Поиск публикаций Научные конференции и семинары Новости науки Научная сеть

 Найдено научных статей и публикаций: 212, для научной тематики: границы раздела иповерхность


Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 



аутсорсинг компьютеры:обслуживание компьютеров ; работа в бишкеке официант
1.

Управление характером токопереноса вбарьере Шоттки спомощью delta -легирования: расчет иэксперимент дляAl/GaAs     

Шашкин В.И., Мурель А.В., Данильцев В.М., Хрыкин О.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Рассматривается возможность управления эффективной высотой барьера в диодах Шоттки при введении delta-легированного слоя вблизи...
2.

О формировании нанокристаллов кремния приотжиге слоевSiO2, имплантированных ионамиSi     

Качурин Г.А., Яновская С.Г., Володин В.А., Кеслер В.Г., Лейер А.Ф., Ruault M.-O. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Методами рамановского рассеяния, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и фотолюминисценции изучалось формирование...
3.

Роль вакансий кремния вформировании барьеров Шоттки наконтактах Ag иAu с3C- и6H-SiC     

Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В., Таиров Ю.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Модифицированная модель Людеке, предполагающая, что за формирование барьера Шоттки ответственны дефектные состояния на границе,...
4.

Определение концентрации глубоких центров вдиодах шоттки свысоким барьером принестационарной спектроскопии глубоких уровней     

Агафонов Е.Н., Георгобиани А.Н., Лепнев Л.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Проанализировано влияние высоты барьера Шоттки, энергетического положения глубоких уровней, концентраций глубоких и мелких...
5.

Моделирование энергетического спектра поверхностных состояний структур металл--диэлектрик--полупроводник сучетом тока через диэлектрик     

Берман Л.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
В структурах металл--диэлектрик--полупроводник стонким диэлектриком нужно учитывать влияние тока через диэлектрик на заряд...
6.

E0-спектры фотоотражения полупроводниковых структур свысокой плотностью состояний вобласти границы раздела     

Кузьменко Р.В., Домашевская Э.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
При помощи анализа экспериментальных спектров фотоотражения образцов Ga2Se3/n-GaAs, изготовленных при длительном отжиге подложек GaAs...
7.

Эффект переключения в гетеропереходах Si--CdS, синтезированных врезко неравновесных условиях     

Беляев А.П., Рубец В.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Сообщается о результатах исследования электрических свойств и процессов формирования гетеропереходов на охлажденной до...
8.

Особенности магнитодиодного эффекта вмногодолинных полупроводниках принизких температурах     

Абрамов А.А., Горбатый И.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Теоретически проанализирован магнитодиодный эффект в плоской p-i-n-диодной структуре, сопровождаемый междолинным...
9.

Поведение заряда вскрытом диэлектрике структур кремний-на-изоляторе вэлектрических полях     

Николаев Д.В., Антонова И.В., Наумова О.В., Попов В.П., Смагулова С.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Исследовано поведение заряда в скрытом окисле структур кремний-на-изоляторе, полученых по технологии Dele-Cut, методом выдержки под...
10.

Исследование влияния электронного облучения наструктуру GaSe--SiO2 спектроскопическими методами     

Ибрагимов Т.Д., Джафарова Э.А., Сафаров З.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Методами оже-спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света исследована структура GaSe--SiO2 до и после облучения...