Исследованы спектры экситонной и внутрицентровой 3d-люминесценции ионовMn2+ всерии структур Zn1-xMnxTe/Zn0.59Mg0.41Te с различной концентрацией марганца и шириной квантовых ям(КЯ). Показано, что относительные интенсивности излучения экситонов квантовых ям и барьера и их зависимость от уровня оптического возбуждения определяется в основном концентрацией марганца вКЯ, от которой зависит эффективность переноса экситонного возбуждения в3d-оболочкуMn2+. Исследовано влияние ширины КЯ и концентрации марганца на кинетику затухания внутрицентровой люминесценцииMn2+. PACS: 78.67.De, 71.35.Gg
Агекян В.Ф., Васильев Н.Н., Серов А.Ю., Степанов Ю.А., Тазаев У.В., Философов Н.Г., Karczewski G. Излучательная рекомбинация в структурах сквантовыми ямами Zn1-xMnxTe/Zn0.59Mg0.41Te--- экситонная ивнутрицентровая люминесценция // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 70

Изучено влияние gamma-облучения (60Co) на фоточувствительность гетеропереходов ZnO / CuIn3Se5. Установлено, что спектральная зависимость эффективности фотопреобразования сохраняется при облучении гетеропереходов потоками до 2·1019 квант / см2. Изучены зависимости фотонапряжения холостого хода и тока короткого замыкания от потока gamma-квантов. Показано, что при потоках Phi1017 квант / см2 фототок проявляет монотонный спад, а фотонапряжение имеет максимум, после которого возвращается к исходному значению. Обнаружена возможность использования гетеропереходов ZnO / CuIn3Se5 в условиях повышенного радиационного фона. PACS: 78.66.-w, 78.66.Li, 72.40.+w, 73.50.Pz
Байрамов Б.Х., Боднарь И.В., Емцев В.В., Полоскин Д.С., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Якушев М.В. Исследование влияния gamma -облучения нафоточувствительность гетеропереходов ZnO / CuIn3Se5 // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 67

Исследовано влияние обработки в интенсивном потоке атомарного водорода на степень дефектности приповерхностных слоев монокристаллического кремния. Показано, что формирование локальных областей плавления импульсным световым нагревом образцовSi и последующий анализ картины локального плавления может служить эффективным инструментом контроля количества дефектов, привносимых обработкой в атомарном водороде. Установлено, что режим обработки ватомарном водороде с экспозиционной дозой менее2.7·1017 см-2 не приводит к изменению количества дефектов вSi, и наоборот, режим с экспозиционной дозой более3.6·1018 см-2 существенно увеличивает концентрацию дефектов. Возможной причиной роста количества дефектов может быть взаимодействие атомарного водорода с поверхностьюSi. PACS: 68.35.Bs, 82.30.Wt
Захаров М.В., Кагадей В.А., Львова Т.Н., Нефедцев Е.В., Оскомов К.В., Проскуровский Д.И., Романенко С.В., Фаттахов Я.В., Хайбуллин И.Б. Влияние обработки кремния в атомарном водороде наобразование локальных областей плавления приимпульсном световом облучении // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 61

Приведены результаты исследований электрофизических свойств тонких пленок SnO2, полученных методом реактивного магнетронного напыления. Исследована кристаллизация пленок под действием интенсивного некогерентного импульсного светового излучения с помощью промышленной установки УОЛ.П-1. Показано, что кратковременный импульсный отжиг в течение долей секунды приводит к кристаллизации пленки и высоким значениям ее газовой чувствительности. Установлено, что характер взаимодействия с газами поликристаллической пленки, обработанной изотермически, аналогичен особенностям взаимодействия газов с пленками, кристаллизованными импульсным отжигом. PACS: 81.40.Tv, 81.40.Wx, 61.80.Ba
Рембеза С.И., Рембеза Е.С., Свистова Т.В., Борсякова О.И. Физические свойства пленок SnO2, обработанных некогерентным импульсным излучением // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 57

На основе исследований структурных и фотоэлектрических свойств варизонных гетеросистем CdTe / CdHgTe установлено, что металлургическая граница материалов, располагающаяся в толще структуры, обогащена структурными дефектами и характеризуется повышенным темпом рекомбинации. Это является причиной потери фоточувствительности в средневолновом инфракрасном диапазоне широкополосных спектров фотопроводимости таких гетеросистем. При малых толщинах эпитаксиального слоя (
Власенко А.И., Власенко З.К. Особенности спектров фотопроводимости эпитаксиальных варизонных гетеросистем CdTe / CdHgTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 52

На основе различных физико-химических моделей проведен анализ поверхностных концентраций продуктов распада моносилана на поверхности кремниевой пластины. Выполненные расчеты позволили оценить коэффициент кристаллизации и его зависимость от температуры и от давления газа в реакторе. Показано, что качественный характер зависимостей поверхностных концентраций и коэффициента кристаллизации от температуры слабо зависит от конкретного выбора радикала SiHn, лимитирующего процесс пиролиза по времени. Общий вид изучаемых зависимостей слабо чувствителен также к тому, на какой стадии удаляется водород с поверхности. Вто же время количественные характеристики поверхностных концентраций в значительной степени зависят от выбора конкретного пути распада силана на поверхности. Вработе проанализированы зависимости коэффициента кристаллизации атомов кремния на поверхности роста от температуры эпитаксиального процесса, давления газов в реакторе и частоты распада молекул силана на поверхности. Показано, что если при повышенных температурах роста скорость наращивания пленки чувствительна к величине скорости пиролиза молекул, то при низкой температуре роста только заполнение поверхности водородом является единственным фактором, определяющим скорость эпитаксиального процесса. PACS: 82.30.Fi, 82.20.Wt, 68.35.Bs
Орлов Л.К., Смыслова Т.Н. Сопоставительный анализ моделей кинетики распада молекул силана наповерхности приэпитаксиальном росте пленок кремния ввакууме // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 45

Узкозонные полупроводниковые сплавы II--VI и IV--VI являются удобным объектом для исследования электрон-фононного взаимодействия. Однако в сплавах IV--VI концентрация свободных носителей достаточно высока (~1018 см-3), что затрудняет изучение этого эффекта методом оптического отражения. Концентрация свободных носителей в узкозонных твердых растворах Hg1-xZnxTe значительно меньше (~1016 см-3), поэтому плазменная составляющая оказывает меньшее влияние на спектр решеточного отражения. Спектры отражения кристаллов Hg1-xZnxTe с x=0.1-1 исследовались в далекой инфракрасной области в диапазоне 30-700 см-1 в интервале температур 40-300 K. Спомощью дисперсионного анализа и анализа Крамерса--Кронига определены частоты TO-фононов HgTe- и ZnTe-подобных мод в зависимости от состава. Показано, что перестройка фононного спектра имеет двухмодовый характер. Вузкозонном сплаве с x=0.1 измерены температурные зависимости частот TO-фононов и параметра затухания в интервале температур 80-200 K. Впервые оптическими методами обнаружено уменьшение частоты TO-фонона мягкой моды вблизи точки инверсии зон при T=110 K. Параметр затухания несколько возрастает в окрестности этой температуры. Полученные результаты качественно согласуются с теоретической моделью Кавамуры и др., учитывающей влияние электрон-фононного взаимодействия на частоту мягкой моды в соединениях IV--VI. PACS: 63.20.-e, 63.20.Dj, 63.20.Mt
Водопьянов Л.К., Кучеренко И.В., Марчелли А., Бураттини Е., Пиччинини М., Честелли Гауди М., Трибуле Р. Влияние инверсии зон нафононные спектры твердых растворов Hg1-xZnxTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 41

Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе151Eu показано, что центры европия в катионной подрешеткеPbS являются электрически активной примесью: в электронных образцах спектры соответствуют нейтральным донорным центрам(Eu2+), тогда как в дырочных образцах спектры соответствуют ионизованному состоянию этого центра(Eu3+). Для частично компенсированного материала наблюдался процесс быстрого электронного обмена между нейтральными и ионизованными центрами. PACS: 76.80.+y, 71.55.Ht, 61.72.Yx
Хужакулов Э.С. Мессбауэровское исследование донорных центров европия вPbS // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 38

Представлены результаты исследований температурных и частотных зависимостей диэлектрической проницаемости поликристаллического сульфида цинка. Произведен теоретический расчет диэлектрической проницаемости по параметрам электронной структуры. Показано, что увеличение диэлектрической проницаемости в области частот ниже10 кГц происходит из-за объемнозарядовой поляризации, которая обусловлена наличием заряженных дислокаций в межслоевых и межзеренных границах. PACS: 78.20.Ci, 77.22.Ej, 77.22.Gm
Шеваренков Д.Н., Щуров А.Ф. Диэлектрические свойства поликристаллическогоZnS // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 35

Проведено комплексное экспериментальное и теоретическое исследование термоэлектрической эффективности полупроводникового силицида рутения Ru2Si3. Монокристаллические образцы чистого и легированного марганцем Ru2Si3 были получены методом зонной плавки с применением оптического нагрева. Температурные зависимости удельного сопротивления, коэффициента Холла, коэффициента Зеебека и теплопроводности измерены в интервале 100-900 K. Для кристаллов Ru2Si3, легированных марганцем, коэффициент Зеебека является положительным во всем исследованном температурном диапазоне и достигает своего максимального значения 400 мкВ / K приблизительно при 500 K. Значение коэффициента Зеебека для этих кристаллов при комнатной температуре составляет 300 мкВ / K, что в 2раза превышает величину для нелегированного материала. Теоретическое исследование транспортных и термоэлектрических свойств включает расчет зонной структуры из первых принципов, оценку эффективных масс носителей заряда, моделирование подвижности электронов и дырок с учетом классических механизмов рассеивания, расчет коэффициента Зеебека и термоэлектрической эффективностиZT. Полученные результаты теоретического моделирования находятся в хорошем качественном и количественном соответствии с экспериментальными данными. PACS: 72.20.Pa, 71.20.Nr, 72.20.Je
Кривошеев А.Е., Иваненко Л.И., Филонов А.Б., Шапошников В.Л., Бер Г., Шуманн И., Борисенко В.Е. Термоэлектрическая эффективность монокристаллов полупроводникового силицида рутения // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 29