Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 183, для научной тематики: Границы раздела и поверхность


1.

Механизмы прохождения тока в гетеропереходах теллурид--селенидцинка     

Баранюк В.Е., Махний В.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Баранюк В.Е., Махний В.П. Механизмы прохождения тока в гетеропереходах теллурид--селенидцинка // ФТП, 1997, том 31, выпуск 9, Стр. 1074
2.

Резонансное взаимодействие электронов с высокочастотным электрическим полем в несимметричных двухбарьерных структурах     

Голант Е.И., Пашковский А.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Голант Е.И., Пашковский А.Б. Резонансное взаимодействие электронов с высокочастотным электрическим полем в несимметричных двухбарьерных структурах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 9, Стр. 1077
3.

Исследование гетероэпитаксиальных структур {p-3C/n-6H}-SiC     

Ледебев А.А., Савкина Н.С., Трегубова А.С., Щеглов М.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Ледебев А.А., Савкина Н.С., Трегубова А.С., Щеглов М.П. Исследование гетероэпитаксиальных структур {p-3C/n-6H}-SiC // ФТП, 1997, том 31, выпуск 9, Стр. 1083
4.

Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах     

Баженов Н.Л., Зегря Г.Г., Иванов-Омский В.И., Михайлова М.П., Михайлов М.Ю., Моисеев К.Д., Смирнов В.А., Яковлев Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Баженов Н.Л., Зегря Г.Г., Иванов-Омский В.И., Михайлова М.П., Михайлов М.Ю., Моисеев К.Д., Смирнов В.А., Яковлев Ю.П. Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1216
5.

Влияния глубоких уровней нарелаксацию тока в 6H-SiC-диодах     

Кузнецов Н.И., Edmond J.A - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Кузнецов Н.И., Edmond J.A Влияния глубоких уровней нарелаксацию тока в 6H-SiC-диодах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1220
6.

Влияние электрического поля в слое объемного заряда наэффективность коротковолнового фотоэлектропреобразования вдиодах шоттки на основе арсенида галлия     

Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Константинов О.В., Оболенский О.И., Поссе Е.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Константинов О.В., Оболенский О.И., Поссе Е.А. Влияние электрического поля в слое объемного заряда наэффективность коротковолнового фотоэлектропреобразования вдиодах Шоттки на основе арсенида галлия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1225
7.

Исследование перехода от двумерного ктрехмерному росту всистеме InAs/GaAs спомощью дифракции быстрых электронов наотражение     

Цырлин Г.Э., Корнеева Н.П., Демидов В.Н., Поляков Н.К., Петров В.Н., Леденцов Н.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Цырлин Г.Э., Корнеева Н.П., Демидов В.Н., Поляков Н.К., Петров В.Н., Леденцов Н.Н. Исследование перехода от двумерного ктрехмерному росту всистеме InAs/GaAs спомощью дифракции быстрых электронов наотражение // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1230
8.

Высокотемпературное облучение арсенида галлия     

Пешев В.В., Смородинов С.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Пешев В.В., Смородинов С.В. Высокотемпературное облучение арсенида галлия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1234
9.

Роль дефектов в формировании локальных состояний, наведенных атомами, адсорбированными на поверхности полупроводников     

Давыдов С.Ю. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Давыдов С.Ю. Роль дефектов в формировании локальных состояний, наведенных атомами, адсорбированными на поверхности полупроводников // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1236
10.

Релаксационные свойства контакта металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник     

Аванесян В.Т., Бордовский В.А., Кастро Р.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Аванесян В.Т., Бордовский В.А., Кастро Р.А. Релаксационные свойства контакта металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник // ФТП, 1997, том 31, выпуск 11, Стр. 1340