Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 212, для научной тематики: Границы раздела иповерхность

1.

Переход отразъединенного гетероперехода IIтипа кступенчатому всистеме GaInAsSb/InAs(GaSb)     

Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Яковлев Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
Рассмотрены условия перехода от ступенчатого к разъединенному гетеропереходу IIтипа для одиночных гетероструктур Ga1-xInxAsySb1-y/InAs(GaSb) в зависимости от состава четверного твердого раствора. Оценены зонные диаграммы таких гетеропереходов и определены величины энергетического разрыва зонDelta...
2.

Влияние пассивации поверхности насобственную фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью     

Кожевников А.А., Прибылов Н.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
Изучено влияние пассивации в сульфидных растворах на вид спектров фотопроводимости GaP : Cu. Положение и форма дополнительного экстремума при энергиях выше порога собственного поглощения связываются с эффектами перераспределения неравновесных носителей заряда в поле поверхностного потенциала. PA...
3.

Получение и фотоэлектрические свойства гетеропереходов окисел/CuIn5Se8     

Боднарь И.В., Вайполин А.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
Методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы соединения n-CuIn5Se8 гексагональной модификации. На основании экспериментальных исследований его термического взаимодействия с кислородом воздуха предложен метод получения новых гетеропереходов окисел/n-CuIn5Se8. Исследованы эле...
4.

Электрические свойства изотипных гетеропереходов N+- GaSb/n0- GaInAsSb/N+- GaAlAsSb IIтипа     

Ахметоглы (Афраилов) М.А., Андреев И.А., Куницына Е.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
Изучены зонные диаграммы, а также вольт-амперные и вольтъемкостные характеристики изотипных гетероструктур N+-GaSb/n0-GaInAsSb/N+-GaAlAsSb. Исследованы механизмы протекания темнового тока при различных температурах. Показано, что разъединенный гетеропереход демонстрирует свойства диода Шоттки, и ...
5.

Особенности пиролиза молекул наэпитаксиальной поверхности приросте слоев Si1-xGex изгидридов ввакууме     

Орлов Л.К., Ивин С.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
В рамках кинетического приближения на основе данных ростового эксперимента рассмотрены особенности пиролиза молекул при росте пленок Si1-xGex из гидридов в вакууме. Для схемы распада моногидридов Si и Ge с доминирующей ролью в процессе пиролиза радикалов SiH2 и GeH2 изучен характер решений кинет...
6.

Фотоэлектрические свойства структур In/In2Se3     

Ильчук Г.А., Кусьнэж В.В., Петрусь Р.Ю., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Украинец В.О. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
Методом направленной кристаллизации расплава, близкого по составу к стехиометрическому, а также парофазным методом выращены кристаллы In2Se3 гексагональной модификации, и впервые созданы барьеры Шоттки In/n-In2Se3, фоточувствительные в широкой области энергий падающих фотонов 1-3.8 эВ при 300 K....
7.

Барьеры Шоттки на основе пленок n-In2S3, полученных лазерным испарением     

Боднарь И.В., Полубок В.А., Гременок В.Ф., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
Методом импульсного лазерного испарения исходных мишеней с последующим осаждением на стеклянные подложки при температурах 480-720 K выращены гомогенные тонкие (0.6-1.5 мкм) пленки n-In2S3, на которых впервые созданы барьеры Шоттки In/n-In2S3. Изучена температурная зависимость удельного сопротивле...
8.

Фотоэлектрические явления вбарьерах Шоттки Cu(Al, In)/p-CuIn3Se5     

Боднарь И.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
На кристаллах p-CuIn3Se5 созданы структуры и исследованы фотоэлектрические явления в барьерах Шоттки Cu/p-CuIn3Se5, Al/p-CuIn3Se5 и In/p-CuIn3Se5. Получены первые спектры квантовой эффективности фотопреобразования новых структур. Обсуждается характер межзонных переходов и определена ширина запрещ...
9.

Вольт-фарадные характеристики структур наоснове p-Cd0.27Hg0.73Te сширокозонным варизонным слоем наповерхности     

Васильев В.В., Машуков Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
-1 Исследуются вольт-фарадные характеристики структуры In-SiO2-<варизонный слой Cd0.71-0.27Hg0.29-0.73Te>-p-Cd0.27Hg0.73Te-GaAs при температуре 80 K и выше. Характеристики имеют гистерезис: при прямом ходе развертки (от обогащения к инверсии) характеристика близка к обычной высокочастотно...
10.

Исследование структур n+-6H/n-3C/p+-6H-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии     

Лебедев А.А., Стрельчук А.М., Давыдов С.Ю., Черенков А.Е., Кузнецов А.Н., Трегубова А.С., Сорокин Л.М., Щеглов М.П., Садохин А.В., Йонеда С., Нишино Ш. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Впервые методом сублимационной эпитаксии получена структура 6H(n+)/3C(n)/6H(p+)-SiC, на основе которой изготовлены меза-диоды и проведено исследование их электрических характеристик. Обнаружено, что в спектре инжекционной электролюминесценции данных диодов доминирует полоса в зеленой области спек...