Поиск публикаций Научные конференции и семинары Новости науки Научная сеть

 Найдено научных статей и публикаций: 315, для научной тематики: физика полупроводниковых приборов


Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 



1.

Оптимизация режимов работы термоэлементов с учетом нелинейности температурного распределения     

Ордин С.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Показано, что в уравнении баланса тепловых потоков в объеме образца (упрощенное уравнение Иоффе--Стильбанса) необходимо учитывать...
2.

Влияние внешнего электрического смещения нафотоэлектрические свойства кремниевых mis/il-структур     

Буджак Я.С., Ерохов В.Ю., Мельник И.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Теоретически исследован механизм влияния внешнего электрического смещения на фотоэлектрические свойства структур...
3.

Перестройка током длины волны излучения мезаполосковых низкопороговых лазеров на основе InAsSb / InAsSbP двойных гетероструктур, излучающих в области 3.3 мкм     

Данилова Т.Н., Данилова А.П., Ершов О.Г., Именков А.Н., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Диодные мезаполосковые лазеры на основе InAsSb/InAsSbP двойных гетероструктур с низким пороговым током (~12 мА) и узкой шириной полоска...
4.

Влияние межподзонного поглощения в валентной зоне на пороговые характеристики длинноволновых лазеров на основе InAs     

Гунько Н.А., Зегря Г.Г., Зотова Н.В., Соколова З.Н., Стусь Н.М., Халфин В.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Проведен микроскопический анализ механизма внутризонного поглощения излучения дырками с переходом их в спин-орбитально...
5.

Влияние плазменной обработки поверхности карбида кремния нахарактеристики полевых транзисторов со скрытым p-n-затвором     

Иванов П.А., Коньков О.И., Пантелеев В.Н., Самсонова Т.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Для SiC полевых транзисторов со скрытым p-n-затвором показана возможность стабилизации зарядового состояния поверхности канала,...
6.

Проявление в спектре мелких пограничных состояний эффектов перколяционной проводимости короткоканальных полевых транзисторов     

Аронзон Б.А., Бакаушин Д.А., Веденеев А.С., Рыльков В.В., Сизов В.Е. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
По методу эффекта поля в температурном интервале T=77/ 300 K исследована эффективная плотность мелких пограничных состояний Nss в...
7.

Кинетика ионной деполяризации Si-МОП-структур в режиме линейной развертки по напряжению     

Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Чучева Г.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Развивается новый подход к описанию изотермической ионной деполяризации Si-МОП-структур в режиме линейного изменения потенциала...
8.

Характеристики лазера дальнего инфракрасного диапазона нагорячих дырках вгермании вконфигурациях полей фогта ифарадея     

Воробьев Л.Е., Данилов С.Н., Кочегаров Ю.В., Тулупенко В.Н., Фирсов Д.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Проведены исследования лазера дальнего инфракрасного излучения на межподзонных переходах горячих дырок в германии с...
9.

Усиление излучения дальнего инфракрасного диапазона горячими дырками в германии в скрещенных электрическом и магнитном полях     

Воробьев Л.Е., Данилов С.Н., Кочегаров Ю.В., Тулупенко В.Н., Фирсов Д.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Приведены результаты прямых измерений коэффициента усиления поляризованного и неполяризованного длинноволнового инфракрасного...
10.

Генерация в двухбарьерной резонансно-туннельной структуре, стабилизированная микрополосковым резонатором     

Белоушкин А.А., Ефимов Ю.А., Игнатьев А.С., Карузский А.Л., Мурзин В.Н., Пересторонин А.В., Расулова Г.К., Цховребов А.М., Чижевский Е.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Впервые исследована генерация в двухбарьерной резонансно-туннельной структуре на основе гетеропереходов GaAs/AlAs, стабилизированная...