Проанализированы спектральные, вольт- и ватт-амперные характеристики при прямом и обратном смещении, распределение ближнего поля излучения светодиодов флип-чип на основе гетероструктур с активным слоем из InAsSb (длина волны4.2 мкм, 300 K), имеющих глубину мезы 40--50 мкм и диаметр240 мкм. Обсуждаются фактор увеличения выхода излучения, связанный с особенностями геометрии структуры, и выбор оптимального режима работы светодиода в зависимости от рабочей температуры. PACS:85.60.Jb
Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М. Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 717

Предложена методика анализа частотных зависимостей нормированной проводимости МДП структур с учетом влияния флуктуаций поверхностного потенциала и заглубления электрически активных состояний в диэлектрик. Произведен выбор параметров для оценки уширения зависимостей. Получены аналитические выражения для этих параметров. Предложен метод разделения влияния туннельного и флуктуационного механизмов уширения на форму частотной зависимости проводимости. PACS: 85.30.De, 85.30.Hi, 73.40.Qv, 72.30.+q
Авдеев Н.А., Гуртов В.А., Климов И.В., Яковлев Р.А. Анализ частотных зависимостей проводимости МДП структур сучетом флуктуационной итуннельной теоретических моделей // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 711

Исследовано влияние gamma-излучения на структурные изменения в транзисторных многослойных гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs. Спомощью рентгенодифракционных измерений и просвечивающей электронной микроскопии установлено, что при gamma-облучении с дозой выше ~3· 107 рад начинает происходить разрушение слоя GaAs, находящегося на поверхноcти таких структур. При дозе облучения 108 рад планарность поверхности значительно ухудшается и ее шероховатость достигает нескольких нанометров. Кроме того, в приповерхностном слое структуры под воздействием gamma-облучения наблюдается образование дислокаций. Причина такого поведения поверхностного слоя может быть связана с существованием слоя окисла на его свободной поверхности и с возможными, индуцируемыми gamma-облучением, химическими реакциями между атомами слоя и свободными радикалами, образующимися в окисле и в окружающей атмосфере. Заметных изменений структуры и состава тонкого слоя канала InGaAs при дозах до 108 рад не происходит. PACS:61.80.Cb, 68.35.Ct, 68.37.Lp, 68.55.Jk, 81.40.Wx
Бобыль А.В., Гуткин А.А., Брунков П.Н., Заморянская И.А., Яговкина М.А., Мусихин Ю.Г., Саксеев Д.А., Конников С.Г., Малеев Н.А., Устинов В.М., Копьев П.С., Пунин В.Т., Илькаев Р.И., Алферов Ж.И. Рентгенодифракционные иэлектронно-микроскопические исследования влияния gamma -излучения намногослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 707

Рассмотрено явление накопления зарядов, образовавшихся из-за поглощения света в структурах с квантовыми ямами в продольном электрическом поле. Показано, что процесс накопления зарядов в такой двумерной структуре существенно отличается от трехмерного случая. Рассчитаны распределения зарядов в структурах для различных значений электрических полей и полного количества накопленных зарядов. Показано также, что при значительных количествах накопленных зарядов существенную роль в распределении потенциалов и зарядов начинает играть фермиевское вырождение. Такое накопление зарядов может привести к необычной люминесценции, когда процессы генерации носителей заряда и последующей рекомбинации могут быть значительно разнесены по времени. Кроме того, такая люминесценция не будет замаскирована излучением от переходов, связанных с хвостами в запрещенной зоне, и излучением от подложки. PACS: 73.63.Hs, 78.40.-q, 78.67.De
Герус А.В., Герус Т.Г. Эффекты накопления зарядов в структурах с квантовыми ямами // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 701

-1 На основе совместного решения уравнений Шредингера и Пуассона с учетом спонтанной и пьезоэлектрической поляризации изучены особенности туннельного тока в двухбарьерных вюрцитных структурах GaN / AlGaN (0001). Показано, что внутренние поля проявляют себя в асимметрии туннельного тока через величину электронного заряда в квантовой яме. Этот заряд больше, когда внешнее и внутреннее поля в яме компенсируют друг друга, что приводит к уменьшению сдвигов потенциала активной области и резонансных уровней от напряжения, увеличению сопротивления структуры и линейной зависимости тока от напряжения в широком интервале напряжений. При совпадении внешнего и внутерннего полей в токе возникает резкая структура отрицательной дифференциальной проводимости с отношением пик / долина ~4, подобная одной из ветвей вольт-амперной характеристики двухбарьерной структуры GaAs / AlGaAs (001), что свидетельствует о перспективности использования нитридных материалов в резонансно-туннельных приборах. PACS: 73.63.Hs, 73.21.Fg
Гриняев С.Н., Разжувалов А.Н. Самосогласованный расчет туннельного тока вдвухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001) // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 695

Рассмотрены D(-)-состояния в квантовой яме при наличии продольного по отношению к направлению оси роста магнитного поля. Врамках модели потенциала нулевого радиуса получено уравнение, определяющее зависимость энергии связи D(-)-состояния от параметров потенциала структуры, координат D(-)-центра и величины магнитного поля. Проведено сравнение с экспериментальными данными по зависимости энергии связи D(-)-состояния от величины магнитного поля и показано удовлетворительное согласие с теоретическими расчетами в области магнитных полей B
Кревчик В.Д., Грунин А.Б., Евстифеев Вас.В. Магнитооптика квантовых ям сD(-)-центрами // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 689

Вычислено излучательное время жизни невырожденных электронов и дырок, однородно распределенных в полупроводниковом слое, который расположен на подложке или ограничен двумя диэлектрическими средами. Полученное выражение учитывает эффекты перепоглощения и интерференции излучения и определяет зависимости излучательного времени жизни от показателей преломления внешних сред и от толщины слоя. PACS:78.20.Bh, 78.20.Ci, 78.55.-m
Пипа В.И. Излучательное время жизни электронов идырок в тонком слое полупроводника // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 686

Проведены исследования фотолюминесценции в окисленных в присутствии паров йода поликристаллических слоях Pb1-xCdxSe. Показано, что в таких структурах излучательная рекомбинация определяется прямыми межзонными переходами и переходами на глубокий уровень при наличии варизонности в объеме кристаллитов. Последнее способствует существенному увеличению интенсивности люминесценции. PACS: 78.55.Hx, 78.66.Li
Гамарц А.Е., Мошников В.А., Чеснокова Д.Б. Фотолюминесценция вполикристаллических слоях Pb1-x CdxSe, активированных в присутствии паров йода // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 683

Исследовано влияние значительных концентраций акцепторных примесей (NA~ 1020 см-3) на изменение электронной структуры, положение уровня Ферми, электропроводности, коэффициента Зеебека и магнитной восприимчивости интерметаллических полупроводников n-ZrNiSn. Определена роль примесных донорной и акцепторной зон в проводимости сильно легированного n-ZrNiSn. Обнаружен переход от активационной к металлической проводимости при изменении концентрации акцепторных примесей. PACS: 72.20.-i, 72.80.Jc
Ромака В.А., Шеляпина М.Г., Гореленко Ю.К., Фрушарт Д., Стаднык Ю.В., Ромака Л.П., Чекурин В.Ф. Особенности механизмов проводимости сильно легированных интерметаллических полупроводников n-ZrNiSn // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 676

Исследованы электрические свойства тонких поликристаллических пленокSmS с различными величинами постоянной кристаллической решетки при T=300-580 K. Выявлены особенности поведения температурных зависимостей электропроводности при T>450 K. Обнаружен эффект генерации электродвижущей силы величиной до1.3 В при T=440-470 K при воздействии на пленки давлением сферического индентора. Показана возможность перевода пленок SmS в высокоомное состояние (разница сопротивлений на 3порядка) путем приложения электрического поля напряженностью более 100 В/см. Все полученные результаты объяснены с привлечением модели эффекта генерации эдс в SmS при равномерном нагреве образца, а также переменной валентностью ионов самария--- дефектов решетки. PACS: 71.30.+h, 71.55.Ht, 72.80.Jc, 81.40.Rs
Каминский В.В., Казанин М.М., Соловьев С.М., Шаренкова Н.В., Володин Н.М. Влияние эффекта генерации электродвижущей силы наэлектрические свойства тонких пленок сульфида самария // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 672