Проведено экспериментальное исследование кинетики низкотемпературной фотолюминесценции сверхрешеток второго рода GaAs/AlAs под действием электрического поля поверхностной акустической волны. Обнаружено, что приложение электрического поля приводит к ускорению кинетики фотолюминесценции свободных и локализованных экситонов и фононных повторений, не зависящему от длительности импульса прикладываемого электрического поля. Анализ экспериментальных зависимостей показал, что ускорение кинетики фотолюминесценции связано с транспортом экситонов к центрам безызлучательной рекомбинации, инициированным взаимодействием экситонов с горячими свободными носителями заряда, выброшенными с локализованных состояний. PACS: 61.82.Fk, 68.65.Cd, 73.50.Gr
Гуляев Д.В., Журавлев К.С. Механизм воздействия электрического поля поверхностной акустической волны накинетику низкотемпературной фотолюминесценции сверхрешеток второго родаGaAs/AlAs // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 211

Исследована фотолюминесценция многослойных структур с квантовыми точками InAs, выращенными в p-n-переходе в GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Образование вертикальных колонок квантовых точек подтвреждено данными просвечивающей электронной микроскопии. Показано, что естественное увеличение от слоя к слою размеров квантовых точек приводит к их вертикальному объединению вверху колонки. Разбалансирование электронных уровней, вызванное укрупнением квантовых точек, было компенсировано внешним электрическим полем, и достигнут резонанс основных электронных состояний в колонке. Наступление резонансов контролировалось методами фотолюминесценции: стационарной и с временным разрешением. Показано, что при резонансе растут интенсивность фотолюминесценции, излучательное время жизни экситонов (до0.6-2 нс) и становится малым время туннелирования носителей (менее15 пс). Вне резонанса туннелирование электронов существенно ускоряется участием продольных оптических фононов. Если участвуют только эти фононы, то время нерезонансного туннелирования между квантовыми точками становится меньше, чем время релаксации носителей из барьера (100 и140 пс соответственно). PACS: 73.21.-b, 73.63.Kv, 78.67.-n
Талалаев В.Г., Новиков Б.В., Соколов А.С., Штром И.В., Tomm J.W., Захаров Н.Д., Werner P., Цырлин Г.Э., Тонких А.А. Резонансы вмассиве квантовых точек InAs, управляемые внешним электрическим полем // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 203

Методом молекулярной динамики изучено изменение физических свойств стеклообразных и аморфных наночастиц кремния, содержащих300, 400 и500атомов, при их нагревании от300 до1700 K. Рассчитаны энергия и средняя длина связи Si--Si, определено среднее число связей, приходящихся на один атом. Температурные напряжения приводят к изменению распределения избыточной потенциальной энергии по концентрическим слоям наночастиц. Энергетически наиболее выгодным оказывается средний сферический слой \glqq теплой\grqq наночастицы. Рассмотрено поведение радиальной и тангенциальной компонент коэффициента подвижности атомов в концентрических слоях с изменением температуры. Установлено наличие жидкого слоя на поверхности наночастиц в окрестности перехода к плавлению. Застеклованные наночастицы Sin имеют более высокую кинетическую устойчивость, чем соответствующие им по размеру аморфные частицы. PACS:61.46.Bc
Галашев А.Е., Измоденов И.А., Новрузов А.Н., Новрузова О.А. Компьютерное изучение физических свойств наноразмерных кремниевых структур // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 196

Исследуется пространственная и временная дисперсия диэлектрической проницаемости электронного газа в квазидвумерных квантовых наноструктурах. Впервые получены аналитические выражения для диэлектрической проницаемости в случае квантовой ямы в виде delta-функции и прямоугольной ямы конечной глубины. Получен критерий перехода к строго двумерному и строго трехмерному случаям. PACS: 71.10.Ge, 71.45.Gm, 73.21.Fg
Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г. Диэлектрическая проницаемость квазидвумерных полупроводниковых наноструктур // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 190

Изучены транспортные свойства двумерного электронного газа, расположенного на малом расстоянии (15-32.5 нм) от поверхности в гетеропереходе AlGaAs/GaAs. Обнаружены сильное влияние поверхности на поведение проводимости двумерного электронного газа, а также эффект экранирования металлическим затвором рассеяния двумерных электронов на заряженных центрах. PACS: 73.23.-b, 73.40
Козлов Д.А., Квон З.Д., Калагин А.К., Торопов А.И. Свойства двумерного электронного газа вгетеропереходах AlGaAs/GaAs стонкими слоямиAlGaAs // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 186

Исследованы спектры спонтанного и стимулированного излучения наностержней ZnO, выращенных двумя низкотемпературными методами. Стимулированное излучение при385 нм наблюдали при комнатной температуре для нанокристаллов ZnO, выращенных методом CVD, при накачке азотным лазером с длиной волны 337 нм. Пороговая плотность мощности накачки для лазерного процесса рекомбинации экситонов составила ~600 кВт/см2. PACS: 78.45.+h, 78.55.Cr, 78.67.Bf
Емельченко Г.А., Грузинцев А.Н., Кулаков А.Б., Самаров Э.Н., Карпов И.А., Редькин А.Н., Якимов Е.Е., Barthou C. Люминесценция наностержней оксида цинка // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 182

Проведены измерения фотолюминесценции с временным разрешением в диапазонах энергий 1.4-3.2 эВ и времен релаксации50 нс-20 мкс в пленках GeOx (x=<q 2), содержащих нанокристаллыGe. Пленки получали одностадийным методом импульсного лазерного осаждения из прямого и обратного потока частиц эрозионного факела в атмосфере кислорода и аргона. Исследована зависимость фотолюминесцентных свойств пленок от режимов осаждения и легирования золотом. Полосы фотолюминесценции с максимумами при энергиях 1.42-2.1 эВ--- узкие, медленные, энергетически близко расположенные, в то время как полосы с максимумами около 2.5 и 2.7-2.9 эВ--- широкие, более быстрые, энергетически мало перекрывающиеся. Результаты объяснены в рамках экситонной модели фотолюминесценции квантовых точекGe, размеры которых определяются условиями их формирования. PACS: 78.55.Hx, 78.67.Bf, 81.07.Ta, 81.15.Fg, 81.16.Mk, 81.40.Tv
Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Бегун Е.В. Фотолюминесценция германиевых квантовых точек, сформированных импульсным лазерным осаждением // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 177

Представлены результаты исследований фотолюминесценции структур с Ge(Si)-самоформирующимися островками, встроенными в напряженный Si-слой. Структуры были выращены на гладких релаксированных Si1-xGex/Si(001) (x=20-30%) буферных слоях. Обнаруженный в спектрах фотолюминесценции исследованных структур пик фотолюминесценции связывается с непрямым в реальном пространстве оптическим переходом между дырками, локализованными в Ge(Si)-островках, и электронами, локализованными в напряженных Si-поляx над и под островком. Продемонстрирована возможность эффективного управления положением пика фотолюминесценции от данного типа структур путем изменения толщин напряженных Si-слоев. Обнаружено, что при 77 K интенсивность сигнала фотолюминесценции от гетероструктур с Ge(Si)-cамоформирующимися островками, заключенными между напряженными Si-слоями, на порядок превосходит интенсивность сигнала фотолюминесценции от структур Ge(Si) c островками, сформированными на Si(001)-подложках. PACS: 81.07.Ta, 78.55.--m, 78.67.Hc, 71.20.Nr, 68.37.Ps, 81.15.Hi
Шалеев М.В., Новиков А.В., Яблонский А.Н., Кузнецов О.А., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф. Влияние напряженного Si-слоя нафотолюминесценцию Ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных нарелаксированных SiGe/Si(001)-буферных слоях // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 172

Исследованы спектры электролюминесценции, фотолюминесценции и фототока в структурах с квантовыми ямами In0.2Ga0.8N/GaN с целью выяснения причин падения квантовой эффективности с увеличением прямого тока. Установлено, что квантовая эффективность падает, когда энергия излучаемого фотона приближается к порогу подвижности в слое In0.2Ga0.8N. Порог подвижности, определенный из спектров фототока, составил Eme=2.89 эВ. При энергиях hnu>2.69 эВ носители заряда имеют вероятность туннелировать на безызлучательные центры рекомбинации, поэтому время жизни и квантовая эффективность падают. Туннельная инжекция в глубокие локализованные состояния обеспечивает максимальную эффективность электролюминесценции, что объясняет причину характерного максимума эффективности светодиодов при плотностях тока, значительно меньших, чем рабочие. Заселение глубоких локализованных состояний в \glqq хвостах\grqq плотности состояний InGaN играет также доминирующую роль в формировании линии излучения. Обнаружено, что рост эффективности и \glqq красный\grqq сдвиг спектра ФЛ с напряжением коррелирует с изменением фототока и связаны с уменьшением разделения фотоносителей в поле области объемного заряда и их термализацией в глубокие локализованные состояния. PACS: 73.40.Kp, 73.63.Hs, 78.55.Cr, 78.60.Fi, 78.67.De, 85.60.Jb
Бочкарева Н.И., Тархин Д.В., Ребане Ю.Т., Горбунов Р.И., Леликов Ю.С., Мартынов И.А., Шретер Ю.Г. Квантовая эффективность иформирование линии излучения всветодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 88

Зонным методом функционала зарядовой плотности--сильной связи впервые изучено влияние различных типов атомных дефектов стенок нанотрубок MoS2 на их структурные и электронные свойства. Обнаружено, что возникновение в стенках MoS2 трубок атомных дефектов может обусловить переходы полупроводник--металл. PACS: 61.46.+w, 73.22.-f, 73.63.Fg, 81.07.De
Еняшин А.Н., Ивановский А.Л. Атомные дефекты стенок иэлектронное строение нанотрубок дисульфида молибдена // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 82