Представлены спектральные, вольт- и ватт-амперные характеристики светодиодов с активным слоем из InGaAsSb (длина волны излучения1.94 мкм при 300 K) втемпературном диапазоне77-543 K, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии на подложке GaSb и имеющих конструкцию типа флип-чип. Спектральные и мощностные характеристики обсуждаются в связи с особенностями конструкции, поглощением излучения в подложке и джоулевым разогревом. PACS: 85.60.Jb
Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Шленский А.А. Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие надлине волны1.94 мкм // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 356

Исследовано отражение инфракрасного излучения в диапазоне длин волн 1000--2200 нм подложками n-InP с \glqq тыльным\grqq зеркалом MgF2/Au. Установлено, что величина коэффициента отражения слабо зависит от толщины подложек и концентрации свободных носителей в диапазоне (0.1-6)· 1018 см-3. Методами жидкофазной эпитаксии и диффузии цинка и фосфора из газовой фазы получены термофотоэлектрические преобразователи на основе изопериодической гетероструктуры InP--In0.53Ga0.47As p-n- и n-p-полярности. Показано, что p-n- и n-p-термофотоэлементы с одинаковой конфигурацией контактов площадью1 см2 имели следующие характеристики: напряжение холостого хода Uoc=0.465 B и фактор заполнения FF=64% при плотности тока 1 A/см2, коэффициент отражения R=76-80% для длин волн >1.86 мкм. PACS: 85.80.Fi, 85.60.Bt
Карлина Л.Б., Власов А.С., Кулагина М.М., Тимошина Н.Х. Термофотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур In0.53Ga0.47As/InP // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 351

Исследованы выращенные на подложках GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктуры с квантовыми ямами InGaNAs, содержащими монослойные внедрения InAs и ограниченными сверхрешетками InGaNAs/GaNAs. При больших концентрациях индия наблюдался вызванный увеличением напряжения рассогласования переход от двумерного к островковому режиму роста. Наибольшая длина волны излучения при комнантной температуре, достигнутая в структурах с квантовыми ямами, составила1.59 мкм, вструктурах с квантовыми точками---1.76 мкм. PACS: 78.67.Hc, 78.67.De, 78.55.Cr
Михрин В.С., Васильев А.П., Семенова Е.С., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Мусихин Ю.Г., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Устинов В.М. Гетероструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками InAs/InGaNAs/GaNAs, излучающие вспектральном диапазоне1.4--1.8 мкм // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 347

Исследовано влияние предосаждения напряженных слоев Si1-xGex (x=<20%) на фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge(Si)/Si (001). Обнаружено смещение пика фотолюминесценции от куполообразных островков в сторону меньших энергий по сравнению с пиком фотолюминесценции от пирамидальных островков, которое связывается со значительно большей высотой куполов по сравнению с пирамидами. Выявлено, что с увеличением содержания Ge в слое Si1-xGex более10% в широкой полосе фотолюминесценции от островков появляются два отдельных пика, которые связываются с бесфононным и фононным оптическими переходами в островках. Их появление вызвано изменением типа TO-фотона, участвующего в оптической рекомбинации, с TOGe-Ge-фонона на более коротковолновый TOSi-Ge-фонон. PACS: 78.67.Hc, 78.55.Hx, 81.07.Ta
Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Шалеев М.В., Яблонский А.Н. Особенности фотолюминесценции самоформирующихся островков Ge(Si)/Si (001), выращенных на напряженном слое Si1-xGex // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 343

Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследована эмиссия электронов из состояний в системе вертикально-сопряженных квантовых точек InAs в p-n-гетероструктурах InAs/GaAs в зависимости от толщины прослойки GaAs между двумя слоями квантовых точек InAs и от величины напряжения обратного смещения. Установлено, что полупроводниковая гетероструктура InAs/GaAs с толщиной прослойки GaAs 100 Angstrem проявляет себя как система несвязанных квантовых точек. Эти структуры имеют в спектрах DLTS два пика, которые определяются основным и возбужденным состояниями одиночной квантовой точки с уровнями энергии, проявляющими слабое смещение Штарка (1-2 мэВ). Для гетероструктуры InAs/GaAs с двумя слоями квантовых точек InAs, разделенных прослойкой GaAs толщиной 40 Angstrem, определено, что они находятся в фазе молекул. Гибридизация электронных состояний двух близко расположенных квантовых точек приводит к расщеплению уровней на связанные и антисвязанные, основные и возбужденные состояния электронов, 1s+, 1s-, 2p+, 2p-, 3d+, которые отображаются в спектрах DLTS в виде 5пиков. Для этих квантовых состояний наблюдалось как сильное смещение Штарка уровней энергии (10-40 мэВ), так и пересечение (crossing) зависимостей энергий от величины электрического поля. Исследуемые структуры с вертикально-сопряженными квантовыми точками выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием эффектов самоорганизации. PACS: 73.21.Lc
Соболев М.М., Жуков А.Е., Васильев А.П., Семенова Е.С., Михрин В.С., Цырлин Г.Э., Мусихин Ю.Г. Связывание состояний электронов вмолекуле квантовых точекInAs/GaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 336

Экспериментально исследована фоточувствительность многослойных гетероструктур типа p-Cu1.8S/n--AIIBVI/ n-AIIBVI за краем фундаментального поглощения широкозонной составляющей и предложена простая модель для ее объяснения. Установлено, что эффективным методом снижения чувствительности структур за пределами ультрафиолетового диапазона является уменьшение вероятности доминирующих туннельных процессов путем увеличения толщины широкозонного слоя, приводящего к образованию блокирующего барьера для фотогенерированных неосновных носителей. Показана перспективность гетероструктур p-Cu1.8S/n--ZnS/n-CdSe для создания эффективных \glqq солнечно-слепых\grqq сенсоров ультрафиолетового излучения. PACS: 73.50.Pz, 73.40.Lq
Комащенко В.Н., Колежук К.В., Ярошенко Н.В., Шереметова Г.И., Бобренко Ю.Н. Спектральная чувствительность гетероструктур p-Cu1.8S/n--ZnS/n-A IIB VI // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 332

Методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии (300-400oC) выращены пленки GexSi1-x / Si (001) постоянного состава с x=0.19-0.32, а также двухступенчатые гетероструктуры с долей Ge в верхней ступени до 0.41. Спомощью просвечивающей электронной микроскопии показано, что основной причиной повышения плотности пронизывающих дислокаций с ростом доли Ge в пластически релаксированных пленках является зарождение дислокационных полупетель с поверхности, обусловленное в свою очередь образованием трехмерного рельефа на поверхности растущей или отжигаемой пленки. PACS: 81.05.Cy, 81.15.Hi, 68.55.Ac, 68.55.Jk
Болховитянов Ю.Б., Дерябин А.С., Гутаковский А.К., Ревенко М.А., Соколов Л.В. Озарождении дислокаций несоответствия споверхности привыращивании пленок GeSi / Si (001) методом низкотемпературной (300-400o C) молекулярной эпитаксии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 324

Методом фотоэлектрической спектроскопии на барьерах полупроводника с металлом и электролитом исследовано образование дефектов в приконтактной области GaAs иSi при осажденииPd на поверхность. Показано, что возникающий в результате химического взаимодействияPd с полупроводником при 100oC слой дефектов с глубокими уровнями простирается на глубину ~0.4 мкм в GaAs и ~1 мкм вSi. Если в приконтактной области GaAs встроены один или несколько напряженных слоев квантовых ям InGaAs, то дефекты практически не проникают дальше первой квантовой ямы. Это позволяет уменьшить глубину дефектного слоя, но при этом значительно увеличивается объемная концентрация дефектов в этом слое. PACS: 72.40.+w, 73.40.Mr, 73.40.Ns, 73.20.Hb
Карпович И.А., Тихов С.В., Шоболов Е.Л., Андрющенко И.А. Образование дефектов вGaAs иSi приосажденииPd наповерхность // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 319

Проведены расчеты вольт-амперных характеристик обратно смещенной МОП структуры Al/SiO2/n-Si с учетом неоднородности распределения толщины окисла по площади при номинальной толщине 1--3 нм. Известно, что в определенном диапазоне средних толщин SiO2 характеристики имеют S-образную форму, свидетельствуя о бистабильности прибора. Предсказан сдвиг напряжений удержания и включения, связанный с наличием статистического разброса толщины. Под действием электрического стресса среднеквадратичное отклонение толщины SiO2 увеличивается; это приводит к сдвигу напряжений переключения в сторону больших значений. Расчеты дополнены экспериментальными данными. PACS: 73.40.Qv
Тягинов С.Э., Векслер М.И., Шулекин А.Ф., Грехов И.В. Влияние неоднородности толщины диэлектрика напереключение туннельной МОП структуры Al/SiO2/n-Si приобратном смещении // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 314

Рассмотрена модель электропроводности поликристаллической кремниевой пленки p-типа с учетом растекания тока в кристаллитах. Модель позволяет непротиворечиво и удовлетворительно описать экспериментальные результаты по электропроводности и эффекту пьезосопротивления в поликремнии p-типа до и после импульсного токового отжига. Сделан вывод о том, что площади электрических контактов между кристаллитами близки к геометрическим площадям между ними, тем не менее плотность тока в кристаллитах неоднородна. PACS: 72.20.Fr, 72.80.Cw
Любимский В.М. Модель проводимости поликристаллического кремния p-типа, учитывающая растекание тока вкристаллитах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 307