Для серии гребнеобразных полимеров, полученных путем полимераналогичных превращений, исследованы нелинейные оптические и светочувствительные свойства. Воснову химической модификации положено взаимодействие полиамидоимидов с боковыми карбоксильными группами с глицидиловыми эфирами азокрасителей, выпускаемых промышленностью (DR-1, DO-13, DY-7). Показано, что прозрачные пленки этих пoлимеров обладают достаточно высокой электрофотографической светочувствительностью (на уровне 104 см2/Дж), а коэффициент генерации второй гармоники d33, характеризующий нелинейные оптические свойства, находится в пределаx 4.5-6 пм/В. PACS: 73.61.Ph, 78.66.Qn, 79.60.Fr
Александрова Е.Л., Гойхман М.Я., Субботина Л.И., Смирнов Н.Н., Бурсиан А.Э., Якиманский А.В., Кудрявцев В.В. Нелинейные оптические и светочувствительные свойства полиамидоимидов, содержащих промышленные азокрасители // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1381

Исследовалось влияние примеси гольмия(Ho) на фотоэлектрические свойства монолитных и пленочных образцов As2Se3 и(As2S3)0.3(As2Se3)0.7. Измерения относительной фотопроводимости на монолитных образцах и спектрального распределения фототока на пленочных образцах показали увеличение фотопроводимости веществ при их легированииHo в концентрации 0.010-0.015 ат%. Из спектрального распределения фототока и оптического поглощения установлено, что с увеличением концентрацииHo до0.015 ат % ширина запрещенной зоны монотонно уменьшается от1.88 до1.85 эВ дляAs2Se3 и от2.05 до2.00 эВ для (As2S3)0.3(As2Se3)0.7, а затем слабо возрастает до значений в исходных чистых материалах. PACS: 72.40.+w, 73.50.Pz, 78.40.Pg
Бурдиян И.И., Сенокосов Э.А., Косюк В.В., Пынзарь Р.А. Влияние примеси гольмия(Ho) нафотоэлектрические свойстваAs2Se3 и(As2S3)0.3(As2Se3)0.7 // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1250

Представлены результаты исследования методом ядерного квадрупольного резонанса халькогенидных полупроводников составов As2Se3 иAs14Sb4Se27. Показано, что в образце стеклообразного As2Se3, выдержанного в течение длительного времени при комнатной температуре, произошла частичная кристаллизация, в результате чего наблюдается изменение формы спектра ядерного квадрупольного резонанса. Впервые измерен спектр75As в стеклообразном As14Sb4Se27 при температуре77 K. Сделано предположение о возможном вкладе в широкую линию квадрупольного резонанса ядер121Sb или123 Sb. Показано, что применение спектроскопии фурье-спин-эхо-изображений (nuclear spin-echo Fourier-transform mapping spectroscopy) для реконструкции очень широких линий ядерного квадрупольного резонанса не имеет преимущества перед методом реконструкции по точкам из интегральной интенсивности сигналов эха. PACS: 76.60.Gv, 61.43.Dq
Корнева И.П., Синявский Н.Я., Ostafin M., Nogaj B. Спектры ядерного квадрупольного резонанса стеклообразных полупроводников // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1120

Методы спектральной эллипсометрии применены для анализа оптических свойств наноалмазного композита в диапазоне энергий фотонов 1.4-5 эВ, характерных для pi-pi*-переходов в аморфном углероде. Нанокомпозит синтезировался формовкой порошка наноалмаза и последующим связыванием алмазных наночастиц пироуглеродом за счет гетерогенной химической реакции разложения метана. Восстановлена дисперсия мнимой и действительной частей диэлектрической функции. Показано, что мнимую часть диэлектрической функции можно представить как сумму двух компонент, порождаемых двумя типами оптических переходовpi-pi*. Максимальный вклад переходов первого и второго типов проявляется при энергиях2.6 и5.6 эВ соответственно, что при переходе к оптической плотности дает энергии2.9 и6.11 эВ. Установлено, что основные особенности нормированной оптической плотности наноалмазного композита и поли(пара-фениленвинилена) практически совпадают. Определена энергия sigma+pi-плазмона пироуглеродной составляющей наноалмазного композита,24.2 эВ, на основании этого значения сделана оценка плотности матрицы пироуглерода, которая оказалась равной2 г/см3. Сиспользованием представлений об оптимальном заполнении элементарного объема атомами углерода в аморфном материале такой плотности восстановлен аллотропный состав матрицы пироуглерода. PACS: 78.20.Ci, 78.66.Sq, 77.84.Df
Ястребов С.Г., Гордеев С.К., Гаррига М., Алонсо И.А., Иванов-Омский В.И. Спектральная эллипсометрия наноалмазного композита // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 850

Исследованы спектры люминесценции пористого кремния, их температурные зависимости, а также трансформация в процессе старения. Показано, что инфракрасная полоса, преобладающая в свежеприготовленных образцах, обусловлена рекомбинацией экситонов в кремниевых кристаллитах. Впроцессе старения наблюдалось появление с коротковолновой стороны хорошо выделенной дополнительной полосы. Предполагается, что она обусловлена рекомбинацией носителей, возбужденных в кремниевых кристаллитах, через центры в окисле. Показано, что широкая полоса, обычно наблюдающаяся в окисленном пористом кремнии, является суперпозицией двух указанных полос. Получены зависимости положений их максимумов и интенсивностей от времени старения и температуры, а также информация о распределении окисных центров по глубине пористого слоя. PACS: 81.65.Cf, 81.05.Rm, 78.55.Mb
Булах Б.М., Корсунская Н.Е., Хоменкова Л.Ю., Старая Т.Р., Шейнкман М.К. О влиянии процесса окисления на эффективность испектр люминесценции пористого кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 614

Исследована электрохимическая интеркаляция лития в тонкие пленки a-Si : H, полученные при температурах100 и250oC на подложках из нержавеющей стали. Интеркаляционная емкость пленок, полученных при 250oC, составляет~1750 и~500 мА·ч/г впервом и сотом циклах. Коэффициент диффузии лития в пленках составляет~10-12 см2/с. PACS: 82.47.Aa, 66.30.Qa, 73.740.Mn, 66.30.Jt
Кулова Т.Л., Скундин А.М., Плесков Ю.В., Коньков О.И., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н. Интеркаляция лития в тонкие пленки аморфного кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 473

Предложена модель электролюминесценции, возникающей в структуре металл/пористый кремний при обратном смещении образующегося барьера Шоттки. Модель учитывает лавинное умножение горячих носителей заряда и безызлучательную оже-рекомбинацию в пористом кремнии. Установлено, что различие в закономерностях возрастания электронного и дырочного тока за счет генерации неосновных носителей заряда при лавинном умножении горячих электронов ведет к сверхлинейному росту интенсивности излучательной рекомбинации от тока. Врежиме лавинного пробоя происходит снижение эффективности излучательной рекомбинации за счет увеличения вклада оже-процессов. Показано, что одним из основных путей увеличения эффективности электролюминесценции пористого кремния является увеличение в нем концентрации нанокристаллитов. PACS: 78.60.Fi, 81.40.Tv, 61.43.Gt, 73.40.Ns
Берашевич Ю.А., Лазарук С.К., Борисенко В.Е. Электролюминесценция в пористом кремнии приобратном смещении барьераШоттки // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 240

Импеданс нанокристаллической керамики SnO2 со средним размером кристаллитовd от3 до43 нм исследован в диапазоне частот от1 до106 Гц при температурах от25 до300oC в атмосфере сухого кислорода. Анализ экспериментальных данных, проведенный с использованием графоаналитического метода, позволил разделить вклады в проводимость, обусловленные объемом зерен и межкристаллитными границами. Показано, что по характеру проводимости исследованные образцы можно условно разделить на две группы. Для образцов со средним размером нанокристаллитов d
Васильев Р.Б., Дорофеев С.Г., Румянцева М.Н., Рябова Л.И., Гаськов А.М. Импеданс-спектроскопия ультрадисперсной керамикиSnO2 сварьируемым размером кристаллитов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 108

Методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгенофазового анализа исследована структура композитов опал--ZnO. Показано, что в процессе термообработки инфильтрованных образцов происходит твердофазная реакция взаимодействия на границе раздела опал--ZnO с образованием силиката цинка beta-Zn2SiO4 и его высокотемпературной фазы--- виллемита Zn2SiO4. Исследована зависимость структуры и эмиссионных свойств нанокомпозита от степени заполнения. Для образца, прошедшего 25 циклов заполнения, обнаружена люминесценция в синей области спектра (430 нм), обусловленная фаза beta-Zn2SiO4. Угловые зависимости спектров люминесценции и отражения композита опал--ZnO с 4 циклами заполнения свидетельствуют об эффекте подавления спонтанного излучения оксида цинка в фотонной щели.
Емельченко Г.А., Грузинцев А.Н., Ковальчук М.Н., Масалов В.М., Самаров Э.Н., Якимов Е.Е., Barthou C., Зверькова И.И. Нанокомпозиты опал--ZnO: структура иэмиссионные свойства // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1375

Методами инфракрасной спектроскопии и фотолюминесценции изучались процессы изменения состава оксидной фазы пленки SiOx и выделения фазы Si в процессе быстрого термического отжига в интервалах времен 1--40 с и температур 500--1000oC. При температурах 600--700oC впервые наблюдалась кинетика фазовыделения: рост количества выпавшего кремния с увеличением времени отжига и выход на насыщение. При температурах выше 900oC процесс разделения фаз завершается уже за 1 c. Врамках модели диффузионно-контролируемого формирования наночастиц Si проведена оценка величины коэффициента диффузии. Полученные значения на 5--10 порядков превышают коэффициенты диффузии кремния в SiO2 и Si и сравнимы с коэффициентами диффузии кислорода в подобных структурах. Предполагается, что именно подвижность кислорода лежит в основе механизма структурно-фазовых превращений слоев SiOx и образования наночастиц Si в процессе отжига.
Данько В.А., Индутный И.З., Лысенко В.С., Майданчук И.Ю., Минько В.И., Назаров А.Н., Ткаченко А.С., Шепелявый П.Е. Кинетика фазово-структурных преобразований втонких пленках SiOx впроцессе быстрого термического отжига // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1239