Поиск публикаций Научные конференции и семинары Новости науки Научная сеть

 Найдено научных статей и публикаций: 237, для научной тематики: стеклообразные и пористые полупроводники


Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 



1.

Радиационная стойкость пористого кремния     

Ушаков В.В., Дравин В.А., Мельник Н.Н., Караванский В.А., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Исследовано влияние радиационного воздействия ионов Ar+ с энергией 300кэВ и дозами 5· 1014/ 1· 1016 см-2 на свойства пористого кремния,...
2.

Исследование пористого кремния, полученного имплантацией ионов криптона и лазерным отжигом     

Галяутдинов М.Ф., Курбатова Н.В., Буйнова Э.Ю., Штырков Е.И., Бухараев А.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Эллипсометрическим методом исследован процесс образования мелкопористого слоя, насыщенного атомами инертного газа, в...
3.

Спектры фотолюминесценции и фотовозбуждения пористого кремния, подвергнутого анодному окислению и травлению     

Филиппов В.В., Бондаренко В.П., Першукевич П.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Исследованы спектры фотолюминесценции и фотовозбуждения пленок пористого кремния исходной пористости 50--60%, приготовленных на...
4.

Сравнение подвижности равновесных и неравновесных носителей заряда впленках поликристаллического синтетического алмаза иаморфного алмазоподобного углерода     

Плесков Ю.В., Тамеев А.Р., Варнин В.П., Теремецкая И.Г., Баранов А.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
По времени пролета инжектированных носителей заряда сквозь пленки поликристаллического алмаза или алмазоподобного углерода...
5.

Структура и свойства пористого кремния, полученного фотоанодированием     

Астрова Е.В., Ратников В.В., Витман Р.Ф., Лебедев А.А., Ременюк А.Д., Рудь Ю.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Приводятся результаты исследования слоев пористого кремния (ПК), полученного электрохимическим травлением Si p-типа проводимости в...
6.

Фотолюминесценция пористого арсенида галлия     

Горячев Д.Н., Сресели О.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Исследована фотолюминесценция в видимой и инфракрасной областях спектра пористого GaAs, полученного с помощью электролитического...
7.

Поляризационная память в пористом окисленном слое SiC     

Данишевский А.М., Рогачев А.Ю., Шуман В.Б., Гук Е.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Обнаружена поляризация и поляризационная память импульсной фотолюминесценции на пористых слоях, полученных на...
8.

Метастабильность и релаксационные процессы ваморфном гидрогенизированном кремнии     

Будагян Б.Г., Айвазов А.А., Мейтин М.Н., Сазонов А.Ю., Бердников А.Е., Попов А.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Проведено исследование кинетики структурной релаксации в аморфном гидрогенизированном кремнии a-Si : H, осажденном различными...
9.

Фотоиндуцированные процессы в пленках a-Si : H приповышенных температурах     

Курова И.А., Ларина Э.В., Ормонт Н.Н., Сенашенко Д.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Обнаружено, что при температурах T>120oC кинетика изменения темновой проводимости (sigmad) нелегированных и легированных бором пленок a-Si :...
10.

Релаксация созданного освещением метастабильного состояния a-Si : H p-типа, легированного бором     

Казанский А.Г., Ларина Э.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Исследована релаксация темновой проводимости пленок a-Si : H, легированных бором, после их освещения в интервале температур 360-470 K....