Исследованы спектры люминесценции пористого кремния, их температурные зависимости, а также трансформация в процессе старения. Показано, что инфракрасная полоса, преобладающая в свежеприготовленных образцах, обусловлена рекомбинацией экситонов в кремниевых кристаллитах. Впроцессе старения наблюдалось появление с коротковолновой стороны хорошо выделенной дополнительной полосы. Предполагается, что она обусловлена рекомбинацией носителей, возбужденных в кремниевых кристаллитах, через центры в окисле. Показано, что широкая полоса, обычно наблюдающаяся в окисленном пористом кремнии, является суперпозицией двух указанных полос. Получены зависимости положений их максимумов и интенсивностей от времени старения и температуры, а также информация о распределении окисных центров по глубине пористого слоя. PACS: 81.65.Cf, 81.05.Rm, 78.55.Mb
Булах Б.М., Корсунская Н.Е., Хоменкова Л.Ю., Старая Т.Р., Шейнкман М.К. О влиянии процесса окисления на эффективность испектр люминесценции пористого кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 614

Исследованы частотные зависимости электропроводности и емкости анизотропного пористого кремния, полученного путем электрохимического травления пластин монокристаллического кремния p-типа с ориентацией поверхности (110). Обнаружено, что во всем исследованном диапазоне частот (5 Гц-13 МГц) и температур (170-370 K) величина электропроводности по направлению наибольшего размера кремниевых нанокристаллов значительно выше, чем по направлению их наименьшего размера. Наоснове анализа экспериментальных данных показано, что основной причиной анизотропии электрического транспорта является анизотропия кремниевых нанокристаллов, составляющих исследуемые образцы пористого кремния. PACS: 72.15.Cz, 72.30.+q
Форш П.А., Мартышов М.Н., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Динамическая электропроводность анизотропно наноструктурированного кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 476

Исследована электрохимическая интеркаляция лития в тонкие пленки a-Si : H, полученные при температурах100 и250oC на подложках из нержавеющей стали. Интеркаляционная емкость пленок, полученных при 250oC, составляет~1750 и~500 мА·ч/г впервом и сотом циклах. Коэффициент диффузии лития в пленках составляет~10-12 см2/с. PACS: 82.47.Aa, 66.30.Qa, 73.740.Mn, 66.30.Jt
Кулова Т.Л., Скундин А.М., Плесков Ю.В., Коньков О.И., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н. Интеркаляция лития в тонкие пленки аморфного кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 473

Созданы композиты на основе акронитрилбутадиенстирола и поли-N-эпоксипропилкарбазола с добавками гетерополиядерных комплексов меди. Исследованы электро- и фотопроводящие свойства пленок этих композитов. Ввидимой области света поглощение и внутренний фотоэффект определяется d-d-переходами ионовCu(II). Впленках этих композитов обнаружены положительный и аномальный отрицательный эффекты фотопроводимости. Необычные фотоэлектрические свойства могут быть связаны с захватом неравновесных носителей заряда на глубокие ловушки вблизи границ ассоциатов различных по строению комплексов. Эффект отрицательной фотопроводимости нивелируется и увеличивается фоточувствительность пленок при создании дополнительного канала транспорта неравновесных дырок в случае использования поли-N-эпоксипропилкарбазола. Предложена феноменологическая модель кинетики фотопроводимости, объясняющая экспериментальные результаты. PACS: 79.60.Fr, 72.40.+w, 42.70.Jk, 73.61.Ph, 78.65.Kn
Давиденко Н.А., Кокозей В.Н., Давиденко И.И., Нестерова О.В., Шевченко Д.В. Необычные фотоэлектрические свойства полимерных композитов, содержащих гетерополиядерные комплексы переходных металлов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 246

Предложена модель электролюминесценции, возникающей в структуре металл/пористый кремний при обратном смещении образующегося барьера Шоттки. Модель учитывает лавинное умножение горячих носителей заряда и безызлучательную оже-рекомбинацию в пористом кремнии. Установлено, что различие в закономерностях возрастания электронного и дырочного тока за счет генерации неосновных носителей заряда при лавинном умножении горячих электронов ведет к сверхлинейному росту интенсивности излучательной рекомбинации от тока. Врежиме лавинного пробоя происходит снижение эффективности излучательной рекомбинации за счет увеличения вклада оже-процессов. Показано, что одним из основных путей увеличения эффективности электролюминесценции пористого кремния является увеличение в нем концентрации нанокристаллитов. PACS: 78.60.Fi, 81.40.Tv, 61.43.Gt, 73.40.Ns
Берашевич Ю.А., Лазарук С.К., Борисенко В.Е. Электролюминесценция в пористом кремнии приобратном смещении барьераШоттки // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 240

Показано, что высокотемпературный отжиг в потоке водорода приводит к существенному изменению температурной зависимости проводимости легированных бором и нелегированных пленокa-Si : H. Для отожженных легированных пленок, наряду с зонным вкладом и вкладом прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка, в области промежуточных температур обнаружена varepsilon2-проводимость, связываемая с прыжковой проводимостью по локализованным состояниям вблизи края валентной зоны. Возможность появления varepsilon2-проводимости обусловлена возрастанием концентрации электрически активных атомов бора и существенным изменением положения уровня Ферми при высокотемпературном отжиге легированных пленок в атмосфере водорода. Измеренные параметры varepsilon2-проводимости позволили определить размер области неэкспоненциального спада плотности локализованных состояний вблизи валентной зоны. PACS: 72.20.Ee, 73.61.Jc, 81.05.Gc
Звягин И.П., Курова И.А., Нальгиева М.А., Ормонт Н.Н. Прыжковая varepsilon 2-проводимость легированных бором пленок a-Si : H, подвергнутых высокотемпературному отжигу вводороде // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 112

Импеданс нанокристаллической керамики SnO2 со средним размером кристаллитовd от3 до43 нм исследован в диапазоне частот от1 до106 Гц при температурах от25 до300oC в атмосфере сухого кислорода. Анализ экспериментальных данных, проведенный с использованием графоаналитического метода, позволил разделить вклады в проводимость, обусловленные объемом зерен и межкристаллитными границами. Показано, что по характеру проводимости исследованные образцы можно условно разделить на две группы. Для образцов со средним размером нанокристаллитов d
Васильев Р.Б., Дорофеев С.Г., Румянцева М.Н., Рябова Л.И., Гаськов А.М. Импеданс-спектроскопия ультрадисперсной керамикиSnO2 сварьируемым размером кристаллитов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 108

Методом инфракрасной спектроскопии исследовано влияние адсорбции молекул аммиака на концентрацию равновесных носителей заряда в слоях пористого кремния с различным исходным типом легирующей примеси и значением ее концентрации. Обнаружено, что в образцах n-типа адсорбция аммиака ведет к увеличению количества свободных электронов до уровня, превышающего1018 см-3. Для образцов p-типа наблюдается немонотонная зависимость концентрации носителей заряда от давления аммиака. Полученные результаты объясняются появлением адсорбционно-индуцированных мелких донорных состояний, которые наряду с состояниями исходной легирующей примеси и поверхностных дефектов определяют тип и концентрацию носителей заряда в кремниевых нанокристаллах пористого слоя после адсорбции аммиака.
Павликов А.В., Осминкина Л.А., Белогорохов И.А., Константинова Е.А., Ефимова А.И., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Роль исходного легирования в эффекте изменения концентрации носителей заряда впористом кремнии приадсорбции молекул аммиака // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1385

Изучалась фотолюминесценция и электрические свойства органических полупроводников полиамидокислоты(PAA) иее комплексов с лантоноидами. При добавлении в PAA лантана и тербия наблюдалось увеличение интенсивности излучения на40%. Собственных полос лантоноидов в спектре излучения обнаружено не было. Исследование вольт-амперных характеристик и температурной зависимости проводимости PAA и ее комплексов проводилось на слоях толщиной от40 до0.1 мкм. Особенностью электрических свойств является гистерезис температурной зависимости проводимости при увеличении и понижении температуры. Значительное отклонение вольт-амперных характеристик от линейности, связанное с инжекционными токами, наблюдалось на слоях толщиной0.1-0.2 мкм. Пробойное напряжение и предельный ток для них составляют соответственно3-8 В и(2-1)·10-2 А/см2. Полученная величина плотности тока сравнима с плотностью тока в слоях электролюминесцентных сопряженных полимеров при тех же напряжениях.
Лебедев Э.А., Гойхман М.Я., Жигунов Д.М., Подешво И.В., Кудрявцев В.В., Тимошенко В.Ю. Люминесценция и электропроводность полиамидокислоты иееметалл-полимерных комплексов сLaиTb // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1380

Методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгенофазового анализа исследована структура композитов опал--ZnO. Показано, что в процессе термообработки инфильтрованных образцов происходит твердофазная реакция взаимодействия на границе раздела опал--ZnO с образованием силиката цинка beta-Zn2SiO4 и его высокотемпературной фазы--- виллемита Zn2SiO4. Исследована зависимость структуры и эмиссионных свойств нанокомпозита от степени заполнения. Для образца, прошедшего 25 циклов заполнения, обнаружена люминесценция в синей области спектра (430 нм), обусловленная фаза beta-Zn2SiO4. Угловые зависимости спектров люминесценции и отражения композита опал--ZnO с 4 циклами заполнения свидетельствуют об эффекте подавления спонтанного излучения оксида цинка в фотонной щели.
Емельченко Г.А., Грузинцев А.Н., Ковальчук М.Н., Масалов В.М., Самаров Э.Н., Якимов Е.Е., Barthou C., Зверькова И.И. Нанокомпозиты опал--ZnO: структура иэмиссионные свойства // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1375