В кристаллах CdZnTe, содержащих многообразие структурных неоднородностей, выявлены спектральная, временная и пространственная неустойчивости фотоэлектрического откликаI. Показано, что их характер и взаимосвязь наиболее ярко проявляются в диаграммах dI(t)/dt=fl(I(t)r) иdI(nu)/dnu=fl(I(nu)r) (nu--- частота, t--- время), на которых хорошо видны процессы, протекающие при срыве устойчивости. PACS: 72.40.+w, 61.72.Hh, 61.66.Fh
Мигаль В.П., Фомин А.С. Временная и пространственная устойчивость фотоэлектрического отклика кристалловCdZnTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 408

Исследованы люксамперные и спектральные характеристики фотолюминесценции монокристаллов CuInSe2. Суперлинейная область интенсивной зависимости фотопроводимости при низких уровнях возбуждения в компенсированных кристаллах p-CuInSe2 объясняется на базе рекомбинационной модели. Вспектре фотолюминесценции n-CuInSe2 полоса излучения 0.98 эВ соответствует излучательной рекомбинации электронов донорного уровня с глубиной залегания 0.04 эВ. Максимум интенсивности полосы соответствует энергетическому зазору между уровнем прилипания и валентной зоной. PACS: 72.40.+w, 78.55.-m
Гусейнов А.Г., Салманов В.М., Мамедов Р.М. Фотопроводимость илюминесценция вмонокристалле CuInSe2 привысоком уровне возбуждения // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 406

Предложена модель сужения энергетической щели между зонами Хаббарда (A0- и A+-зонами для акцепторов иD0- и D--зонами для доноров) с ростом концентрации легирующей водородоподобной примеси при низкой концентрации компенсирующей примеси. Ширина примесных зон предполагается малой по сравнению со щелью между ними. Учтено, что локальное кулоновское взаимодействие ионов электрического диполя, образовавшегося в результате перехода дырки (электрона) между двумя электрически нейтральными примесными атомами, уменьшает величину щели. Рассчитанные значения термической энергии активации прыжкового перехода дырок (электронов) между примесными зонами согласуются с экспериментальными данными для слабо компенсированных кристаллов p-Si : B, p-Ge : Ga и n-Ge : Sb. PACS: 71.27.+a, 71.20.Fi, 71.30.+h, 71.55.Cn, 72.20.Fr
Поклонский Н.А., Вырко С.А., Забродский А.Г. Дипольная модель сужения энергетической щели между зонами Хаббарда вслабо компенсированных полупроводниках // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 400

Измерены спектры нелинейного поглощения света методом двух источников излучения в монокристаллахGaSe, GaSe : Ni, Ga1.05Se0.95 иGa0.95Se1.05. Обнаружены уровни с глубиной залегания1.38, 1.45, 1.55, 1.65 и1.80 эВ. Вспектрах нелинейного поглощения света наблюдаются поглощение на неравновесных носителях тока, индуцированное поглощение и индуцированное просветление, обусловленное изменением заселенности примесных центров излучением лазера. PACS: 78.66.Li, 78.40.Fy
Байдуллаева А., Власенко З.К., Даулетмуратов Б.К., Кузан Л.Ф., Мозоль П.Е. Особенности спектров нелинейного поглощения света внестехиометрических илегированныхNi монокристаллахGaSe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 397

Проведен численный расчет влияния компонентного состава, размеров и температурного коэффициента расширения самоиндуцированных наноостровковGe иSiGe, сформированных на кремнии, на величину их полной энергии. Рассмотрена взаимосвязь дискретных минимумов поверхностной энергии наноостровков и их формы. Учтено влияние интердиффузионных процессов, существенных при высоких температурах эпитаксии. Результаты расчетов сопоставлены с экспериментальными данными, полученными с помощью атомной силовой микроскопии. PACS: 61.46.+w, 68.35.-p, 68.37.Ps, 68.47.Fg, 82.60.Av
Яремко А.М., Валах М.Я., Джаган В.Н., Литвин П.М., Юхимчук В.А. Взаимосвязь минимумов поверхностной энергии самоиндуцированных наноостровковSiGe иихформы // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 391

Показано, что накопление примесиAl вблизи поверхности кремния, наблюдающееся при диффузии из поверхностного источника в инертной среде, не может быть объяснено в рамках обычного для примесей замещения непрямого вакансионно-межузельного (vacancy-interstitialcy) механизма. Особенности диффузииAl как в инертной, так и в окислительной среде удовлетворительно описываются в рамках механизма вытеснения (kick-out), характерного для примесей быстро диффундирующих металлов в кремнии. PACS: 68.35.Fx, 68.35.Dv
Александров О.В., Криворучко А.А., Соболев Н.А. Моделирование диффузии алюминия вкремнии винертной иокислительной средах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 385

Предложена методика определения коэффициента ослабления света в тонком GaN-слое на основе измерений интенсивности электролюминесценции вдоль и поперек слоя. Получена величина коэффициента ослабления света 90±15 см-1 в GaN-слое светодиодной InGaN-структуры. PACS: 85.60.Jb, 78.60.Fi, 78.66.Fd
Ефремов А.А., Тархин Д.В., Бочкарева Н.И., Горбунов Р.И., Ребане Ю.Т., Шретер Ю.Г. Определение коэффициента ослабления света втонких слоях светодиодных структур // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 380

Изучен кинетический механизм образования дефектов на вицинальной поверхности, разориентированной в двух направлениях, при молекулярно-пучковой эпитаксии. Эти дефекты представляют собой два адатома--- \glqq двойку\grqq, слипшихся в потенциальной канаве у края ступени. Изучено влияние параметров поверхности и скорости роста на вероятность образования таких дефектов. Показано, что увеличение угла разориентации поверхности способствует резкому уменьшению количества дефектов в процессе роста. PACS: 81.15.Aa
Бойко А.М., Сурис Р.А. Роль одномерной диффузии вмодели роста поверхности кристалла Косселя // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 372

Изготовлен униполярный гетеротранзистор AlGaAs/GaAs/InAs/GaAs/InAs нового типа со слоем квантовых точек InAs непосредственно в канале GaAs. Экспериментально получены высокие значения максимального тока насыщения транзистора до35 А/см и крутизны до 1300 мСм/мм. Представлена модель, объясняющая особенности вольт-амперной характеристики нового прибора ионизацией квантовых точек сильным полем и десятикратным повышением дрейфовой скорости электронов в структуре со слоем квантовых точек InAs вблизи гетероперехода AlGaAs/GaAs. PACS: 85.30.Tv, 85.35.Be
Мокеров В., Пожела Ю., Пожела К., Юцене В. Гетероструктурный транзистор наквантовых точках сповышенной максимальной дрейфовой скоростью электронов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 367

Показано, что квантование моментов оптических фононов в квантовой яме GaAs путем формирования барьерного слоя InAs с квантовыми точками позволяет исключить неупругое рассеяние электронов на оптических фононах и повысить дрейфовую скорость электронов выше дрейфовой скорости насыщения. Экспериментально установлено десятикратное увеличение максимальной дрейфовой скорости электронов в сильных электрических полях в гетероструктуре AlGaAs/GaAs с введенными барьерами в виде квантовых точек InAs в квантовой яме GaAs в сравнении с дрейфовой скоростью насыщения в объемном GaAs. Увеличение максимальной дрейфовой скорости электронов позволяет повысить максимальную плотность тока, крутизну и частоту отсечки гетероструктурного полевого транзистора с квантовыми точками. PACS: 85.30.Tv, 85.35.Be
Пожела Ю.К., Мокеров В.Г. Большое повышение максимальной дрейфовой скорости электронов вканале полевого гетеротранзистора // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 362