Обнаружено расщепление профиля дифракционных линий от плоскостей [110] монокристаллов ZnS : Ag, Cu, Mg на два, иногда на три пика. Проведено...
Обнаружено расщепление профиля дифракционных линий от плоскостей [110] монокристаллов ZnS : Ag, Cu, Mg на два, иногда на три пика. Проведено сравнение относительной интенсивности пиков с полученой из оптических экситонных спектров объемной долей прослоек гексагональной фазы в образцах.
Денисов Е.П., Арешкин А.Г., Федоров Д.Л., Конников С.Г. Рентгеноструктурные исследования монокристаллов ZnS : Ag, Cu, Mg // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 1, Стр. 49
В кристаллах 6H-SiC с примесью скандия обнаружены спектры ЭПР акцепторов скандия и ионов Sc2+ (3d). Спектры ЭПР акцепторов скандия...
В кристаллах 6H-SiC с примесью скандия обнаружены спектры ЭПР акцепторов скандия и ионов Sc2+ (3d). Спектры ЭПР акцепторов скандия характеризуются сравнительно малыми константами сверхтонкого взаимодействия, соответствующими по своим значениям константам для других элементов группы III в SiC, акцепторов бора, алюминия и галлия. Спектры ЭПР акцепторов скандия претерпевают существенные изменения в области температур 20--30 K. В низкотемпературной фазе спектры ЭПР характеризуются орторомбической симметрией, тогда как высокотемпературная фаза имеет более высокую аксиальную симметрию. Спектры ЭПР, появляющиеся при температурах выше 35 K и приписанные нами ионам Sc2+ (3d), или A2--состоянию скандия, имеют существенно большие константы сверхтонкой структуры и более узкие линии по сравнению со спектрами ЭПР акцепторов скандия. Параметры этих спектров ЭПР близки к параметрам Sc2+ (3d) в ионных кристаллах и ZnS, тогда как параметры спектров ЭПР акцепторов скандия больше соответствуют параметрам дырок, локализованных на атомах третьей группы, в частности на атомах скандия в GeO2. Сделан вывод о том, что атомы скандия во всех центрах занимают позицию кремния.
Баранов П.Г., Ильин И.В., Мохов Е.Н., Роенков А.Д., Храмцов В.А. Электронный парамагнитный резонанс скандия в карбиде кремния // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 1, Стр. 52
Для алмазоподобных полупроводников рассчитано расщепление в магнитном поле спиновых уровней основного состояния акцепторного...
Для алмазоподобных полупроводников рассчитано расщепление в магнитном поле спиновых уровней основного состояния акцепторного центра, описываемого суперпозицией кулоновского потенциала и потенциала центральной ячейки. Получено аналитическое выражение для g-фактора в модели потенциала нулевого радиуса, зависящее только от соотношения масс легкой и тяжелой дырок. Показано, что отличия в значениях g-фактора для предельных случаев чисто кулоновского потенциала и потенциала нулевого радиуса не превосходят 5%, что позволяет использовать для оценок найденную аналитическую формулу.
Малышев А.В., Меркулов И.А. Магнитный момент акцепторного центра в кубических полупроводниках // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 1, Стр. 58
Для выяснения возможности повышения эффективности как химической, так и электронной пассивации исследовались свойства...
Для выяснения возможности повышения эффективности как химической, так и электронной пассивации исследовались свойства поверхности GaAs, сульфидированной растворами неорганических сульфидов (Na2S и (NH4)2S ) в различных амфипротонных растворителях (вода, спирты). Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и фотолюминесценции показано, что эффективность как химической, так и электронной пассивации поверхности GaAs возрастает с уменьшением диэлектрической проницаемости используемого растворителя. Степень этого возрастания в растворах сульфида сильного основания (Na2S) выше, чем в растворах сульфида слабого основания ((NH4)2S ).
Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Лебедев М.В. Сравнение эффективности пассивации поверхности GaAs } из растворов сульфидов натрия и аммония // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 1, Стр. 63
Изучены низкотемпературные (4.2--130 K) спектры фотолюминесценции кристаллов HgI2 в спектральной области 540--700 nm. На основании анализа...
Изучены низкотемпературные (4.2--130 K) спектры фотолюминесценции кристаллов HgI2 в спектральной области 540--700 nm. На основании анализа свойств (зависимостей интенсивности от температуры и интенсивности возбуждения, времен послесвечения, спектров возбуждения) полос излучения 560, 620 и 635 nm предложена следующая интерпретация: полоса 560 nm обусловлена излучательной аннигиляцией экситонов, локализованных на вакансиях ртути, за излучение в красной области отвечает рекомбинация на заполненный дырками акцепторный уровень свободных (620 nm) и локализованных на донорах (635 nm) электронов. Оценены энергии соответствующих донорных и акцепторных уровней. Обнаружены новые полосы излучения 545, 575 и 540 nm, обсуждена их природа.
Акопян И.Х., Бондаренко Б.В., Волкова О.Н., Новиков Б.В., Павлова Т.А. Люминесценция кристаллов двуиодистой ртути // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 1, Стр. 67
Abd El-Ati M.I.
- Журнал "Физика Твердого Тела" , 1997
PbTe thin films were prepared by vacuum technique with different thicknesses ranged from 550 to 3000 Angstrem. The electrical resistivity as a function of the film thickness and mobility was measured. The dependence of...
PbTe thin films were prepared by vacuum technique with different thicknesses ranged from 550 to 3000 Angstrem. The electrical resistivity as a function of the film thickness and mobility was measured. The dependence of log (resistivity) and log (current) were studied as a function of the universal of temperature. The activation energies were estimated before and after the break. The transition of conductivity from n-type to p-type is attributed to the tincrease of migrating lead vacancies. An increase of the applied voltages on the thin films caused the shift of breaking temperature to higher temperatures. This is attributed to creation of Pb vacancies which retard the break.
Abd El-Ati M.I. Electrical conductivity of PbTe thin films // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 1, Стр. 79
Исследован вязкоупругий отклик кристалла-суперпротонного проводника при переходе в состояние структурного стекла. Рассмотрен...
Исследован вязкоупругий отклик кристалла-суперпротонного проводника при переходе в состояние структурного стекла. Рассмотрен механизм ультразвуковой релаксации, связанный с диффузией разупорядоченных протонов. Установлена анизотропия термоактивационных параметров.
Якушкин Е.Д., Баранов А.И. Ультразвуковая релаксация при переходе кристалла CTSM в фазу протонного стекла // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 1, Стр. 89
В области низких температур экспериментально исследованы температурные зависимости постоянных решетки, теплоемкости и...
В области низких температур экспериментально исследованы температурные зависимости постоянных решетки, теплоемкости и теплопроводности керамического AlN. Полученные данные сопоставлены с литературными, полученными для высокотемпературной области. Установлено наличие отрицательного коэффициента термического расширения (КТР).
Иванов С.Н., Попов П.А., Егоров Г.В., Сидоров А.А., Корнев Б.И., Жукова Л.М., Рябов В.П. Теплофизические свойства керамического нитрида алюминия // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 1, Стр. 93
Исследованы электрические свойства монослоев Cu--O, интеркалированных в кристаллический графит, на сверхвысоких частотах (до 1 GHz) в...
Исследованы электрические свойства монослоев Cu--O, интеркалированных в кристаллический графит, на сверхвысоких частотах (до 1 GHz) в интервале температур 80--400 K. При повышении температуры выше 300 K сопротивление исходных образцов графита возрастает, что обусловлено десорбцией кислорода. При нагреве образцов с интеркалированными слоями Cu--O в интервале температур 95--130 K наблюдается переход из металлического в полупроводнике (или диэлектрическое) состояние. При T=8 K данные образцы обнаруживают микроволновое поглощение, свойственное сверхпроводникам (при T=260 K эффект не регистрируется).
Мастеров В.Ф., Приходько А.В., Коньков О.И., Шакланов А.А. Электрические свойства монослоев Cu--O, интеркалированных в кристаллический графит // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 1, Стр. 97
Предпринята попытка понять природу одного из типов неэкспоненциальной релаксации --- релаксации типа Коула--Девидсона. Для этого...
Предпринята попытка понять природу одного из типов неэкспоненциальной релаксации --- релаксации типа Коула--Девидсона. Для этого предложена модель самоподобного процесса релаксации. Получено и решено уравнение, содержащее операторы дробного интегродифференцирования, которому подчиняется функция релаксации в этом случае.
Нигматуллин Р.Р., Рябов Я.Е. Диэлектрическая релаксация типа Коула--Девидсона и самоподобный процесс релаксации // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 1, Стр. 101
