Поиск публикаций Научные конференции и семинары Новости науки Научная сеть

 Найдено научных статей и публикаций: 83, для научной тематики: аморфные


Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 



1.

Радиационная стойкость пористого кремния     

Ушаков В.В., Дравин В.А., Мельник Н.Н., Караванский В.А., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Исследовано влияние радиационного воздействия ионов Ar+ с энергией 300кэВ и дозами 5· 1014/ 1· 1016 см-2 на свойства пористого кремния,...
2.

Структура и свойства пористого кремния, полученного фотоанодированием     

Астрова Е.В., Ратников В.В., Витман Р.Ф., Лебедев А.А., Ременюк А.Д., Рудь Ю.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Приводятся результаты исследования слоев пористого кремния (ПК), полученного электрохимическим травлением Si p-типа проводимости в...
3.

Фотолюминесценция пористого арсенида галлия     

Горячев Д.Н., Сресели О.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Исследована фотолюминесценция в видимой и инфракрасной областях спектра пористого GaAs, полученного с помощью электролитического...
4.

Метастабильность и релаксационные процессы ваморфном гидрогенизированном кремнии     

Будагян Б.Г., Айвазов А.А., Мейтин М.Н., Сазонов А.Ю., Бердников А.Е., Попов А.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Проведено исследование кинетики структурной релаксации в аморфном гидрогенизированном кремнии a-Si : H, осажденном различными...
5.

Релаксация созданного освещением метастабильного состояния a-Si : H p-типа, легированного бором     

Казанский А.Г., Ларина Э.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Исследована релаксация темновой проводимости пленок a-Si : H, легированных бором, после их освещения в интервале температур 360-470 K....
6.

Исследования структуры пористого фосфида галлия     

Заварицкая Т.Н., Караванский В.А., Квит А.В., Мельник Н.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Впервые получены свободные пленки пористого GaP и исследована их микроструктура методами просвечивающей электронной микроскопии...
7.

Влияние зарядового состояния дефектов наиндуцированную светом кинетику фотопроводимости аморфного гидрированного кремния     

Голикова О.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Проведены исследования фотопроводимости и плотности дефектов в пленках нелегированного a-Si : H под воздействием света (W=114 мВт / см2,...
8.

Эффект стаблера--вронского в зависимости от положения уровня ферми и структуры нелегированного аморфного гидрированного кремния     

Голикова О.А., Казанин М.М., Кудоярова В.Х. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Проведены исследования скорости деградации фотопроводимости gamma (sigmaph~ t-gamma) пленок нелегированного аморфного гидрированного...
9.

Исследование фотоэдс в структурах <пористый Si>/Si методом импульсного фотонапряжения     

Тимошенко В.Ю., Константинова Е.А., Дитрих Т. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Фотовольтаические явления в структурах < пористый Si>/Si ( por-Si/p-Si) исследованы методом импульсного фотонапряжения в интервале...
10.

Дефекты, ближний и средний порядок в структурной сетке аморфного гидрированного кремния     

Голикова О.А., Кудоярова В.Х. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Исследовано влияние дефектов (оборванных связей Si--Si), образованных в процессе осаждения пленок a-Si : H методом тлеющего разряда, при...