Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 237, для научной тематики: Стеклообразные и пористые полупроводники


1.

Радиационная стойкость пористого кремния     

Ушаков В.В., Дравин В.А., Мельник Н.Н., Караванский В.А., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Ушаков В.В., Дравин В.А., Мельник Н.Н., Караванский В.А., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю. Радиационная стойкость пористого кремния // ФТП, 1997, том 31, выпуск 9, Стр. 1126
2.

Исследование пористого кремния, полученного имплантацией ионов криптона и лазерным отжигом     

Галяутдинов М.Ф., Курбатова Н.В., Буйнова Э.Ю., Штырков Е.И., Бухараев А.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Галяутдинов М.Ф., Курбатова Н.В., Буйнова Э.Ю., Штырков Е.И., Бухараев А.А. Исследование пористого кремния, полученного имплантацией ионов криптона и лазерным отжигом // ФТП, 1997, том 31, выпуск 9, Стр. 1130
3.

Спектры фотолюминесценции и фотовозбуждения пористого кремния, подвергнутого анодному окислению и травлению     

Филиппов В.В., Бондаренко В.П., Першукевич П.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Филиппов В.В., Бондаренко В.П., Першукевич П.П. Спектры фотолюминесценции и фотовозбуждения пористого кремния, подвергнутого анодному окислению и травлению // ФТП, 1997, том 31, выпуск 9, Стр. 1135
4.

Сравнение подвижности равновесных и неравновесных носителей заряда впленках поликристаллического синтетического алмаза иаморфного алмазоподобного углерода     

Плесков Ю.В., Тамеев А.Р., Варнин В.П., Теремецкая И.Г., Баранов А.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Плесков Ю.В., Тамеев А.Р., Варнин В.П., Теремецкая И.Г., Баранов А.М. Сравнение подвижности равновесных и неравновесных носителей заряда впленках поликристаллического синтетического алмаза иаморфного алмазоподобного углерода // ФТП, 1997, том 31, выпуск 9, Стр. 1142
5.

Структура и свойства пористого кремния, полученного фотоанодированием     

Астрова Е.В., Ратников В.В., Витман Р.Ф., Лебедев А.А., Ременюк А.Д., Рудь Ю.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Астрова Е.В., Ратников В.В., Витман Р.Ф., Лебедев А.А., Ременюк А.Д., Рудь Ю.В. Структура и свойства пористого кремния, полученного фотоанодированием // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1261
6.

Фотолюминесценция пористого арсенида галлия     

Горячев Д.Н., Сресели О.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Горячев Д.Н., Сресели О.М. Фотолюминесценция пористого арсенида галлия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 11, Стр. 1383
7.

Поляризационная память в пористом окисленном слое SiC     

Данишевский А.М., Рогачев А.Ю., Шуман В.Б., Гук Е.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Данишевский А.М., Рогачев А.Ю., Шуман В.Б., Гук Е.Г. Поляризационная память в пористом окисленном слое SiC // ФТП, 1997, том 31, выпуск 11, Стр. 1387
8.

Метастабильность и релаксационные процессы ваморфном гидрогенизированном кремнии     

Будагян Б.Г., Айвазов А.А., Мейтин М.Н., Сазонов А.Ю., Бердников А.Е., Попов А.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Будагян Б.Г., Айвазов А.А., Мейтин М.Н., Сазонов А.Ю., Бердников А.Е., Попов А.А. Метастабильность и релаксационные процессы ваморфном гидрогенизированном кремнии // ФТП, 1997, том 31, выпуск 12, Стр. 1449
9.

Фотоиндуцированные процессы в пленках a-Si : H приповышенных температурах     

Курова И.А., Ларина Э.В., Ормонт Н.Н., Сенашенко Д.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Курова И.А., Ларина Э.В., Ормонт Н.Н., Сенашенко Д.В. Фотоиндуцированные процессы в пленках a-Si : H приповышенных температурах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 12, Стр. 1455
10.

Релаксация созданного освещением метастабильного состояния a-Si : H p-типа, легированного бором     

Казанский А.Г., Ларина Э.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Казанский А.Г., Ларина Э.В. Релаксация созданного освещением метастабильного состояния a-Si : H p-типа, легированного бором // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 117