Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: более 1000, для научной тематики: Полупроводники

251.

Особенности формирования островков Ge(Si) на релаксированных буферных слоях Si1-xGex/Si (001)     

Востоков Н.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Кузнецов О.А., Лобанов Д.Н, Новиков А.В., Шалеев М.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Представлены результаты исследования роста самоформирующихся островковGe(Si), выращенных на релаксированных буферных слоях Si1-xGex/Si (001) (x~25%) с малой шероховатостью поверхности. Показано, что рост самоформирующихся островков на буферных слоях SiGe качественно аналогичен росту остр...
252.

Зонная структура испектр фотолюминесценции сверхрешетки Ge0.8Si0.2/Ge0.1Si0.9 свертикально совмещенными квантовыми точками     

Сибирев Н.В., Талалаев В.Г., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Захаров Н.Д., Werner P. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Проведен теоретический анализ энергетической зонной диаграммы многослойных гетероструктур Ge0.8Si0.2/Ge0.1Si0.9 с вертикально совмещенными квантовыми точками. Сучетом флуктуаций толщины слоев в колонках квантовых точек и экситон-фононного взаимодействия показано, что электронные состояния формиру...
253.

Поглощение и рассеяние света на одночастичных состояниях носителей заряда вполупроводниковых квантовых точках     

Покутний С.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Развита теория взаимодействия электромагнитного поля с одночастичными состояниями носителей заряда, возникающими в полупроводниковой квантовой точке. Показано, что силы осцилляторов перехода, а также дипольные моменты переходов для одночастичных состояний в квантовой точке принимают большие значе...
254.

Замороженная инфракрасная фотопроводимость вструктурах InAs/GaAs сослоями квантовых точек     

Кульбачинский В.А., Рогозин В.А., Кытин В.Г., Лунин Р.А., Звонков Б.Н., Дашевский З.М., Касиян В.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследована замороженная инфракрасная фотопроводимость в структурах p- и n-типа проводимости InAs/GaAs со слоями квантовых точек. Затухание фотопроводимости в начальном временном интервале после выключения подсветки происходит по логарифмическому закону. Характерное время релаксации зависит от те...
255.

Модификация квантовых точек внаноструктурах Ge/Si импульсным лазерным облучением     

Володин В.А., Якимов А.И., Двуреченский А.В., Ефремов М.Д., Никифоров А.И., Гацкевич Е.И., Ивлев Г.Д., Михалев Г.Ю. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Цель исследования заключалась в разработке метода модификации структуры квантовых точек в наноструктурах Ge/Si с применением импульсного лазерного излучения. Изменение структуры квантовых точек GexSi1-x анализировалось по данным спектроскопии комбинационного рассеяния света. Методом спектроскопии...
256.

Свойства поверхности CuInS2 ивлияние на них органических слоев     

Вербицкий А.Б., Верцимаха Я.И., Луцик П.Н., Студзинский С.Л., Березнев С., Койс Ю. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Работа посвящена изучению свойств поверхностиCuInS2(CIS) ивлияния на них тонких органических слоев. Исследованные слои CIS обладают фоточувствительностью в области 1.5-3.0 эВ. Квадратичная аппроксимация длинноволнового края спектральной зависимости фотоэдс дает значение ширины запрещенной зоны Eg...
257.

Проявление туннельной проводимости тонкого подзатворного изолятора вкинетике генерации неосновных носителей заряда вструктурах металл--диэлектрик--полупроводник     

Ждан А.Г., Чучева Г.В., Гольдман Е.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Кинетика тока генерации неосновных носителей заряда I(t) в структурах Al--n+-Si--SiO2--n-Si с туннельно проницаемым окислом обнаруживает необычный вид. При обедняющих потенциалах затвора Vg...
258.

Методы легирования слоев кремния впроцессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии     

Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шенгуров Д.В., Денисов С.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si (100) выращены эпитаксиальные слои Si, легированные различными примесями. Легирование фосфором слоев было проконтролировано в диапазоне концентраций электронов от 2· 1013 до 1019 см-3. Высокая концентрация легирующей примес...
259.

Динамика перезарядки дефектов в крупноблочных пленках p-CdTe     

Исмаилов Х.Х., Жанабергенов Ж., Мирсагатов Ш.А., Каражанов С.Ж. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследована вольт-фарадная характеристика МОП структуры на основе крупноблочной пленки p-CdTe. Немонотонная зависимость объясняется перезарядкой глубоких акцепторных уровней на границе полупроводник--окисел и изменением степени компенсации поверхностных состояний. PACS: 71.20.Nr, 73.40.Qv ...
260.

Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний / монокристаллический кремний     

Евтух А.А., Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Семененко Н.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Получены электролюминесцентные, излучающие в видимой области спектра, структуры на основе пористого кремния (por-Si), сформированного на подложке p-Si электролитически с использованием внутреннего источника тока. Изучены фото- и электролюминесцентные свойства, вольт-амперные и вольт-фарадные хара...