Методом спектроскопии электроотражения исследовано влияние внешнего электрического поля на межзонные оптические переходы в одиночных квантовых ямах InxGa1-xAs/GaAs. Предложена методика выделения вклада отдельных экситонных переходов в формирование сложного модуляционного спектра. Экспериментально наблюдались нетривиальные полевые зависимости вероятности запрещенных по симметрии оптических переходов. Проведено сравнение полученных данных с соответствующими теоретическими зависимостями. Напряженность внутреннего электрического поля в области квантовой ямы контролировалась по осцилляциям Франца--Келдыша. При некоторых значениях напряженности вероятность запрещенных в нулевом поле переходов превышала вероятность разрешенных. PACS: 78.67.De, 73.21.Fg
Пихтин А.Н., Комков О.С., Базаров К.В. Влияние внешнего электрического поля на вероятность оптических переходов в квантовых ямах InGaAs/GaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 608

Исследованы структурные и оптические свойства массивов квантовых точекInAs, выращенных на подложкахGaAs при низких температурах (250 и350oC) и различной степени разориентации поверхности. Показано, что низкотемпературный рост на сингулярной поверхности сопровождается формированием конгломератов квантовых точек вдоль петлевых дислокаций, а на разориентированной поверхности--- вдоль ступеней, обусловленных вицинальностью поверхности. Образование конгломератов квантовых точек приводит к появлению новой длинноволновой полосы в спектрах экситонной фотолюминесценции. Обнаружена различная степень поляризации спектральной полосы фотолюминесценции для конгломератов разных форм и размеров. PACS: 68.65.Hb, 78.67.Hc, 73.63.Kv, 78.55.Cr
Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Поляков Н.К., Самсоненко Ю.Б., Устинов В.М., Захаров Н.Д., Werner P., Талалаев В.Г., Новиков Б.В. Влияние разориентации подложки GaAs насвойства квантовых точекInAs, выращенных методомМПЭ принизких температурах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 603

Проведено исследование энергий и волновых функций локализованных состояний электрона в квантовой яме в произвольным образом ориентированном по отношению к слоям структуры сильном магнитном и в сильном поперечном электрическом поле. Рассмотрена ситуация, когда энергии размерного квантования и энергия Ландау близки по величине. Изучен характер эволюции спектра при изменении ориентации магнитного поля во всем диапазоне углов. PACS: 73.21.Fg, 73.22.Dj, 73.63.Hs
Теленков М.П., Митягин Ю.А. Спектр электрона вквантовой яме всильных наклонном магнитном ипоперечном электрическом полях // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 597

Исследовались структуры на основе GaN с квантовыми точками InGaN в активной области, излучающие в синем и зеленом диапазонах света. Сравнивались структуры, выращенные как традиционным способом, так и с применением специальных методик выращивания активной области. Применение таких специальных режимов роста стимулирует активированный фазовый распад, приводящий к образованию квантовых точек с существенно большей глубиной локализации электронов. Показано, что образование таких глубоких квантовых точек, так же как и образование более крупных неоднородностей активной области, существенно подавляет латеральный транспорт носителей. Это улучшает характеристики светодиодных структур при малом уровне инжекции, а также увеличивает температурную стабильность квантовой эффективности. PACS: 85.60.Th, 68.55.Bd, 78.67.Hc, 85.60.Dm, 78.55.-m, 85.42.+m, 72.40.+w
Сизов В.С., Сизов Д.С., Михайловский Г.А., Заварин Е.Е., Лундин В.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н. Исследование латерального транспорта носителей вструктурах сквантовыми точками InGaN вактивной области // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 589

Предложены способы определения параметров уровней (энергий и коэффициентов захвата электронов и дырок), участвующих в формировании рекомбинационного потока, рассмотрены температурные зависимости этих параметров для структур AlGaN/InGaN/GaN иInGaN/SiC. Определены параметры уровней, участвующих впроцессах туннельной рекомбинации. PACS: 73.63.Hg, 73.40.Gk
Грушко Н.С., Логинова Е.А., Потанахина Л.Н. Процесс туннельной рекомбинации в пространственно неоднородных структурах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 584

В рамках предложенного ранее спектрально-корреляционного метода исследования полупроводниковых структур с планарно-неоднородными слоями экспериментально исследована при температуре77 K фотолюминесценция структуры на основеGaAs с delta-слоями n-типа. Этот метод позволил изучить на одном образце зависимости особенностей наблюдаемого многокомпонентного спектраФЛ от вариации двух параметров--- расстояния между delta-слоями и состава находящейся между ними узкой квантовой ямы InGaAs. Полученные результаты позволяют связать наблюдаемое экспоненциальное увеличение интенсивности фотолюминесценции из области delta-слоев при изменении этих параметров с изменением соотношения латерально локализованных в минимумах флуктуационного потенциала и свободных двумерных дырок. Обнаружен эффект стабилизации энергетического положения спектральных линий фотолюминесценции, который мы связываем с локализацией дырок в потенциальной яме между delta-слоями. Полученные экспериментальные результаты согласуются с проведенными в работе численными расчетами. PACS: 78.55.Cr, 73.63.-b, 78.67.Pt
Хабаров Ю.В., Капаев В.В., Петров В.А., Галиев Г.Б. Исследования физических явлений вполупроводниковых наноструктурах сиспользованием планарно-неоднородных слоев. Фотолюминесценция структур сэлектронными delta -легированными слоями // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 572

Исследованы фоточувствительные в области 0.5-1.7 мкм фотодиоды, полученные вакуумным магнетронным распылением слоя ITO (SnO2+In2O3) на поверхность монокристалла Hg3In2Te6. Измеренные электрические характеристики при температурах 265-333 K свидетельствуют о термоэлектронном механизме переноса заряда в исследуемых диодах. Вольт-амперная характеристика и ее температурные изменения находят количественное описание на основе энергетической диаграммы и найденных параметров гетероперехода. PACS: 73.40.Lq, 73.50.Pz, 85.60.Dn
Косяченко Л.А., Раренко И.М., Склярчук О.Ф., Герман И.И., Weiguo Sun Электрические характеристики фотодиодов ITO/HgInTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 568

Рассмотрена гетероструктура, образованная включением кубической 3Cобласти между гексагональными \glqq обкладками\grqq. Предполагается, что величина спонтанной поляризации пропорциональна степени гексагональности \glqq обкладок\grqq. Вэтом предположении вычислены значения электростатических полей в кубической области и определено положение двумерных подзон. Оценена энергия квазипрямых и непрямых экситонных переходов с использованием моделей треугольной и прямоугольной ям. Оценки для системы4H/3C/4H показывают вполне удовлетворительное согласие с расчетами других авторов и экспериментальными данными. PACS: 71.35.-y, 77.22.Ej, 73.40.Lq
Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В. Оценки энергии экситонных переходов вгетероструктурах NH/3C/NH (N=2,4,6,8) наоснове политипов карбида кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 563

Методом DLTS исследованы распределения по глубине дефектов, возникающих в кремнии при имплантации ионов бора с энергией14 MэВ, и их трансформация при отжиге в интервале температур 200-800oC. Установлено, что в результате имплантации формируется стандартный набор радиационных дефектов вакансионного типа (комплексы кислород--вакансия, фосфор--вакансия, дивакансии) и центр с уровнем Ec-0.57 эВ. Термообработки при температуре 200-300oC приводят к удалению всех вакансионных комплексов на расстоянии от поверхности h>12-9 мкм. Это происходит, скорее всего, за счет распада межузельных комплексов, локализованных на глубине h>12-9 мкм, и аннигиляции их с вакансионными дефектами. Отжиги при более высоких температурах вызывают дальнейшее сужение слоя, в котором выживают вакансионные дефекты, до h~ 6 мкм при 500oC, и смену наблюдаемых электрически активных центров в интервале температур 400-500oC. Специфика отжига радиационных дефектов после высокоэнергетической ионной имплантации обусловлена пространственным разделением вакансионных и межузельных дефектов. PACS: 61.72.Tt, 61.72.Cc
Антонова И.В., Шаймеев С.С., Смагулова С.А. Трансформация при отжиге электрически активных дефектов вкремнии, имплантированном ионами высоких энергий // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 557

На основе 18-зонной kp-модели проведен анализ волновых функций состояний валентной зоны. Найдено, что обычно используемое приближение не зависящих от энергии эффективных масс для зон легких и тяжелых дырок оправдано только вблизи вершины валентной зоны. Рассмотрены условия сшивания огибающих функций дырок на гетерограницах GaAs/AlAs с ориентациями (111) и(110) как с учетом, так и без учета спин-орбитального взаимодействия для энергий в окрестности вершины валентной зоны. Они получены в результате упрощения описания электронных состояний методом псевдопотенциала. Полученные условия сшивания полностью согласуются с симметрией задачи. Вних присутствует смешивание огибающих функций с их нормальными производными и смешивание производных с функциями. Показано, что смешивание легких и тяжелых дырок на гетерогранице не имеет места для границы(111), но существует для границы(110). Найдено, что для гетерограницы(110) имеется заметно большее, чем для границы(001), резонансное смешивание состояний. PACS: 73.50.Dn, 73.40.Kp
Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н. Рассеяние дырок гетерограницами GaAs/AlAs (111) и(110) // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 549