Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 183, для научной тематики: Границы раздела и поверхность


1.

Механизмы прохождения тока в гетеропереходах теллурид--селенидцинка     

Баранюк В.Е., Махний В.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Исследованы электрические свойства гетеропереходов туллурид--селенид цинка, полученных методом реакций твердофазного замещения. Установлено, что прямой ток определяется туннельно-рекомбинационными процессами при низких смещениях и диффузией носителей над барьером--- при высоких. Начальные участки...
2.

Резонансное взаимодействие электронов с высокочастотным электрическим полем в несимметричных двухбарьерных структурах     

Голант Е.И., Пашковский А.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Получены аналитические выражения для волновых функций электронов, малосигнальной высокочастотной проводимости, ширин энергетических уровней (минизон) в несимметричной двухбарьерной структуре с тонкими барьерами, в условиях когерентного туннелирования электронов как строго по центрам энергетически...
3.

Исследование гетероэпитаксиальных структур {p-3C/n-6H}-SiC     

Ледебев А.А., Савкина Н.С., Трегубова А.С., Щеглов М.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Проведено исследование параметров гетероэпитаксиальных структур { 3C/6H }-SiC. Гетероэпитаксиальный рост проводился методом сублимационной эпитаксии в открытой системе. Наличие политипа 3C было подтверждено рентгеновскими исследованиями. Проведены исследования вольт-фарадных и вольт-амп...
4.

Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах     

Баженов Н.Л., Зегря Г.Г., Иванов-Омский В.И., Михайлова М.П., Михайлов М.Ю., Моисеев К.Д., Смирнов В.А., Яковлев Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Исследована электролюминесценция в разъединенной одиночной гетероструктуре IIтипа p-GaInAsSb/p-InAs при T=4.2/ 77 K. Показано, что при понижении температуры ниже T=77 K две полосы люминесценции с энергиями максимумов 311 мэВ (полосаA) и384 мэВ (полосаB) сдвигаются в сторону больших энергий, приче...
5.

Влияния глубоких уровней нарелаксацию тока в 6H-SiC-диодах     

Кузнецов Н.И., Edmond J.A - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Описаны результаты исследования глубоких уровней в p-базе 6H-SiC-диодов. Глубокий уровень неизвестной природы с энергией ионизации Ec-1.45 эВ является центром эффективной рекомбинации неосновных носителей, который контролирует рекомбинационные процессы. Уровень с энергией ионизации Ec-0.16 эВ при...
6.

Влияние электрического поля в слое объемного заряда наэффективность коротковолнового фотоэлектропреобразования вдиодах шоттки на основе арсенида галлия     

Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Константинов О.В., Оболенский О.И., Поссе Е.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Экспериментально исследована зависимость квантовой эффективности коротковолнового фотоэффекта от приложенного обратного напряжения в диодах Шоттки на основе GaAs, когда длина поглощения света много меньше ширины области пространственного заряда. Обнаружена сильная зависимость квантовой эффективно...
7.

Исследование перехода от двумерного ктрехмерному росту всистеме InAs/GaAs спомощью дифракции быстрых электронов наотражение     

Цырлин Г.Э., Корнеева Н.П., Демидов В.Н., Поляков Н.К., Петров В.Н., Леденцов Н.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
С помощью специально разработанной системы регистрации и анализа картин дифракции быстрых электронов на отражение исследована динамика перехода от двухмерного к трехмерному механизму роста в гетероэпитаксиальной системе InAs/GaAs. Впервые анализ динамики изменения картин дифракции был использован...
8.

Высокотемпературное облучение арсенида галлия     

Пешев В.В., Смородинов С.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Методом нестационарной емкостной спектроскопии изучалась кинетика введения центров P2 и P3 в эпитаксиальных слоях GaAs n-типа при облучении электронами с энергией 4 МэВ в температурном интервале 380/ 550oC. Показано, что скорости введения центров не зависят от температуры в этом интервале. Устано...
9.

Роль дефектов в формировании локальных состояний, наведенных атомами, адсорбированными на поверхности полупроводников     

Давыдов С.Ю. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
В рамках обобщенной зонной модели полупроводника Андерсона--Халдейна рассмотрено влияние квазилокализованных электронных состояний, лежащих в запрещенной зоне, на состояния, наведенные атомами металла, адсорбированными на поверхности полупроводника. Обсуждается формирование барьера Шоттки при мал...
10.

Релаксационные свойства контакта металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник     

Аванесян В.Т., Бордовский В.А., Кастро Р.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Приведены результаты изучения температурной зависимости емкости контакта Al-As2Se2 в области инфранизких частот и оценены значения параметров, характеризующих процессы накопления зарядов. ...