Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 315, для научной тематики: Физика полупроводниковых приборов

1.

Исследование резистивных фоточувствительных элементов наоснове HgCdTe методом наведенного тока     

Вергелес П.С., Крапухин В.В., Якимов Е.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
Методом наведенного тока в растровом электронном микроскопе исследованы фоточувствительные резистивные элементы на основе HgCdTe, фоточувствительность которых понизилась в результате длительной эксплуатации. Показано, что процессы деградации в таких элементах связаны с появлением вблизи контактов...
2.

Электронный транспорт и детектирование терагерцового излучения всубмикрометровом полевом транзисторе GaN/AlGaN     

Гавриленко В.И., Демидов Е.В., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Knap W., Lusakowski J. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
Исследованы электронный транспорт и фотоотклик в терагерцовом диапазоне в полевом транзисторе GaN/AlGaN с субмикрометровым затвором (0.25 мкм) с двумерным электронным газом в канале (концентрация электронов ns~ 5·1012 см-2) при4.2 K. Подвижность носителей заряда в канале транзистора опр...
3.

Последовательный механизм транспорта электронов врезонансно-туннельном диоде столстыми барьерами     

Алкеев Н.В., Аверин С.В., Дорофеев А.А., Velling P., Khorenko E., Prost W., Tegude F.J. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
Анализ частотной зависимости импенданса резонансно-туннельного диода на основе InGaAs/InAlAs с шириной ямы 5 нм и барьерами толщиной 5 нм в диапазоне частот 0.1-50 ГГц показал, что механизм транспорта в таком диоде в основном последовательный, а не когерентный, что совпадает с проведенными оценка...
4.

Кремниевый фотодиод ссетчатым p-n-переходом     

Блынский В.И., Василевский Ю.Г., Малышев С.А., Чиж А.Л. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
Исследованы кремниевые фотодиоды, p-область которых имеет сетчатую структуру. Получены аналитические выражения для емкости таких фотодиодов. Проведен анализ влияния размеров ячейки и диффузионной длины неосновных носителей заряда на чувствительность кремниевого сетчатого фотодиода в спектральном ...
5.

Сверхпроводящие туннельные детекторы рентгеновского излучения. Вопросы энергетического разрешения     

Андрианов В.А., Горьков В.П., Кошелец В.П., Филиппенко Л.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
Изучено влияние рекомбинационных и краевых потерь неравновесных квазичастиц на энергетическое разрешение сверхпроводящих туннельных детекторов. Для детекторов Ti/Nb/Al/AlOx/Al/Nb/NbN с пассивным электродом Ti/Nb измерена зависимость сигнала от энергии рентгеновских квантов и изучена форма аппарат...
6.

Управление временем жизни носителей заряда ввысоковольтных p-i-n-диодах на основе гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs     

Солдатенков Ф.Ю., Данильченко В.Г., Корольков В.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
На примере гетероструктур InGaAs/GaAs изучена возможность управления эффективным временем жизни неравновесных носителей заряда посредством контролируемого рассогласования по параметру решетки сопрягаемых материалов гетероструктуры. Установлена связь между соотношением толщины и состава слабо леги...
7.

Нестабильность характеристик SiC-детекторов, подвергнутых экстремальному воздействию ядерных частиц     

Иванов А.М., Строкан Н.Б., Богданова Е.В., Лебедев А.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
Изучались особенности работы детекторов, подвергнутых облучению протонами с энергией8 МэВ и дозой 3· 1014 см-2. Детекторы были выполнены на базе современных CVD-пленок 4H-SiC n-типа проводимости, имеющих концентрацию нескомпенсированных доноров ~ 2· 1014 см-3 при толщине55 мкм. Выс...
8.

Метод расчета времени переходного процесса многоступенчатой охлаждающей термобатареи     

Равич Ю.И., Гордиенко А.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
Производится расчет времениtau выхода каскадной охлаждающей термобатареи на стационарный режим. Использованный метод не требует решения уравнений в частных производных для ветвей полупроводниковых элементов. Время переходного процесса двухступенчатой батареи получается в аналитической форме как р...
9.

КНИ-нанотранзисторы сдвумя независимо управляемыми затворами     

Наумова О.В., Ильницкий М.А., Сафронов Л.Н., Попов В.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
Приводятся результаты численного моделирования затворных характеристик КНИ-МОП-нанотранзисторов с двумя независимо управляемыми затворами. Рассматривался случай с заземленной и плавающей базой как без, так и с учетом поверхностной рекомбинации носителей заряда. Показано, что при заданных конструк...
10.

Возможности использования твердого раствора Cd0.8Hg0.2Te всолнечных элементах     

Косяченко Л.А., Кульчинский В.В., Паранчич С.Ю., Склярчук В.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
Исследованы фоточувствительные в области 0.3-1.1 мкм поверхностно-барьерные диоды на основе CdxHg1-xTe (x~ 0.8), полученные травлением (бомбардировкой) поверхности кристалла p-типа проводимости ионами аргона. Сиспользованием измеренных спектральных кривых поглощения и отражения, а также пара...