При T=8 K исследованы спектры экситонной люминесценции структур с одиночной квантовой ямой ZnCdSe/ZnSe. Обнаружено два типа анизотропии линейной поляризации экситонного излучения. Анизотропия первого типа соответствует поляризации излучения вдоль оси[011] и обусловлена излучением с нижнего уровня дублетного состояния тяжелых экситонов, локализованных в вытянутых вдоль оси[011] островках локализации. Второй тип анизотропии связан с процессами возбуждения свободных экситонов с волновыми векторами, превышающими волновой вектор света. Возбуждение реализуется через упругое рассеяние света на анизотропных интерфейсных шероховатостях, обусловленных ступеньками роста. Анизотропия второго типа соответствует поляризации излучения вдоль оси[0 11] и является следствием воздействия деформационных эффектов, возмущающих дырочные состояния вблизи ступенек роста. Деформация возникает в этих областях за счет разной величины постоянных решетки материала барьера и ямы. PACS: 71.35.-y, 73.20.Mf, 78.67.De
Кайбышев В.Х., Травников В.В. Влияние интерфейсных ступенек роста наанизотропию экситонного излучения квантовых ямZnCdSe/ZnSe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 464

Исследованы зависимости интенсивности катодолюминесценции множественных квантовых ям Al0.55Ga0.45N/Al0.45Ga0.55N, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, от условий роста. Наблюдается увеличение почти на 2 порядка интенсивности пика катодолюминесценции с энергией 4.45 эВ при росте слоя квантовой ямы в режиме сильного обеднения по аммиаку. На картине дифракции быстрых электронов при этом появляется тенденция к режиму трехмерного роста, эффект интерпретируется в модели формирования квантовых точек AlGaN. PACS: 78.67.De, 78.67.Hc, 81.15.Hi
Борисов Б.А., Никишин С.Н., Курятков В.В., Кучинский В.И., Holtz M., Temkin H. Повышенная излучательная рекомбинация квантовых ям AlGaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 460

Исследован рост квантовых точек InAs(N) на GaAs в реакторе металлорганической газофазной эпитаксии (МОГФЭ) пониженного давления. Вкачестве источника азота использован демитилгидразин. Внастоящее время хорошо известно, что температура роста квантовых точек InGaAs должна быть ограничена, чтобы предотвратить нежелательные процессы взаимодиффузии атомов In и Ga, а также переиспарение атомовIn. Сдругой стороны, толстые барьерные слои GaAs должны выращиваться при повышенной температуре из-за сильного влияния температуры роста на оптическое качество структуры. Повышение температуры подложкодержателя на 100 градусов требует прерывания процесса в реакторе МОГФЭ примерно на 2 мин. Момент прерывания процесса для подъема температуры может быть выбран в различных точках процесса: 1--- после квантовых точек, перед покрывающим слоем InGaAs; 2--- внутри процесса роста покрывающего слоя; 3--- между покрывающим слоем и барьерным GaAs; 4--- внутри барьерного слоя GaAs. Показано, что наиболее подходящим для структур с сильной фотолюминесценцией на 1.3 мкм является последний вариант, где тонкая начальная часть барьерного слоя выращивается при пониженной температуре. PACS: 78.55.-m, 81.16.-c
Шашкин В.И., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Гапонова Д.М., Хрыкин О.И., Мурель А.В., Востоков Н.В., Kim Taek, Park Yong-Jo Оптимизация температурного режима металлорганической газофазной эпитаксии квантовых точек InAs(N) наGaAs(001) синтенсивной фотолюминесценцией вблизи 1.3 мкм // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 455

Исследуется влияние углерода на фотолюминесцентные свойства пленок состава: Si квантово-размерные нанокристаллы / SiOx (x->2) матрица. Измерены спектры фотолюминесценции с временным разрешением в диапазоне энергий 1.4-3.2 эВ и спектры инфракрасного поглощения в диапазоне волновых чисел 650-1500 см-1. Установлено, что введение углерода в присутствии кислорода при импульсном лазерном осаждении пленок приводит к бело-голубому спектру, увеличению интенсивности и стабильности фотолюминесценции. Влияние углерода на фотолюминесцентные свойства связывается с формированием SiO2-барьерной фазы взамен SiOx (1
Каганович Э.Б., Лисовский И.П., Манойлов Э.Г., Злобин С.А. Фотолюминесценция пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением свведением углерода // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 449

Методами математического моделирования на основе уравнения энергетического баланса исследована электропроводность наноразмерных слоистых гетероструктур в сильных электрических полях. Показано, что характерной особенностью соответствующих характеристик является пик дифференциальной проводимости, положение и величина которого определяются высотой и крутизной гетеробарьеров, равно как и уровнем легирования структуры. Предложена физическая модель, интерпретирующая форму расчетных характеристик кумулятивным действием электростатического снижения высоты гетеробарьеров и ростом электронной температуры в окрестности инжектирующих гетерограниц. PACS: 73.63.-b
Гергель В.А., Курбатов В.А., Якупов М.Н. Квазигидродинамическое моделирование особенностей электропроводности сильно легированных наноразмерных слоистых гетероструктур всильных электрических полях // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 446

Наблюдалось спиновое расщепление нулевого уровня Ландау для верхней подзоны размерного квантования с энергией дна зоныEp в осцилляциях магнитосопротивления гетеросистемы Al0.28Ga0.72As(Si)Ga/As. Явление связано с межподзонными переходами электронов из нижней, основной Em-подзоны размерного квантования на опустошенные магнитным полем состояния верхней Ep-подзоны. Найдена величина фактора спектроскопического расщепления электронов Ep-подзоны: |g|=8.2-12.2 для концентрации в диапазоне np=(0.52-1.04)· 1011 см-2. PACS: 73.63.Hs, 7547.-m, 72.15.Gd
Кадушкин В.И. Спиновое расщепление и g-фактор электронов возбужденной подзоны размерного квантования // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 439

Рассмотрены состояния электрона, локализованного на доноре в квантовом сужении с параболическим электронным потенциалом при наличии продольного по отношению к оси сужения магнитного поля. Врамках модели потенциала нулевого радиуса аналитически получено дисперсионное уравнение электрона с учетом влияния магнитного поля на D(-)-состояние в квантовом сужении. Найдено, что особенность электронного спектра в квантовом сужении проявляется в зависимости энергии связи D(-)-состояния и края полосы примесного поглощения от эффективной длины сужения. Исследована эволюция энергии связи D(-)-состояния, а также спектра примесного магнитооптического поглощения в квантовом сужении с изменением величины продольного магнитного поля и проведено сравнение со случаем D(-)-состояний в квантовой проволоке. PACS: 73.21.Hb, 78.67.Lt, 73.63.Nm
Кревчик В.Д., Марко А.А., Грунин А.Б. Энергетический спектр и магнитооптические свойства D(-)-центра вквантовом сужении // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 433

Исследованы особенности спектров фотолюминесценции в имплантированных ионами водорода структурах кремний-на-изоляторе. Обнаружено увеличение интенсивности фотолюминесценции с ростом гидростатического давленияP во время отжига и формирование системы узких периодических пиков фотолюминесценции в спектральном диапазоне~500-700 нм для структур, отожженных при P>6 кбар. Показано, что появление тонкой структуры в спектре фотолюминесценции коррелирует с замедлением выхода водорода из имплантированных образцов и подавлением процесса образования микропузырей водорода в приповерхностном слое. Эти процессы способствуют формированию оптического резонатора с зеркалами, образованными границами раздела \glqq кремний-на-изоляторе-воздух\grqq и \glqq кремний-на-изоляторе-SiO2\grqq, и оптически активным слоем, созданным имплантацией ионов водорода и последующим отжигом. PACS: 78.55.Hx, 78.66.-w, 81.40.Tv, 81.60.Cp, 68.55.Ln
Тысченко И.Е., Журавлев К.С., Талочкин А.Б., Попов В.П. Особенности фотолюминесценции вструктурах кремний-на-изоляторе, имплантированных ионами водорода // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 426

Проведены исследования оптических и электрических свойств алмазоподобных пленок углерода, имплантированных ионами меди с энергией 40 кэВ дозами 3·1014-3·1017 ион / см2, а также влияние на них постимплантационного термического отжига в условиях вакуума. Установлено, что имплантированные атомы меди при дозах менее 6·1015 ион / см2 не влияют на электронные свойства углеродных пленок. Постимплантационный термический отжиг при температурах отжига ниже 500oC не приводит к их активации. Однако формирование наночастиц меди ведет к характерным изменениям оптических и электрических свойств углеродных пленок. Установлено, что эффективная оптическая щель композитной пленки, определенная из зависимости Тауца, является функцией фактора заполнения металлической фазы и может принимать отрицательные значения. Показано, что оптическое поглощение синтезированной медь-углеродной композитной пленки в видимой и ближней ультрафиолетовых областях спектра хорошо описывается на основе двухслойной модели. При формировании наночастиц меди в углеродной матрице происходит изменение температурной зависимости электропроводимости, однако механизм переноса заряда остается прыжковым. PACS: 73.50.Dn, 78.20.Ci, 61.72.Ww
Файзрахманов И.А., Базаров В.В., Степанов А.Л., Хайбуллин И.Б. Влияние имплантации ионов меди наоптические свойства инизкотемпературную проводимость углеродных пленок // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 419

Исследованы инфракрасные спектры отражения, обусловленные колебаниями решетки в эпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs (100), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, с различными концентрациямиAl в металлической подрешетке. Вспектре образца с x~0.50 обнаружены моды колебаний, соответствующие сверхструктурной фазе упорядочения AlGaAs2. Атомно-силовая микроскопия поверхности образца с x~0.50 показала наличие областей упорядочения нанорельефа с периодом ~115 нм, в которых проявляется структурная фаза AlGaAs2. PACS: 78.66.Fd, 81.05.Ea, 68.05.Nq
Домашевская Э.П., Середин П.В., Лукин А.Н., Битюцкая Л.А., Гречкина М.В., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Тарасов И.С. Инфракрасные спектры отражения иморфология поверхности эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs (100) сфазой упорядоченияAlGaAs2 // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 411