Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 212, для научной тематики: Границы раздела иповерхность


1.

Управление характером токопереноса вбарьере Шоттки спомощью delta -легирования: расчет иэксперимент дляAl/GaAs     

Шашкин В.И., Мурель А.В., Данильцев В.М., Хрыкин О.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Шашкин В.И., Мурель А.В., Данильцев В.М., Хрыкин О.И. Управление характером токопереноса вбарьере Шоттки спомощью delta -легирования: расчет иэксперимент дляAl/GaAs // ФТП, 2002, том 36, выпуск 5, Стр. 537
2.

О формировании нанокристаллов кремния приотжиге слоевSiO2, имплантированных ионамиSi     

Качурин Г.А., Яновская С.Г., Володин В.А., Кеслер В.Г., Лейер А.Ф., Ruault M.-O. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Качурин Г.А., Яновская С.Г., Володин В.А., Кеслер В.Г., Лейер А.Ф., Ruault M.-O. О формировании нанокристаллов кремния приотжиге слоевSiO2, имплантированных ионамиSi // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 685
3.

Роль вакансий кремния вформировании барьеров Шоттки наконтактах Ag иAu с3C- и6H-SiC     

Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В., Таиров Ю.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В., Таиров Ю.М. Роль вакансий кремния вформировании барьеров Шоттки наконтактах Ag иAu с3C- и6H-SiC // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 690
4.

Определение концентрации глубоких центров вдиодах шоттки свысоким барьером принестационарной спектроскопии глубоких уровней     

Агафонов Е.Н., Георгобиани А.Н., Лепнев Л.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Агафонов Е.Н., Георгобиани А.Н., Лепнев Л.С. Определение концентрации глубоких центров вдиодах Шоттки свысоким барьером принестационарной спектроскопии глубоких уровней // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 693
5.

Моделирование энергетического спектра поверхностных состояний структур металл--диэлектрик--полупроводник сучетом тока через диэлектрик     

Берман Л.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Берман Л.С. Моделирование энергетического спектра поверхностных состояний структур металл--диэлектрик--полупроводник сучетом тока через диэлектрик // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 697
6.

E0-спектры фотоотражения полупроводниковых структур свысокой плотностью состояний вобласти границы раздела     

Кузьменко Р.В., Домашевская Э.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Кузьменко Р.В., Домашевская Э.П. E0-спектры фотоотражения полупроводниковых структур свысокой плотностью состояний вобласти границы раздела // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 838
7.

Эффект переключения в гетеропереходах Si--CdS, синтезированных врезко неравновесных условиях     

Беляев А.П., Рубец В.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Беляев А.П., Рубец В.П. Эффект переключения в гетеропереходах Si--CdS, синтезированных врезко неравновесных условиях // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 843
8.

Особенности магнитодиодного эффекта вмногодолинных полупроводниках принизких температурах     

Абрамов А.А., Горбатый И.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Абрамов А.А., Горбатый И.Н. Особенности магнитодиодного эффекта вмногодолинных полупроводниках принизких температурах // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 847
9.

Поведение заряда вскрытом диэлектрике структур кремний-на-изоляторе вэлектрических полях     

Николаев Д.В., Антонова И.В., Наумова О.В., Попов В.П., Смагулова С.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Николаев Д.В., Антонова И.В., Наумова О.В., Попов В.П., Смагулова С.А. Поведение заряда вскрытом диэлектрике структур кремний-на-изоляторе вэлектрических полях // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 853
10.

Исследование влияния электронного облучения наструктуру GaSe--SiO2 спектроскопическими методами     

Ибрагимов Т.Д., Джафарова Э.А., Сафаров З.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Ибрагимов Т.Д., Джафарова Э.А., Сафаров З.Б. Исследование влияния электронного облучения наструктуру GaSe--SiO2 спектроскопическими методами // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 858