Методом наведенного тока в растровом электронном микроскопе исследованы фоточувствительные резистивные элементы на основе HgCdTe, фоточувствительность которых понизилась в результате длительной эксплуатации. Показано, что процессы деградации в таких элементах связаны с появлением вблизи контактов областей с пониженной чувствительностью. Проведено моделировние распределения наведенного тока для таких неоднородных элементов. Показано, что сравнение измеренных и рассчитанных распределений сигнала наведенного тока позволяет выявлять наиболее вероятные причины неоднородного понижения чувствительности. Проведенное сравнение показало, что наиболее вероятной причиной понижения чувствительности в исследованных элементах является повышение концентрации доноров в приконтактных областях. PACS: 71.20.Nr, 71.55.Eq, 72.20.Jv
Вергелес П.С., Крапухин В.В., Якимов Е.Б. Исследование резистивных фоточувствительных элементов наоснове HgCdTe методом наведенного тока // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 242

Исследованы электронный транспорт и фотоотклик в терагерцовом диапазоне в полевом транзисторе GaN/AlGaN с субмикрометровым затвором (0.25 мкм) с двумерным электронным газом в канале (концентрация электронов ns~ 5·1012 см-2) при4.2 K. Подвижность носителей заряда в канале транзистора определялась по зависимости проводимости от магнитного поля и составила mu~3500 см2/В·с. Обнаружено, что зависимость фотоэдс на частоте излучения f=574 ГГц от напряжения на затворе (т. е. от концентрации двумерных электронов) имеет характерный максимум, что связывается с резонансным откликом в подзатворной плазме транзистора. PACS:61.82.Fk, 68.65.Fg, 71.10.Ca
Гавриленко В.И., Демидов Е.В., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Knap W., Lusakowski J. Электронный транспорт и детектирование терагерцового излучения всубмикрометровом полевом транзисторе GaN/AlGaN // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 238

Анализ частотной зависимости импенданса резонансно-туннельного диода на основе InGaAs/InAlAs с шириной ямы 5 нм и барьерами толщиной 5 нм в диапазоне частот 0.1-50 ГГц показал, что механизм транспорта в таком диоде в основном последовательный, а не когерентный, что совпадает с проведенными оценками. Обсуждается возможность определения долей когерентного и последовательного механизма транспорта электронов через резонансно-туннельный диод по частотной зависимости его импенданса. PACS: 73.40.Gk, 85.30.Mn
Алкеев Н.В., Аверин С.В., Дорофеев А.А., Velling P., Khorenko E., Prost W., Tegude F.J. Последовательный механизм транспорта электронов врезонансно-туннельном диоде столстыми барьерами // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 233

Исследованы кремниевые фотодиоды, p-область которых имеет сетчатую структуру. Получены аналитические выражения для емкости таких фотодиодов. Проведен анализ влияния размеров ячейки и диффузионной длины неосновных носителей заряда на чувствительность кремниевого сетчатого фотодиода в спектральном диапазоне 0.6-1.0 мкм. Приведены экспериментальные характеристики фотодиодов с сетчатым p-n-переходом с размерами ячеек50 и110 мкм. Обсуждены факторы, определяющие особенности их спектральной характеристики. PACS:85.60.Dw, 72.40.+w, 73.50.Pz.
Блынский В.И., Василевский Ю.Г., Малышев С.А., Чиж А.Л. Кремниевый фотодиод ссетчатым p-n-переходом // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 229

Изучено влияние рекомбинационных и краевых потерь неравновесных квазичастиц на энергетическое разрешение сверхпроводящих туннельных детекторов. Для детекторов Ti/Nb/Al/AlOx/Al/Nb/NbN с пассивным электродом Ti/Nb измерена зависимость сигнала от энергии рентгеновских квантов и изучена форма аппаратурных линий. Проведен анализ экспериментальных данных на основе диффузионной модели туннельных детекторов. PACS: 29.40.Wk, 74.45.+c, 74.78.Fk
Андрианов В.А., Горьков В.П., Кошелец В.П., Филиппенко Л.В. Сверхпроводящие туннельные детекторы рентгеновского излучения. Вопросы энергетического разрешения // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 221

На примере гетероструктур InGaAs/GaAs изучена возможность управления эффективным временем жизни неравновесных носителей заряда посредством контролируемого рассогласования по параметру решетки сопрягаемых материалов гетероструктуры. Установлена связь между соотношением толщины и состава слабо легированных слоев твердого раствора InGaAs и временем жизни неравновесных носителей заряда, что позволяет управлять временем жизни неравновесных носителей заряда в пределах от единиц наносекунд до микросекунды без существенного изменения концентрации подвижных носителей заряда. На основе проведенных исследований изготовлены импульсные p+-p0-pi-n0-n+-диоды, блокирующие напряжения до500 В, коммутирующие токи >~= 10 A при временах переключения, не превышающих10 нс. PACS: 68.55.Ln, 68.55.Nq, 73.40.Kp, 73.50.Gr, 81.05.Ea, 81.15.Gh, 84.30.Jc, 85.30.De, 85.30.Kk
Солдатенков Ф.Ю., Данильченко В.Г., Корольков В.И. Управление временем жизни носителей заряда ввысоковольтных p-i-n-диодах на основе гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 217

Проведено экспериментальное исследование кинетики низкотемпературной фотолюминесценции сверхрешеток второго рода GaAs/AlAs под действием электрического поля поверхностной акустической волны. Обнаружено, что приложение электрического поля приводит к ускорению кинетики фотолюминесценции свободных и локализованных экситонов и фононных повторений, не зависящему от длительности импульса прикладываемого электрического поля. Анализ экспериментальных зависимостей показал, что ускорение кинетики фотолюминесценции связано с транспортом экситонов к центрам безызлучательной рекомбинации, инициированным взаимодействием экситонов с горячими свободными носителями заряда, выброшенными с локализованных состояний. PACS: 61.82.Fk, 68.65.Cd, 73.50.Gr
Гуляев Д.В., Журавлев К.С. Механизм воздействия электрического поля поверхностной акустической волны накинетику низкотемпературной фотолюминесценции сверхрешеток второго родаGaAs/AlAs // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 211

Исследована фотолюминесценция многослойных структур с квантовыми точками InAs, выращенными в p-n-переходе в GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Образование вертикальных колонок квантовых точек подтвреждено данными просвечивающей электронной микроскопии. Показано, что естественное увеличение от слоя к слою размеров квантовых точек приводит к их вертикальному объединению вверху колонки. Разбалансирование электронных уровней, вызванное укрупнением квантовых точек, было компенсировано внешним электрическим полем, и достигнут резонанс основных электронных состояний в колонке. Наступление резонансов контролировалось методами фотолюминесценции: стационарной и с временным разрешением. Показано, что при резонансе растут интенсивность фотолюминесценции, излучательное время жизни экситонов (до0.6-2 нс) и становится малым время туннелирования носителей (менее15 пс). Вне резонанса туннелирование электронов существенно ускоряется участием продольных оптических фононов. Если участвуют только эти фононы, то время нерезонансного туннелирования между квантовыми точками становится меньше, чем время релаксации носителей из барьера (100 и140 пс соответственно). PACS: 73.21.-b, 73.63.Kv, 78.67.-n
Талалаев В.Г., Новиков Б.В., Соколов А.С., Штром И.В., Tomm J.W., Захаров Н.Д., Werner P., Цырлин Г.Э., Тонких А.А. Резонансы вмассиве квантовых точек InAs, управляемые внешним электрическим полем // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 203

Методом молекулярной динамики изучено изменение физических свойств стеклообразных и аморфных наночастиц кремния, содержащих300, 400 и500атомов, при их нагревании от300 до1700 K. Рассчитаны энергия и средняя длина связи Si--Si, определено среднее число связей, приходящихся на один атом. Температурные напряжения приводят к изменению распределения избыточной потенциальной энергии по концентрическим слоям наночастиц. Энергетически наиболее выгодным оказывается средний сферический слой \glqq теплой\grqq наночастицы. Рассмотрено поведение радиальной и тангенциальной компонент коэффициента подвижности атомов в концентрических слоях с изменением температуры. Установлено наличие жидкого слоя на поверхности наночастиц в окрестности перехода к плавлению. Застеклованные наночастицы Sin имеют более высокую кинетическую устойчивость, чем соответствующие им по размеру аморфные частицы. PACS:61.46.Bc
Галашев А.Е., Измоденов И.А., Новрузов А.Н., Новрузова О.А. Компьютерное изучение физических свойств наноразмерных кремниевых структур // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 196

Исследуется пространственная и временная дисперсия диэлектрической проницаемости электронного газа в квазидвумерных квантовых наноструктурах. Впервые получены аналитические выражения для диэлектрической проницаемости в случае квантовой ямы в виде delta-функции и прямоугольной ямы конечной глубины. Получен критерий перехода к строго двумерному и строго трехмерному случаям. PACS: 71.10.Ge, 71.45.Gm, 73.21.Fg
Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г. Диэлектрическая проницаемость квазидвумерных полупроводниковых наноструктур // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 190