Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 83, для научной тематики: Аморфные


1.

Радиационная стойкость пористого кремния     

Ушаков В.В., Дравин В.А., Мельник Н.Н., Караванский В.А., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Ушаков В.В., Дравин В.А., Мельник Н.Н., Караванский В.А., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю. Радиационная стойкость пористого кремния // ФТП, 1997, том 31, выпуск 9, Стр. 1126
2.

Структура и свойства пористого кремния, полученного фотоанодированием     

Астрова Е.В., Ратников В.В., Витман Р.Ф., Лебедев А.А., Ременюк А.Д., Рудь Ю.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Астрова Е.В., Ратников В.В., Витман Р.Ф., Лебедев А.А., Ременюк А.Д., Рудь Ю.В. Структура и свойства пористого кремния, полученного фотоанодированием // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1261
3.

Фотолюминесценция пористого арсенида галлия     

Горячев Д.Н., Сресели О.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Горячев Д.Н., Сресели О.М. Фотолюминесценция пористого арсенида галлия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 11, Стр. 1383
4.

Метастабильность и релаксационные процессы ваморфном гидрогенизированном кремнии     

Будагян Б.Г., Айвазов А.А., Мейтин М.Н., Сазонов А.Ю., Бердников А.Е., Попов А.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Будагян Б.Г., Айвазов А.А., Мейтин М.Н., Сазонов А.Ю., Бердников А.Е., Попов А.А. Метастабильность и релаксационные процессы ваморфном гидрогенизированном кремнии // ФТП, 1997, том 31, выпуск 12, Стр. 1449
5.

Релаксация созданного освещением метастабильного состояния a-Si : H p-типа, легированного бором     

Казанский А.Г., Ларина Э.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Казанский А.Г., Ларина Э.В. Релаксация созданного освещением метастабильного состояния a-Si : H p-типа, легированного бором // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 117
6.

Исследования структуры пористого фосфида галлия     

Заварицкая Т.Н., Караванский В.А., Квит А.В., Мельник Н.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Заварицкая Т.Н., Караванский В.А., Квит А.В., Мельник Н.Н. Исследования структуры пористого фосфида галлия // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 235
7.

Влияние зарядового состояния дефектов наиндуцированную светом кинетику фотопроводимости аморфного гидрированного кремния     

Голикова О.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Голикова О.А. Влияние зарядового состояния дефектов наиндуцированную светом кинетику фотопроводимости аморфного гидрированного кремния // ФТП, 1998, том 32, выпуск 3, Стр. 345
8.

Эффект стаблера--вронского в зависимости от положения уровня ферми и структуры нелегированного аморфного гидрированного кремния     

Голикова О.А., Казанин М.М., Кудоярова В.Х. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Голикова О.А., Казанин М.М., Кудоярова В.Х. Эффект Стаблера--Вронского в зависимости от положения уровня Ферми и структуры нелегированного аморфного гидрированного кремния // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 484
9.

Исследование фотоэдс в структурах <пористый Si>/Si методом импульсного фотонапряжения     

Тимошенко В.Ю., Константинова Е.А., Дитрих Т. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Тимошенко В.Ю., Константинова Е.А., Дитрих Т. Исследование фотоэдс в структурах <пористый Si>/Si методом импульсного фотонапряжения // ФТП, 1998, том 32, выпуск 5, Стр. 613
10.

Дефекты, ближний и средний порядок в структурной сетке аморфного гидрированного кремния     

Голикова О.А., Кудоярова В.Х. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Голикова О.А., Кудоярова В.Х. Дефекты, ближний и средний порядок в структурной сетке аморфного гидрированного кремния // ФТП, 1998, том 32, выпуск 7, Стр. 876