Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 315, для научной тематики: Физика полупроводниковых приборов


1.

Оптимизация режимов работы термоэлементов с учетом нелинейности температурного распределения     

Ордин С.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Показано, что в уравнении баланса тепловых потоков в объеме образца (упрощенное уравнение Иоффе--Стильбанса) необходимо учитывать теплоту Пельтье, которую раньше рассматривали как чисто контактную характеристику. В результате самосогласованного расчета с учетом температурной зависимости теплоты ...
2.

Влияние внешнего электрического смещения нафотоэлектрические свойства кремниевых mis/il-структур     

Буджак Я.С., Ерохов В.Ю., Мельник И.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Теоретически исследован механизм влияния внешнего электрического смещения на фотоэлектрические свойства структур Al/туннельно-тонкий SiO2/p-Si с индуцированным инверсным слоем. Особенностью рассматриваемой структуры являетс наличие специальной инверсной гребенки, между которой и подложкой приклад...
3.

Перестройка током длины волны излучения мезаполосковых низкопороговых лазеров на основе InAsSb / InAsSbP двойных гетероструктур, излучающих в области 3.3 мкм     

Данилова Т.Н., Данилова А.П., Ершов О.Г., Именков А.Н., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Диодные мезаполосковые лазеры на основе InAsSb/InAsSbP двойных гетероструктур с низким пороговым током (~12 мА) и узкой шириной полоска (~10 мкм) исследовались в большом интервале токов вплоть до 5 пороговых. Обнаружено, что в таких лазерах моды в измеренном интервале токов смещаются в ...
4.

Влияние межподзонного поглощения в валентной зоне на пороговые характеристики длинноволновых лазеров на основе InAs     

Гунько Н.А., Зегря Г.Г., Зотова Н.В., Соколова З.Н., Стусь Н.М., Халфин В.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Проведен микроскопический анализ механизма внутризонного поглощения излучения дырками с переходом их в спин-орбитально отщепленную зону. Показано, что такой механизм внутризонного поглощения существенно влияет на пороговые характеристики и квантовую эффективность гетеролазеров на основе InAs. Под...
5.

Влияние плазменной обработки поверхности карбида кремния нахарактеристики полевых транзисторов со скрытым p-n-затвором     

Иванов П.А., Коньков О.И., Пантелеев В.Н., Самсонова Т.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Для SiC полевых транзисторов со скрытым p-n-затвором показана возможность стабилизации зарядового состояния поверхности канала, выступающей в таких транзисторах в роли дополнительного "плавающего" затвора, путем ее обработки в водородной плазме при комнатной температуре. Продемонстрировано, что н...
6.

Проявление в спектре мелких пограничных состояний эффектов перколяционной проводимости короткоканальных полевых транзисторов     

Аронзон Б.А., Бакаушин Д.А., Веденеев А.С., Рыльков В.В., Сизов В.Е. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
По методу эффекта поля в температурном интервале T=77/ 300 K исследована эффективная плотность мелких пограничных состояний Nss в короткоканальных (0.5/ 5 мкм) транзисторах типа Si-MNOS и полевых--- на основе GaAs с повышенной (более1012 см-2) концентрацией зарядов, встроенных в подзатворном диэл...
7.

Кинетика ионной деполяризации Si-МОП-структур в режиме линейной развертки по напряжению     

Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Чучева Г.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Развивается новый подход к описанию изотермической ионной деполяризации Si-МОП-структур в режиме линейного изменения потенциала полевого электрода Vg, основанный на представлениях о существенно неравновесном характере транспорта ионов, изначально локализованных у границы раздела (ГР) SiO2/Si на м...
8.

Характеристики лазера дальнего инфракрасного диапазона нагорячих дырках вгермании вконфигурациях полей фогта ифарадея     

Воробьев Л.Е., Данилов С.Н., Кочегаров Ю.В., Тулупенко В.Н., Фирсов Д.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Проведены исследования лазера дальнего инфракрасного излучения на межподзонных переходах горячих дырок в германии с концентрацией дырок 2.5· 1014 см-3 в конфигурациях полей Фогта и Фарадея. Представлены новые сравнительные данные для обеих конфигураций по областям полей, в которых происходи...
9.

Усиление излучения дальнего инфракрасного диапазона горячими дырками в германии в скрещенных электрическом и магнитном полях     

Воробьев Л.Е., Данилов С.Н., Кочегаров Ю.В., Тулупенко В.Н., Фирсов Д.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Приведены результаты прямых измерений коэффициента усиления поляризованного и неполяризованного длинноволнового инфракрасного излучения горячими дырками в германии в скрещенных электрическом и магнитном полях в конфигурациях Фогта и Фарадея. Проведено сравнение экспериментальных данных с расчетам...
10.

Генерация в двухбарьерной резонансно-туннельной структуре, стабилизированная микрополосковым резонатором     

Белоушкин А.А., Ефимов Ю.А., Игнатьев А.С., Карузский А.Л., Мурзин В.Н., Пересторонин А.В., Расулова Г.К., Цховребов А.М., Чижевский Е.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Впервые исследована генерация в двухбарьерной резонансно-туннельной структуре на основе гетеропереходов GaAs/AlAs, стабилизированная микрополосковым резонатором. Изготовленные структуры содержат приконтактные слои (спейсеры), препятствующие проникновению примесей в активную часть структуры и улуч...