Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: более 1000, для научной тематики: Полупроводники

211.

Влияние интерфейсных ступенек роста наанизотропию экситонного излучения квантовых ямZnCdSe/ZnSe     

Кайбышев В.Х., Травников В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
При T=8 K исследованы спектры экситонной люминесценции структур с одиночной квантовой ямой ZnCdSe/ZnSe. Обнаружено два типа анизотропии линейной поляризации экситонного излучения. Анизотропия первого типа соответствует поляризации излучения вдоль оси[011] и обусловлена излучением с нижнего уровня...
212.

Повышенная излучательная рекомбинация квантовых ям AlGaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии     

Борисов Б.А., Никишин С.Н., Курятков В.В., Кучинский В.И., Holtz M., Temkin H. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследованы зависимости интенсивности катодолюминесценции множественных квантовых ям Al0.55Ga0.45N/Al0.45Ga0.55N, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, от условий роста. Наблюдается увеличение почти на 2 порядка интенсивности пика катодолюминесценции с энергией 4.45 эВ при росте слоя...
213.

Оптимизация температурного режима металлорганической газофазной эпитаксии квантовых точек InAs(N) наGaAs(001) синтенсивной фотолюминесценцией вблизи 1.3 мкм     

Шашкин В.И., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Гапонова Д.М., Хрыкин О.И., Мурель А.В., Востоков Н.В., Kim Taek, Park Yong-Jo - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследован рост квантовых точек InAs(N) на GaAs в реакторе металлорганической газофазной эпитаксии (МОГФЭ) пониженного давления. Вкачестве источника азота использован демитилгидразин. Внастоящее время хорошо известно, что температура роста квантовых точек InGaAs должна быть ограничена, чтобы пред...
214.

Фотолюминесценция пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением свведением углерода     

Каганович Э.Б., Лисовский И.П., Манойлов Э.Г., Злобин С.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследуется влияние углерода на фотолюминесцентные свойства пленок состава: Si квантово-размерные нанокристаллы / SiOx (x->2) матрица. Измерены спектры фотолюминесценции с временным разрешением в диапазоне энергий 1.4-3.2 эВ и спектры инфракрасного поглощения в диапазоне волновых чисел 650-150...
215.

Квазигидродинамическое моделирование особенностей электропроводности сильно легированных наноразмерных слоистых гетероструктур всильных электрических полях     

Гергель В.А., Курбатов В.А., Якупов М.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Методами математического моделирования на основе уравнения энергетического баланса исследована электропроводность наноразмерных слоистых гетероструктур в сильных электрических полях. Показано, что характерной особенностью соответствующих характеристик является пик дифференциальной проводимости, ...
216.

Спиновое расщепление и g-фактор электронов возбужденной подзоны размерного квантования     

Кадушкин В.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Наблюдалось спиновое расщепление нулевого уровня Ландау для верхней подзоны размерного квантования с энергией дна зоныEp в осцилляциях магнитосопротивления гетеросистемы Al0.28Ga0.72As(Si)Ga/As. Явление связано с межподзонными переходами электронов из нижней, основной Em-подзоны размерного кванто...
217.

Энергетический спектр и магнитооптические свойства D(-)-центра вквантовом сужении     

Кревчик В.Д., Марко А.А., Грунин А.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Рассмотрены состояния электрона, локализованного на доноре в квантовом сужении с параболическим электронным потенциалом при наличии продольного по отношению к оси сужения магнитного поля. Врамках модели потенциала нулевого радиуса аналитически получено дисперсионное уравнение электрона с учетом в...
218.

Особенности фотолюминесценции вструктурах кремний-на-изоляторе, имплантированных ионами водорода     

Тысченко И.Е., Журавлев К.С., Талочкин А.Б., Попов В.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследованы особенности спектров фотолюминесценции в имплантированных ионами водорода структурах кремний-на-изоляторе. Обнаружено увеличение интенсивности фотолюминесценции с ростом гидростатического давленияP во время отжига и формирование системы узких периодических пиков фотолюминесценции в сп...
219.

Влияние имплантации ионов меди наоптические свойства инизкотемпературную проводимость углеродных пленок     

Файзрахманов И.А., Базаров В.В., Степанов А.Л., Хайбуллин И.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Проведены исследования оптических и электрических свойств алмазоподобных пленок углерода, имплантированных ионами меди с энергией 40 кэВ дозами 3·1014-3·1017 ион / см2, а также влияние на них постимплантационного термического отжига в условиях вакуума. Установлено, что имплантированные ...
220.

Инфракрасные спектры отражения иморфология поверхности эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs (100) сфазой упорядоченияAlGaAs2     

Домашевская Э.П., Середин П.В., Лукин А.Н., Битюцкая Л.А., Гречкина М.В., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Тарасов И.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследованы инфракрасные спектры отражения, обусловленные колебаниями решетки в эпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs (100), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, с различными концентрациямиAl в металлической подрешетке. Вспектре образца с x~0.50 обнаружены моды колебаний, со...