Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 237, для научной тематики: Стеклообразные и пористые полупроводники


1.

Радиационная стойкость пористого кремния     

Ушаков В.В., Дравин В.А., Мельник Н.Н., Караванский В.А., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Исследовано влияние радиационного воздействия ионов Ar+ с энергией 300кэВ и дозами 5· 1014/ 1· 1016 см-2 на свойства пористого кремния, полученного электрохимическим способом. На основе данных рамановского рассеяния света и фотолюминесценции показано, что радиационная стойкость слоев по...
2.

Исследование пористого кремния, полученного имплантацией ионов криптона и лазерным отжигом     

Галяутдинов М.Ф., Курбатова Н.В., Буйнова Э.Ю., Штырков Е.И., Бухараев А.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Эллипсометрическим методом исследован процесс образования мелкопористого слоя, насыщенного атомами инертного газа, в кристаллической решетке кремния, легированного большими дозами криптона, а затем облученного наносекундными лазерными импульсами. Изучено изменение комплексного показателя преломле...
3.

Спектры фотолюминесценции и фотовозбуждения пористого кремния, подвергнутого анодному окислению и травлению     

Филиппов В.В., Бондаренко В.П., Першукевич П.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Исследованы спектры фотолюминесценции и фотовозбуждения пленок пористого кремния исходной пористости 50--60%, приготовленных на монокристаллах кремния p-типа проводимости и подвергнутых анодному окислению и химическому травлению. Установлено, что присутствующая в травленном пористом кремнии а...
4.

Сравнение подвижности равновесных и неравновесных носителей заряда впленках поликристаллического синтетического алмаза иаморфного алмазоподобного углерода     

Плесков Ю.В., Тамеев А.Р., Варнин В.П., Теремецкая И.Г., Баранов А.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
По времени пролета инжектированных носителей заряда сквозь пленки поликристаллического алмаза или алмазоподобного углерода определена подвижность неравновесных носителей порядка 10-3 и 3·10-8 см2/В·с соответственно. В поликристаллическом алмазе неравновесная подвижность дырок на 3порядк...
5.

Структура и свойства пористого кремния, полученного фотоанодированием     

Астрова Е.В., Ратников В.В., Витман Р.Ф., Лебедев А.А., Ременюк А.Д., Рудь Ю.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Приводятся результаты исследования слоев пористого кремния (ПК), полученного электрохимическим травлением Si p-типа проводимости в условиях различного освещения: естественного, с помощью лампы накаливания и излучения ртутной лампы с фильтром и без фильтра. Структура слоев изучалась методом рентге...
6.

Фотолюминесценция пористого арсенида галлия     

Горячев Д.Н., Сресели О.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Исследована фотолюминесценция в видимой и инфракрасной областях спектра пористого GaAs, полученного с помощью электролитического или химического травления GaAs. Полоса инфракрасной люминесценции пористого GaAs сдвинута относительно максимума кристаллического GaAs в длинноволновую область спектра...
7.

Поляризационная память в пористом окисленном слое SiC     

Данишевский А.М., Рогачев А.Ю., Шуман В.Б., Гук Е.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Обнаружена поляризация и поляризационная память импульсной фотолюминесценции на пористых слоях, полученных на микрокристаллических пленках кубического SiC, осажденных на кремниевые подложки. Пористый слой подвергнут электрохимическому окислению. Предложена качественная модель, поясняющая механизм...
8.

Метастабильность и релаксационные процессы ваморфном гидрогенизированном кремнии     

Будагян Б.Г., Айвазов А.А., Мейтин М.Н., Сазонов А.Ю., Бердников А.Е., Попов А.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Проведено исследование кинетики структурной релаксации в аморфном гидрогенизированном кремнии a-Si : H, осажденном различными методами, с помощью дифференциальной сканирующей калориметрии. Полученные экспериментальные результаты были использованы для анализа природы метастабильных состояний в a-S...
9.

Фотоиндуцированные процессы в пленках a-Si : H приповышенных температурах     

Курова И.А., Ларина Э.В., Ормонт Н.Н., Сенашенко Д.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Обнаружено, что при температурах T>120oC кинетика изменения темновой проводимости (sigmad) нелегированных и легированных бором пленок a-Si : H во время и после освещения немонотонна: имеются быстрый и медленный процессы изменения sigmad разного знака. Изменением длительности и интенсивности освещ...
10.

Релаксация созданного освещением метастабильного состояния a-Si : H p-типа, легированного бором     

Казанский А.Г., Ларина Э.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Исследована релаксация темновой проводимости пленок a-Si : H, легированных бором, после их освещения в интервале температур 360-470 K. Показано, что выбор условий освещения пленок (времени освещения и температуры) позволяет на основании изучения релаксации проводимости независимо исследовать рела...