Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 



Здание Частная школа Павловская . Развитие детей.

 Найдено научных статей и публикаций: 212, для научной тематики: Границы раздела иповерхность


1.

Управление характером токопереноса вбарьере Шоттки спомощью delta -легирования: расчет иэксперимент дляAl/GaAs     

Шашкин В.И., Мурель А.В., Данильцев В.М., Хрыкин О.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Рассматривается возможность управления эффективной высотой барьера в диодах Шоттки при введении delta-легированного слоя вблизи контакта металл--полупроводник. Уменьшение эффективной высоты барьера связано с возрастанием роли туннелирования носителей через барьер. Для барьеров Шоттки кn-GaAs пров...
2.

О формировании нанокристаллов кремния приотжиге слоевSiO2, имплантированных ионамиSi     

Качурин Г.А., Яновская С.Г., Володин В.А., Кеслер В.Г., Лейер А.Ф., Ruault M.-O. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Методами рамановского рассеяния, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и фотолюминисценции изучалось формирование нанокристаллов кремния в слоях SiO2, имплантированных ионамиSi. Обнаружено, что при концентрациях избыточного кремния 3-14 ат% кластерыSi образуются сразу после имплантац...
3.

Роль вакансий кремния вформировании барьеров Шоттки наконтактах Ag иAu с3C- и6H-SiC     

Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В., Таиров Ю.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Модифицированная модель Людеке, предполагающая, что за формирование барьера Шоттки ответственны дефектные состояния на границе, применена к расчету высоты барьеров Phinb в системах Ag, Au / 3C-, 6H-SiC. Получено отличное согласие с данными эксперимента. Расчет показал также, что концентрация крем...
4.

Определение концентрации глубоких центров вдиодах шоттки свысоким барьером принестационарной спектроскопии глубоких уровней     

Агафонов Е.Н., Георгобиани А.Н., Лепнев Л.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Проанализировано влияние высоты барьера Шоттки, энергетического положения глубоких уровней, концентраций глубоких и мелких дефектов, температуры и прикладываемых к образцу напряжений на вид выражения, определяющего концентрацию глубоких центров в диодах Шоттки с высоким барьером при измерениях ме...
5.

Моделирование энергетического спектра поверхностных состояний структур металл--диэлектрик--полупроводник сучетом тока через диэлектрик     

Берман Л.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
В структурах металл--диэлектрик--полупроводник стонким диэлектриком нужно учитывать влияние тока через диэлектрик на заряд поверхностных состояний. Захват носителей тока на поверхностные состояния подавляет их термоэмиссию споверхностных состояний. Этот процесс замедляет увеличение заряда поверхн...
6.

E0-спектры фотоотражения полупроводниковых структур свысокой плотностью состояний вобласти границы раздела     

Кузьменко Р.В., Домашевская Э.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
При помощи анализа экспериментальных спектров фотоотражения образцов Ga2Se3/n-GaAs, изготовленных при длительном отжиге подложек GaAs (концентрация электронов n~ 1017 см-3) в парах Se, установлен эффект отсутствия фотонапряжения в области границы раздела. Фотогенерация неравновесных носителе...
7.

Эффект переключения в гетеропереходах Si--CdS, синтезированных врезко неравновесных условиях     

Беляев А.П., Рубец В.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Сообщается о результатах исследования электрических свойств и процессов формирования гетеропереходов на охлажденной до отрицательных температур подложке из кристаллического кремния. Приводятся данные технологических, электронографических и электрических исследований. Выявлен эффект переключения п...
8.

Особенности магнитодиодного эффекта вмногодолинных полупроводниках принизких температурах     

Абрамов А.А., Горбатый И.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Теоретически проанализирован магнитодиодный эффект в плоской p-i-n-диодной структуре, сопровождаемый междолинным перераспределением электронов около ее холловских поверхностей, на которых происходит рекомбинация неравновесных носителей заряда. Показано, что учет суперпозиции поперечных потоков но...
9.

Поведение заряда вскрытом диэлектрике структур кремний-на-изоляторе вэлектрических полях     

Николаев Д.В., Антонова И.В., Наумова О.В., Попов В.П., Смагулова С.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Исследовано поведение заряда в скрытом окисле структур кремний-на-изоляторе, полученых по технологии Dele-Cut, методом выдержки под напряжением при напряженности электрического поля 2--5.5 МВ/см. Обнаружено присутствие в окисле подвижного положительного заряда, перемещающегося под действием прило...
10.

Исследование влияния электронного облучения наструктуру GaSe--SiO2 спектроскопическими методами     

Ибрагимов Т.Д., Джафарова Э.А., Сафаров З.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
Методами оже-спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света исследована структура GaSe--SiO2 до и после облучения электронами с энергией4.0 МэВ и дозой облучения 3.0·1015 см-2. Показано, что после облучения толщина переходного слоя структуры уменьшается, а окисная пленка стано...