Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: более 1000, для научной тематики: Полупроводники

171.

Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления     

Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Проанализированы спектральные, вольт- и ватт-амперные характеристики при прямом и обратном смещении, распределение ближнего поля излучения светодиодов флип-чип на основе гетероструктур с активным слоем из InAsSb (длина волны4.2 мкм, 300 K), имеющих глубину мезы 40--50 мкм и диаметр240 мкм. Обсужд...
172.

Анализ частотных зависимостей проводимости МДП структур сучетом флуктуационной итуннельной теоретических моделей     

Авдеев Н.А., Гуртов В.А., Климов И.В., Яковлев Р.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Предложена методика анализа частотных зависимостей нормированной проводимости МДП структур с учетом влияния флуктуаций поверхностного потенциала и заглубления электрически активных состояний в диэлектрик. Произведен выбор параметров для оценки уширения зависимостей. Получены аналитические выражен...
173.

Рентгенодифракционные иэлектронно-микроскопические исследования влияния gamma -излучения намногослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs     

Бобыль А.В., Гуткин А.А., Брунков П.Н., Заморянская И.А., Яговкина М.А., Мусихин Ю.Г., Саксеев Д.А., Конников С.Г., Малеев Н.А., Устинов В.М., Копьев П.С., Пунин В.Т., Илькаев Р.И., Алферов Ж.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследовано влияние gamma-излучения на структурные изменения в транзисторных многослойных гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs. Спомощью рентгенодифракционных измерений и просвечивающей электронной микроскопии установлено, что при gamma-облучении с дозой выше ~3· 107 рад начинает происхо...
174.

Эффекты накопления зарядов в структурах с квантовыми ямами     

Герус А.В., Герус Т.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Рассмотрено явление накопления зарядов, образовавшихся из-за поглощения света в структурах с квантовыми ямами в продольном электрическом поле. Показано, что процесс накопления зарядов в такой двумерной структуре существенно отличается от трехмерного случая. Рассчитаны распределения зарядов в стру...
175.

Самосогласованный расчет туннельного тока вдвухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001)     

Гриняев С.Н., Разжувалов А.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
-1 На основе совместного решения уравнений Шредингера и Пуассона с учетом спонтанной и пьезоэлектрической поляризации изучены особенности туннельного тока в двухбарьерных вюрцитных структурах GaN / AlGaN (0001). Показано, что внутренние поля проявляют себя в асимметрии туннельного тока через в...
176.

Магнитооптика квантовых ям сD(-)-центрами     

Кревчик В.Д., Грунин А.Б., Евстифеев Вас.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Рассмотрены D(-)-состояния в квантовой яме при наличии продольного по отношению к направлению оси роста магнитного поля. Врамках модели потенциала нулевого радиуса получено уравнение, определяющее зависимость энергии связи D(-)-состояния от параметров потенциала структуры, координат D(-)-центра и...
177.

Излучательное время жизни электронов идырок в тонком слое полупроводника     

Пипа В.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Вычислено излучательное время жизни невырожденных электронов и дырок, однородно распределенных в полупроводниковом слое, который расположен на подложке или ограничен двумя диэлектрическими средами. Полученное выражение учитывает эффекты перепоглощения и интерференции излучения и определяет зависи...
178.

Фотолюминесценция вполикристаллических слоях Pb1-x CdxSe, активированных в присутствии паров йода     

Гамарц А.Е., Мошников В.А., Чеснокова Д.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Проведены исследования фотолюминесценции в окисленных в присутствии паров йода поликристаллических слоях Pb1-xCdxSe. Показано, что в таких структурах излучательная рекомбинация определяется прямыми межзонными переходами и переходами на глубокий уровень при наличии варизонности в объеме кристаллит...
179.

Особенности механизмов проводимости сильно легированных интерметаллических полупроводников n-ZrNiSn     

Ромака В.А., Шеляпина М.Г., Гореленко Ю.К., Фрушарт Д., Стаднык Ю.В., Ромака Л.П., Чекурин В.Ф. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследовано влияние значительных концентраций акцепторных примесей (NA~ 1020 см-3) на изменение электронной структуры, положение уровня Ферми, электропроводности, коэффициента Зеебека и магнитной восприимчивости интерметаллических полупроводников n-ZrNiSn. Определена роль примесных донорной ...
180.

Влияние эффекта генерации электродвижущей силы наэлектрические свойства тонких пленок сульфида самария     

Каминский В.В., Казанин М.М., Соловьев С.М., Шаренкова Н.В., Володин Н.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследованы электрические свойства тонких поликристаллических пленокSmS с различными величинами постоянной кристаллической решетки при T=300-580 K. Выявлены особенности поведения температурных зависимостей электропроводности при T>450 K. Обнаружен эффект генерации электродвижущей силы величиной д...