Экспериментально исследована температурная зависимость порогового тока в лазерных структурах на основе GaInAs в широком диапазоне температур, 4.2=<q T=<q290 K. Показано, что во всем рассмотренном температурном интервале эта зависимость является монотонной. Получены теоретические выражения для пороговой концентрации носителей и показано, что она зависит от температуры линейно. Показано, что при низких температурах основной вклад в пороговый ток вносят процессы мономолекулярной рекомбинации (Шокли--Рида); при температурах T>77 K пороговый ток определяется излучательной рекомбинацией; при более высоких температурах, близких к комнатной, вклад в пороговый ток вносят процессы оже-рекомбинации. При излучательной рекомбинации пороговый ток растет с температурой линейно, а при оже-рекомбинации приблизительно какT3.
Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И., Смирнов В.А., Евтихиев В.П., Пихтин Н.А., Растегаева М.Г., Станкевич А.Л., Тарасов И.С., Школьник А.С., Зегря Г.Г. Температурная зависимость порогового тока лазеров на квантовых ямах // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1252

Предложена новая модель расчета характеристик глубоко-субмикрометровых полевых транзисторов современной микроэлектроники. Вней сочетаются традиционно упрощенное квазиодномерное представление о характере распределения электрических полей в канале транзистора (приближение плавного канала и заряженных слоев) и продвинутое квазигидродинамическое описание высокополевого электронного дрейфа (уравнение энергетического баланса), адекватное ситуациям с высокими градиентами температуры электронного газа. Представлены развернутая математическая формулировка модели, метод ее численной реализации, расчетные вольт-амперные характеристики тестовых транзисторных структур, физический анализ электрических свойств глубоко-субмикрометровых транзисторов с учетом особенностей распределения концентраций подвижного заряда, электрических полей и температуры в канале транзистора.
Гергель В.А., Якупов М.Н. Квазигидродинамическая модификация приближения плавного канала втеории МОПтранзистора // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1246

Методами инфракрасной спектроскопии и фотолюминесценции изучались процессы изменения состава оксидной фазы пленки SiOx и выделения фазы Si в процессе быстрого термического отжига в интервалах времен 1--40 с и температур 500--1000oC. При температурах 600--700oC впервые наблюдалась кинетика фазовыделения: рост количества выпавшего кремния с увеличением времени отжига и выход на насыщение. При температурах выше 900oC процесс разделения фаз завершается уже за 1 c. Врамках модели диффузионно-контролируемого формирования наночастиц Si проведена оценка величины коэффициента диффузии. Полученные значения на 5--10 порядков превышают коэффициенты диффузии кремния в SiO2 и Si и сравнимы с коэффициентами диффузии кислорода в подобных структурах. Предполагается, что именно подвижность кислорода лежит в основе механизма структурно-фазовых превращений слоев SiOx и образования наночастиц Si в процессе отжига.
Данько В.А., Индутный И.З., Лысенко В.С., Майданчук И.Ю., Минько В.И., Назаров А.Н., Ткаченко А.С., Шепелявый П.Е. Кинетика фазово-структурных преобразований втонких пленках SiOx впроцессе быстрого термического отжига // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1239

Проведено исследование спектров фотолюминесценции и магнитосопротивления эпитаксиальных структур p--3C-SiC/n+-6H-SiC при температурах 6-80 K. Проведенные исследования показали влияние гетероперехода как на спектр фотолюминесценции, так и на величину сопротивления. Однако недостаточное структурное совершенство эпитаксиальных структур не позволили пока получить эффекты, \glqq классические\grqq для структур с двумерным газом. Следует ожидать, что усложнение техники эксперимента, а также оптимизация ростовых и послеростовых технологийSiC позволят это сделать в ближайшем будущем.
Лебедев А.А., Нельсон Д.К., Разбирин Б.С., Сайдашев И.И., Кузнецов А.Н., Черенков А.Е. Исследование свойств двумерного электронного газа вгетероструктурах p--3C-SiC/n+-6H-SiC при низких температурах // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1236

Исследовались оптические свойства квантовых точек в матрицах GaAs или Al0.3Ga0.7As, полученных путем последовательного заращивания начальных островков InAs, сформированных в режиме роста Странского--Крастанова, тонкими слоями AlAs и InAlAs. Показано, что в массивах таких квантовых точек отсутствует транспорт носителей между квантовыми точками в диапазоне температур от10 до300 K и реализуется неравновесное распределение носителей. Подавление температурных выбросов носителей из квантовых точек обусловлено увеличением энергетического зазора между уровнями основного и возбужденного состояний, отсутствием уровня смачивающего слоя, а также увеличением энергии локализации носителей в квантовых точках относительно состояний континуума в случае использования матрицы Al0.3Ga0.7As.
Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Блохин С.А., Максимов М.В., Семенова Е.С., Васильев А.П., Жуков А.Е., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Бимберг Д. Неравновесный характер распределения носителей при комнатной температуре вквантовых точкахInAs, покрытых тонкими слоями AlAs/InAlAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1230

Изучена терагерцовая электролюминесценция квантовой каскадной структуры GaAs/GaAlAs в диапазоне ~33-60 см-1 (1-1.8 ТГц) и проведены теоретические расчеты энергетической диаграммы уровней в такой структуре. Рассмотрены наиболее вероятные переходы в системе и изучена зависимость их от приложенного электрического поля. Проведенный анализ позволил отнести наблюдаемую линию терагерцового излучения к пространственно непрямым переходам электронов между локализованными в соседних квантовых ямах состояниями, которым соответствуют минимумы подзон размерного квантования. Результаты численного моделирования хорошо описывают спектральное положение линии электролюминесценции и сдвиг линии с увеличением напряжения смещения на квантово-каскадной структуре.
Глинский Г.Ф., Андрианов А.В., Сресели О.М., Зиновьев Н.Н. Терагерцовая электролюминесценция засчет пространственно непрямых межподзонных переходов в квантово-каскадной структуреGaAs/AlGaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1224

Представлены результаты расчета электронной структуры клатратов Si46 и Na8Si46. Для расчетов использовался метод линеаризованных присоединенных плоских волн. Врезультате расчета были получены зонная структура, полные и парциальные плотности электронных состояний, а также рентгеновские эмиссионные SiKbeta 1,3- и SiL2,3-спектры. Для клатрата Na8Si46 приводится сопоставление рассчитанных спектров с экспериментальными.
Курганский С.И., Борщ Н.А., Переславцева Н.С. Электронная структура испектральные характеристики клатратов Si46 иNa8Si46 // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1218

Исследованы пленки GeO2, содержащие нанокристаллы германия, полученные двумя способами: осаждением пленок из пересыщенных паров GeO с последующим распадом метастабильного монооксида германия на гетерофазную систему Ge : GeO2; формированием аномально толстых естественных окислов германия химического состава GeOx(H2O) при его каталитически ускоренном окислении. Пленки на различных подложках исследованы с применением методик фотолюминесценции, спектроскопии комбинационного рассеяния света, спектральной эллипсометрии, высокоразрешающей электронной микроскопии. Впленках GeO2 с нанокластерами Ge обнаружена интенсивная фотолюминесценция при комнатной температуре. Изположения пика спектра комбинационного рассеяния на локализованных оптических фононах оценены размеры нанокластеров. Получена корреляция между уменьшением размеров нанокластеров и сдвигом пиков фотолюминесценции в синюю область спектра при уменьшении доли кристаллического германия. Наличие нанокластеров подтверждено данными электронной микроскопии высокого разрешения. Наблюдается корреляция рассчитанной с учетом размерного квантования электронов и дырок оптической щели в нанокластерах с положением экспериментально наблюдаемого пика. Из полученных данных можно сделать вывод, что нанокластеры Ge в матрице GeO2 являются квантовыми точками первого рода.
Горохов Е.Б., Володин В.А., Марин Д.В., Орехов Д.А., Черков А.Г., Гутаковский А.К., Швец В.А., Борисов А.Г., Ефремов М.Д. Влияние квантово-размерного эффекта на оптические свойства нанокристаллов Ge впленках GeO2 // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1210

Используя магнитотуннельную спектроскопию, мы обнаружили спиновое расщепление основного состояния Si-доноров, связанных с X-долиной в AlAs-барьере. Определено абсолютное значение эффективной величины gI-фактора в AlAs-барьере, равное 2.2±0.1. Нами также обнаружено, что распределение плотности вероятности волновых функций электронов примесных состояний доноров имеет биаксиальную симметрию в плоскости роста с осями, соответствующими главным кристаллическим направлениям в этой плоскости.
Вдовин Е.Е., Ханин Ю.Н. Спиновое расщепление примесных состояний доноров, связанных с X-долиной вAlAs-барьере, ипространственное распределение плотности вероятности их волновых функций // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1204

Исследования спектров спонтанной ультрафиолетовой люминесценции нанокристаллов GaN выполнены при различных плотностях мощности оптического возбуждения от50 Вт/см2 до50 МВт/см2. При комнатной температуре обнаружены пики свечения свободных экситонов и рекомбинации электронно-дырочной плазмы. Изучены спектральные характеристики излучения электронно-дырочной плазмы нитрида галлия в широком диапазоне температур от77 до550 K.
Грузинцев А.Н., Редькин А.Н., Barthou C. Излучательная рекомбинация нанокристаллов GaN прибольшой мощности оптического возбуждения // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1200