Исследована возможность эффективного удаления фторполимерных загрязнений с поверхности Si-структур с помощью обработки в потоке атомарного водорода. Установлено, что обработка образцов в направленном потоке атомарного водорода с плотностью 2·1015 ат. см-2с-1 при температуре 20-100oC приводит к уменьшению концентрации фторуглеродных загрязнений и, в частности, CF на 5порядков величины. Удаление фторуглеродных загрязнений осуществляется как с планарной поверхности Si-структур, так и с боковых стенок и со дна контактных отверстий диаметром от0.3-0.25 мкм и глубиной0.9 мкм, вскрытых с помощью реактивно-ионного травления в слое SiO2. Время обработки 2 мин достаточно для полного удаления фторполимерных загрязнений. Данный процесс \glqq сухой\grqq очистки может быть рекомендован для применения в технологии изготовления микросхем с межслоевым диэлектриком с низкой диэлектрической проницаемостью.
Анищенко Е.В., Кагадей В.А., Нефедцев Е.В., Проскуровский Д.И., Романенко С.В. Удаление фторполимерных загрязнений споверхности кремниевых структур приобработке впотоке атомарного водорода // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1389

Методом инфракрасной спектроскопии исследовано влияние адсорбции молекул аммиака на концентрацию равновесных носителей заряда в слоях пористого кремния с различным исходным типом легирующей примеси и значением ее концентрации. Обнаружено, что в образцах n-типа адсорбция аммиака ведет к увеличению количества свободных электронов до уровня, превышающего1018 см-3. Для образцов p-типа наблюдается немонотонная зависимость концентрации носителей заряда от давления аммиака. Полученные результаты объясняются появлением адсорбционно-индуцированных мелких донорных состояний, которые наряду с состояниями исходной легирующей примеси и поверхностных дефектов определяют тип и концентрацию носителей заряда в кремниевых нанокристаллах пористого слоя после адсорбции аммиака.
Павликов А.В., Осминкина Л.А., Белогорохов И.А., Константинова Е.А., Ефимова А.И., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Роль исходного легирования в эффекте изменения концентрации носителей заряда впористом кремнии приадсорбции молекул аммиака // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1385

Изучалась фотолюминесценция и электрические свойства органических полупроводников полиамидокислоты(PAA) иее комплексов с лантоноидами. При добавлении в PAA лантана и тербия наблюдалось увеличение интенсивности излучения на40%. Собственных полос лантоноидов в спектре излучения обнаружено не было. Исследование вольт-амперных характеристик и температурной зависимости проводимости PAA и ее комплексов проводилось на слоях толщиной от40 до0.1 мкм. Особенностью электрических свойств является гистерезис температурной зависимости проводимости при увеличении и понижении температуры. Значительное отклонение вольт-амперных характеристик от линейности, связанное с инжекционными токами, наблюдалось на слоях толщиной0.1-0.2 мкм. Пробойное напряжение и предельный ток для них составляют соответственно3-8 В и(2-1)·10-2 А/см2. Полученная величина плотности тока сравнима с плотностью тока в слоях электролюминесцентных сопряженных полимеров при тех же напряжениях.
Лебедев Э.А., Гойхман М.Я., Жигунов Д.М., Подешво И.В., Кудрявцев В.В., Тимошенко В.Ю. Люминесценция и электропроводность полиамидокислоты иееметалл-полимерных комплексов сLaиTb // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1380

Методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгенофазового анализа исследована структура композитов опал--ZnO. Показано, что в процессе термообработки инфильтрованных образцов происходит твердофазная реакция взаимодействия на границе раздела опал--ZnO с образованием силиката цинка beta-Zn2SiO4 и его высокотемпературной фазы--- виллемита Zn2SiO4. Исследована зависимость структуры и эмиссионных свойств нанокомпозита от степени заполнения. Для образца, прошедшего 25 циклов заполнения, обнаружена люминесценция в синей области спектра (430 нм), обусловленная фаза beta-Zn2SiO4. Угловые зависимости спектров люминесценции и отражения композита опал--ZnO с 4 циклами заполнения свидетельствуют об эффекте подавления спонтанного излучения оксида цинка в фотонной щели.
Емельченко Г.А., Грузинцев А.Н., Ковальчук М.Н., Масалов В.М., Самаров Э.Н., Якимов Е.Е., Barthou C., Зверькова И.И. Нанокомпозиты опал--ZnO: структура иэмиссионные свойства // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1375

Рассчитана степень циркулярной поляризации фотолюминесценции из квантовой ямы n-типа на основе AIIIBV, выращенной вдоль направления(001), при протекании в плоскости ямы электрического тока. Показано, что смешивание состояний легких и тяжелых дырок приводит к круговой поляризации фотолюминесценции при распространении света в плоскости структуры. Проанализирована роль различного типа линейных по волновому вектору слагаемых в энергетическом спектре электронов в эффектах спиновой ориентации и возникновения круговой поляризации излучения в электрическом поле.
Аверкиев Н.С., Силов А.Ю. Циркулярная поляризация люминесценции, обусловленная током вквантовых ямах // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1370

Исследовано влияние электрического поля на фотолюминесценцию кремниевых нанокристаллов, сформированных в оксиде кремния методом ионной имплантации с последующим отжигом. Обнаружено, что приложение электрического поля приводит к возрастанию интенсивности фотолюминесценции нанокристаллов при низких температурах на величину до 10% при напряженности поля 12 кВ / см и ее понижению при температурах свыше 20 K. Возгорание экситонной фотолюминесценции нанокристаллов под действием электрического поля противоречит модели рекомбинации размерно-квантованных экситонов в нанокристаллах и описывается в рамках модели рекомбинации автолокализованных экситонов, формирующихся на границе нанокристалл кремния--оксид кремния.
Вандышев Е.Н., Гилинский А.М., Шамирзаев Т.С., Журавлев К.С. Фотолюминесценция кремниевых нанокристаллов поддействием электрического поля // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1365

Предложен простой метод расчета коэффициента межзонного поглощения света в однородном электрическом поле, позволяющий из самых общих соотношений исследовать особенности электропоглощения в широком классе полупроводниковых систем. Развитый метод применен к исследованию электропоглощения в двумерных системах с различным профилем одномерного потенциала, в квантовых ямах и сверхрешетках в магнитном поле.
Синявский Э.П., Соковнич С.М., Хамидуллин Р.А. Межзонное поглощение света вразмерно-ограниченных системах воднородном электрическом поле // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1359

Исследованы спектры фотолюминесценции структур InAs/GaAs с квантовыми точками при различных мощностях накачки и температурах. На начальном участке роста мощности накачки обнаруживается сдвиг одной из линий спектра фотолюминесценции в нелегированном образце. При повышении температуры интенсивность высокоэнергетической части спектра уменьшается, а низкоэнергетическая смещается в область еще более низких энергий. Показано наличие в структурах квантовых точек двух характерных размеров.
Кульбачинский В.А., Рогозин В.А., Лунин Р.А., Белов А.А., Карузский А.Л., Пересторонин А.В., Здоровейщев А.В. Особенности фотолюминесценции структур InAs/GaAs сквантовыми точками приразличной мощности накачки // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1354

С помощью спектроскопии фототока исследованы структуры с квантовыми точками InGaN/GaN. Динамический диапазон измерений составлял четыре порядка с сохранением отношения величины сигнала к уровню шума больше10. Впределах погрешности измерений форма спектра не зависела от приложенного обратного внешнего смещения, в то время как спектр смещался в коротковолновую сторону, что объясняется влиянием эффекта Франца-Келдыша. Изменение температуры приводило к изменению формы спектра, причем этот эффект различен для структур, выращенных в различных режимах. Такое поведение может объясняться влиянием однородного уширения электронных состояний, статистикой носителей на уровнях квантовых точек, а также влиянием температуры на положение этих уровней.
Сизов Д.С., Сизов В.С., Лундин В.В., Цацульников А.Ф., Заварин Е.Е., Леденцов Н.Н. Исследование электронного спектра структур сквантовыми точкамиInGaN спомощью спектроскопии фототока // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1350

Проведено численное моделирование динамики фазовых переходов, инициируемых в CdTe наносекундным излучением рубинового лазера. Показано, что испарение атомов кадмия приводит к охлаждению поверхности, формируя немонотонный профиль температурного поля с максимальной температурой, находящейся в объеме полупроводника на расстоянии ~(10-30) нм от поверхности. Образовавшийся под поверхностью расплав при плотностях энергии излучения, превышающих пороговое значение, распространяется как к поверхности, так и в объем полупроводника. Кристаллизация происходит как с поверхности в глубь образца в результате роста зародышей в условиях сильного обеднения расплава атомами кадмия и интенсивного теплоотвода, так и по направлению к поверхности путем эпитаксиального роста от подложки.
Ковалев А.А., Жвавый С.П., Зыков Г.Л. Динамика лазерно-индуцированных фазовых переходов втеллуриде кадмия // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1345