных методами газофазной, молекулярно-пучковой и жидкофазной эпитаксии на пористые подложки AIIIBV. Диапазон работы лавинно-пролетных диодов на основеSi увеличен до350 ГГц. Для этого впервые была использована технология формирования активного элемента на кремниевой металлизированной мембране. PACS: 85.30.Mn, 85.30.Fg
Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Беляев А.Е., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Миленин В.В., Арсентьев И.Н., Бобыль А.В., Брунков П.Н., Тарасов И.С., Тонких А.А., Улин В.П., Устинов В.М., Цырлин Г.Э. Контакты с диффузионными барьерами наоснове фаз внедренияTiN, Ti(Zr)Bx вСВЧ диодах диапазона 75-350 ГГц // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 753

Исследованы электрические свойства диодов Шоттки Au/Ti--n-GaAs в зависимости от технологии получения. Прямые и обратные вольт-амперные характеристики диодов в слабых электрических полях анализируются на основе механизма термоэлектронной эмиссии через барьер металл--полупроводник. Предполагается, что рост обратных токов в интервале 20-60 B можно объяснить эффектом Пула--Френкеля. При напряжениях выше60 B избыточные обратные токи обусловлены туннелированием, облегченным фононами, через глубокие состояния в области обеднения полупроводника. PACS: 73.30+y, 85.30.De, 85.30.Hi
Захаров Д.Н., Калыгина В.М., Нетудыхатко А.В., Панин А.В. Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические характеристики диодов Шоттки Au/Ti--n-GaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 747

Обобщаются литературные данные и сообщаются новые результаты исследования потерь, сопровождающих фотоэлектрическое преобразование энергии в тонкопленочных солнечных элементах CdS/CdTe. Обсуждаются и уточняются требования к электрическим характеристикам материала, минимизирующие электрические потери и обеспечивающие эффективное поглощение излучения в активной области диодной структуры. Показано, в какой степени неполное собирание фотогенерированных носителей заряда определяется рекомбинацией как на границе раздела CdS/CdTe (исходя из уравнения непрерывности с учетом поверхностной рекомбинации), так и в области пространственного заряда (на основе уравнения Гехта). Сравнение результатов расчетов и эксперимента показывает, что в общем оба вида рекомбинационных потерь являются существенными, но могут быть практически устранены выбором параметров как барьерной структуры, так и используемого материала. Обсуждаются предельные значения плотности тока короткого замыкания и коэффициента полезного действия солнечного элемента CdS/CdTe. PACS: 84.60.Jt
Косяченко Л.А. Проблемы эффективности фотоэлектрического преобразования втонкопленочных солнечных элементах CdS/CdTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 730

На основе простой модели резистивного тонкопленочного сенсора получено аналитическое выражение, описывающее зависимости отклика на воздействие восстановительного газа от температуры, парциального давления газа, концентрации донорной примеси в пленкеSnO2 и от времени после начала действия газа. Анализ экспериментальных данных показал, что при T563 K--- центрами сO-. Молекулы метана при T>=q 510 K взаимодействуют с центрами, занятымиO-. С помощью данных по временным зависимостям отклика в широком интервале температур определены энергии активации десорбции. При T563 K для водорода и при T>510 K для метана она равна1.3 эВ. Энергия активации адсорбции для метана равна2.5 эВ. PACS: 07.07.Df; 73.50.Dn; 68.43.Mn
Анисимов О.В., Гаман В.И., Максимова Н.К., Мазалов С.М., Черников Е.В. Электрические и газочувствительные свойства резистивного тонкопленочного сенсора наоснове диоксида олова // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 724