Проведено исследование влияния дополнительной имплантации ионов водорода в область границы раздела между отсеченным слоем кремния и скрытым диэлектриком структур кремний-на-изоляторе с последующим высокотемпературным отжигом на параметры структур и их радиационные свойства. Такая модификация структур кремний-на-изоляторе приводит к следующим эффектам. Происходит закрепление подвижного заряда, присутствующего в окисле исходных структур, что стабилизирует характеристики структур кремний-на-изоляторе, при одновременном увеличении фиксированного заряда вблизи границы с отсеченным слоем кремния. Кроме того, в окисле вводятся дополнительные ловушки, преимущественно ловушки для электронов, которые при облучении накапливают отрицательный заряд. Врезультате заряд в окисле структур кремний-на-изоляторе несколько убывает на начальном этапе облучения, а затем практически не меняется до доз107 рад. На второй границе структуры при облучении идет обычное накопление положительного заряда, которое характерно и для исходных, немодифицированных структур кремний-на-изоляторе.
Антонова И.В. Стабилизация заряда награнице соскрытым диэлектриком структур кремний-на-изоляторе // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1195

Рассмотрены проблемы формирования потенциальных барьеров в нелегированных неупорядоченных полупроводниках. На примере контакта металл--аморфный гидрогенизированный кремний рассмотрена обобщенная модель формирования потенциальных барьеров в таких структурах. Показано, что свойства барьеров в неупорядоченных полупроводниках определяются характером распределения по энергии локализованных состояний в щели подвижности. Это позволило получить аналитическое выражение для электрического поля и потенциала в области пространственного заряда неупорядоченного полупроводника и предложить новый способ формирования поверхностных квазиомических контактов.
Вишняков Н.В., Вихров С.П., Мишустин В.Г., Авачев А.П., Уточкин И.Г., Попов А.А. Формирование потенциальных барьеров внелегированных неупорядоченных полупроводниках // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1189

Экспериментально определены параметры решетки, ширина запрещенной зоны для структур Si--Si1-xGex в зависимости от соотношения химических компонентовx (0=<q x=<q 1). Исследованы распределение компонентов по толщине твердых растворов Si1-xGex и некоторые фотоэлектрические свойства. Экспериментальные данные указывают на совершенство полученных структур. Варизонные твердые растворы Si1-xGex (0=<q x=<q 1) могут быть применены для изготовления фотоэлектрических приборов, чувствительных к излучению в видимой и ближней инфракрасной областях, а также использоваться как подложечный материал для выращивания на нем GaAs и его твердых растворов.
Сапаев Б., Саидов А.С. Исследование некоторых свойств структур Si--Si1-xGex (0=&lt;q x=&lt;q 1), выращенных из ограниченного оловянного раствора--расплава методом жидкофазной эпитаксии // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1183

Методика измерений статической магнитной восприимчивости используется для изучения процессов локального магнитоупорядочения в кристаллах AIIIBV, содержащих примеси редких земель. Температурные и полевые зависимости статической магнитной восприимчивости демонстрируют слабый парамагнетизм при высоких температурах вследствие наличия в кристаллах AIIIBV(Ln) квазимолекулярных центров типа Ln2O3, внутри которых пары ионов Ln3+ антиферроупорядочены посредством обменного взаимодействия через валентные электроны кислорода. При низких температурах ключевую роль играет локализация электронов на мелких донорах, которая приводит через s-\kern-0.5ptf-обмен либо к парамагнетизму исследуемых кристаллов вследствие трансформации квазимолекул Ln2O3 из антиферро- в ферроупорядоченное состояние, либо к их суперпарамагнетизму в результате образования связанных спин-поляронов. Причем значения констант s-\kern-0.5ptf-обмена, определенные из температурных зависимостей статической магнитной восприимчивости, аномально велики, что, по-видимому, обусловлено эффективной компенсацией спиновых корреляций электрон-колебательным взаимодействием.
Баграев Н.Т., Романов В.В. Магнетизм кристаллов A IIIB V, легированных редкими землями // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1173

При T=82 и300 K в области межзонных переходов исследована электролюминесценция в Si--Ge-диодах при концентрации Ge в твердом растворе5.2%. Анализ спектров излучения, линейный характер зависимостей интенсивности электролюминесценции от тока, ее экспоненциальный спад указывают на экситонный механизм излучательной рекомбинации для излучательных переходов как с участием, так и без участия фононов.
Емельянов А.М., Соболев Н.А., Мельникова Т.М., Абросимов Н.В. Механизм излучательной рекомбинации втвердых растворах Si--Ge вобласти межзонных переходов // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1170

В образцах кристаллического кремния, анизотропия проводимости в которых создана одноосной деформацией сжатия, исследован плеохроизм вентильной фотоэдс. Использована поляризационная модуляция излучения, при которой возбуждение образца происходит линейно поляризованным светом с периодически изменяющимися относительно оптической оси поляризациями. Полученные таким образом спектральные характеристики представляют зависящую от коэффициента поглощения света поляризационную разность величин фотоэдс. Обнаружена сильная зависимость формы полученных спектров от типа p-n-переходов, отличающихся параметрами базы и технологическими способами получения эмиттеров. При анализе спектров показано, что условие физического дифференцирования по коэффициенту поглощения выполняется только в p-n-переходах с пренебрежимо малым значением толщины пространственного заряда.
Бережинский Л.И., Венгер Е.Ф., Матяш И.Е., Саченко А.В., Сердега Б.К. Особенности физического дифференцирования по коэффициенту поглощения света в спектрах вентильной фотоэдс // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1164

Исследовано магнитосопротивление слабо легированного сплава Ge1-xSix p-типа в области составов x=1-2 ат% и проведено сравнение с данными для слабо легированного p-Ge. Исследования проводились с помощью техники электронного парамагнитного резонанса на частоте 10 ГГц при температурах в диапазоне 10--120 K. Установлено, что наличие микронеоднородностей (кластеров) Si в решетке Ge подавляет интерференционную часть аномального магнитосопротивления, а также приводит к усреднению эффектов от легких и тяжелых дырок. Такое изменение свидетельствует о резком уменьшении времени неупругого рассеяния при переходе от Ge к твердому раствору Ge1-xSix.
Вейнгер А.И., Забродский А.Г., Тиснек Т.В. Низкотемпературное микроволновое магнитосопротивление слабо легированных p-Ge и сплава p-Ge1-xSix // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1159

Исследована термодинамика стабильности твердых растворов Cd1-xHgxTe, MnxHg1-xTe иZnxHg1-xTe. Расчеты, проведенные в модели \glqqdelta-параметра решетки\grqq, указывают на стабильность твердых растворов CdHgTe иZnHgTe во всем диапазоне концентраций компонент при типичных температурах выращивания. Втоже время вMnHgTe обнаружена область несмешивания 0.33
Дейбук В.Г., Дремлюженко С.Г., Остапов С.Э. Термодинамическая устойчивость объемных иэпитаксиальных твердых растворов CdHgTe, ZnHgTe, MnHgTe // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1153

Предложена комбинированная модель резонансно-туннельного диода, основанная на полуклассическом и квантово-механическом (формализм волновых функций) подходах. Вней учтены, кроме ряда факторов, важные свойства гетерограниц прибора, в частности форма разрыва зон и поверхностный заряд. Показано, что с помощью модели может быть получено удовлетворительное согласование с экспериментом при расчете вольт-амперных характеристик диода. При этом пиковые напряжения определяются с хорошей точностью только при учете сопротивлений протяженных пассивных областей и поверхностного заряда на гетерограницах.
Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Коломейцева Н.В. Комбинированная модель резонансно-туннельного диода // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1138

Предложена гипотеза, позволяющая по-новому объяснить влияние дисклокций на электролюминесценцию кремниевых диодов. Ее сущность заключается в учете пространственной корреляции между инжектированными электронами и дырками, которые рекомбинируют внутри дислокаций. Проанализировано два случая. Впервом случае результирующий ток определяется туннелированием электронов и дырок по дислокациям с последующей рекомбинацией в условиях неполного спрямления барьера. Показано, что в этом случае электролюминесценция имеет некраевой характер, а энергия максимума полосы электролюминесценции смещается в коротковолновую область с понижением температуры и увеличением приложенного напряжения. Вовтором случае в полном токе доминирует диффузионная составляющая, излучательная рекомбинация происходит в квазинейтральных областях, а электролюминесценция имеет краевой характер. Показано, что предлагаемый механизм может привести к увеличению интенсивности электролюминесценции и ее квантовой эффективности в кремниевых диодах с дислокациями, если время жизни Шокли--Рида--Холла не превышает10-3 c.
Саченко А.В., Крюченко Ю.В. Омеханизме электролюминесценции вкремниевых диодах сбольшой концентрацией дислокаций // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1132