Представлены результаты исследования роста самоформирующихся островковGe(Si), выращенных на релаксированных буферных слоях Si1-xGex/Si (001) (x~25%) с малой шероховатостью поверхности. Показано, что рост самоформирующихся островков на буферных слоях SiGe качественно аналогичен росту островков на Si (001). Обнаружено, что изменение морфологии поверхности (переход от dome- к hut-островкам) в случае роста островков на релаксированных буферных слоях SiGe происходит при большей температуре, чем для островков Ge(Si)/Si (001). Причинами этого могут быть как меньшее рассогласование кристаллических решеток островка и буферного слоя, так и несколько большая поверхностная плотность островков при их росте на буфереSiGe. PACS: 68.65.Hb, 68.55.Ac, 68.55.Jk
Востоков Н.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Кузнецов О.А., Лобанов Д.Н, Новиков А.В., Шалеев М.В. Особенности формирования островков Ge(Si) на релаксированных буферных слоях Si1-xGex/Si (001) // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 235

Проведен теоретический анализ энергетической зонной диаграммы многослойных гетероструктур Ge0.8Si0.2/Ge0.1Si0.9 с вертикально совмещенными квантовыми точками. Сучетом флуктуаций толщины слоев в колонках квантовых точек и экситон-фононного взаимодействия показано, что электронные состояния формируют минизону. Дырочные волновые функции остаются локализованными в квантовых точках. Спектр оптических переходов в 20-слойной структуре, рассчитанный для комнатной температуры, хорошо согласуется с экспериментально измеренным спектром фотолюминесценции, показывающим интенсивную полосу вблизи1.6 мкм. Теоретически и экспериментально установлен характерный признак существования минизоны в сверхрешетке--- интегралы перекрытия электронных и дырочных волновых функций и интегральная интенсивность фотолюминесценции полосы квантовых точек Ge описываются квадратичной зависимостью от количества периодов структуры. PACS: 68.65.-k, 71.83.-k, 73.21.-b, 73.63.Kv
Сибирев Н.В., Талалаев В.Г., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Захаров Н.Д., Werner P. Зонная структура испектр фотолюминесценции сверхрешетки Ge0.8Si0.2/Ge0.1Si0.9 свертикально совмещенными квантовыми точками // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 230

Развита теория взаимодействия электромагнитного поля с одночастичными состояниями носителей заряда, возникающими в полупроводниковой квантовой точке. Показано, что силы осцилляторов перехода, а также дипольные моменты переходов для одночастичных состояний в квантовой точке принимают большие значения, превосходящие типичные значения соответствующих величин для полупроводниковых материалов. Врамках дипольного приближения установлено, что большие значения сечений поглощения света, а также оптического коэффициента ослабления света в изучаемых квазинульмерных системах дают возможность использовать такие системы в качестве новых сильно поглощающих материалов. PACS: 78.67.Hc, 73.30.Ly, 78.20.Dj
Покутний С.И. Поглощение и рассеяние света на одночастичных состояниях носителей заряда вполупроводниковых квантовых точках // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 223

Исследована замороженная инфракрасная фотопроводимость в структурах p- и n-типа проводимости InAs/GaAs со слоями квантовых точек. Затухание фотопроводимости в начальном временном интервале после выключения подсветки происходит по логарифмическому закону. Характерное время релаксации зависит от температуры, уменьшаясь с ростом температуры. Предложена простая модель релаксации фотопроводимости, основанная на термической активации носителей заряда из слоя квантовых точек, согласующаяся с экспериментальными данными. PACS: 73.63.Kv, 73.21.La
Кульбачинский В.А., Рогозин В.А., Кытин В.Г., Лунин Р.А., Звонков Б.Н., Дашевский З.М., Касиян В.А. Замороженная инфракрасная фотопроводимость вструктурах InAs/GaAs сослоями квантовых точек // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 215

Цель исследования заключалась в разработке метода модификации структуры квантовых точек в наноструктурах Ge/Si с применением импульсного лазерного излучения. Изменение структуры квантовых точек GexSi1-x анализировалось по данным спектроскопии комбинационного рассеяния света. Методом спектроскопии комплексной проводимости исследован энергетический спектр дырок в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками GexSi1-x до и после импульсного лазерного воздействия. Полученные экспериментальные данные свидетельствуют о том, что лазерная обработка позволяет уменьшить слоевую плотность квантовых точек, изменить их состав и увеличить средний размер. Наиболее важным результатом является обнаруженный эффект увеличения однородности параметров квантовых точек в результате наносекундного лазерного воздействия. Так, обработка образца со средним латеральным размером квантовых точек 8 нм (6монослоевGe) десятью лазерными импульсами приводит к двукратному уменьшению дисперсии энергетических уровней дырок в массиве квантовых точек. PACS: 63.22.+m, 66.10.Cb, 81.15.Hi
Володин В.А., Якимов А.И., Двуреченский А.В., Ефремов М.Д., Никифоров А.И., Гацкевич Е.И., Ивлев Г.Д., Михалев Г.Ю. Модификация квантовых точек внаноструктурах Ge/Si импульсным лазерным облучением // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 207

Работа посвящена изучению свойств поверхностиCuInS2(CIS) ивлияния на них тонких органических слоев. Исследованные слои CIS обладают фоточувствительностью в области 1.5-3.0 эВ. Квадратичная аппроксимация длинноволнового края спектральной зависимости фотоэдс дает значение ширины запрещенной зоны Eg=1.46±0.02 эВ. Показано, что основной вклад в формирование барьера у свободной поверхности CIS дают акцепторные уровни, расположеные на~0.1 и~0.2 эВ выше потолка валентной зоныCIS. При нанесении полимерного слоя на свободную поверхность CIS одновременно происходит небольшое уменьшение высоты потенциального барьера и увеличение эффективности переноса носителей заряда, а при нанесении на свободную поверхностьCIS органического полупроводника p-типа происходит частичная нейтрализация центров захвата и уменьшение скорости рекомбинации носителей заряда у поверхности пленкиCIS. PACS: 42.70.Fk, 78.66.Qn, 79.60.Fr
Вербицкий А.Б., Верцимаха Я.И., Луцик П.Н., Студзинский С.Л., Березнев С., Койс Ю. Свойства поверхности CuInS2 ивлияние на них органических слоев // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 202

Кинетика тока генерации неосновных носителей заряда I(t) в структурах Al--n+-Si--SiO2--n-Si с туннельно проницаемым окислом обнаруживает необычный вид. При обедняющих потенциалах затвора Vg
Ждан А.Г., Чучева Г.В., Гольдман Е.И. Проявление туннельной проводимости тонкого подзатворного изолятора вкинетике генерации неосновных носителей заряда вструктурах металл--диэлектрик--полупроводник // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 195

Методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si (100) выращены эпитаксиальные слои Si, легированные различными примесями. Легирование фосфором слоев было проконтролировано в диапазоне концентраций электронов от 2· 1013 до 1019 см-3. Высокая концентрация легирующей примеси (~ 1020 см-3) была получена при использовании испарения из частично расплавленных кремниевых источников. Возможность управления сортом и концентрацией примеси в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии продемонстрирована при выращивании многослойных структур типа p+-n+. PACS: 68.55.Bs, 81.40.Rs, 81.40.Tv
Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шенгуров Д.В., Денисов С.А. Методы легирования слоев кремния впроцессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 188

Исследована вольт-фарадная характеристика МОП структуры на основе крупноблочной пленки p-CdTe. Немонотонная зависимость объясняется перезарядкой глубоких акцепторных уровней на границе полупроводник--окисел и изменением степени компенсации поверхностных состояний. PACS: 71.20.Nr, 73.40.Qv
Исмаилов Х.Х., Жанабергенов Ж., Мирсагатов Ш.А., Каражанов С.Ж. Динамика перезарядки дефектов в крупноблочных пленках p-CdTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 185

Получены электролюминесцентные, излучающие в видимой области спектра, структуры на основе пористого кремния (por-Si), сформированного на подложке p-Si электролитически с использованием внутреннего источника тока. Изучены фото- и электролюминесцентные свойства, вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики. Электролюминесценция наблюдается только при прямом смещении, механизм электролюминесценции--- инжекционный, связан с излучательной рекомбинацией электронов и дырок в квантово-размерных нанокристалахSi. Инжекция дырок определяется режимом их аккумуляции в области пространственного заряда p-Si, невысокой концентрацией электронных состояний на границе por-Si/p-Si. Токопрохождение в por-Si обусловлено прямым туннелированием носителей между квантовыми уровнями, что обеспечивается значительным числом квантово-размерных нанокристалловSi. Токи утечки малы благодаря малой дисперсии размеров нанокристалловSi, отсутствию крупных нанокристаллов. PACS: 73.40.Kp, 78.60.Fi
Евтух А.А., Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Семененко Н.А. Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний / монокристаллический кремний // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 180