Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: более 1000, для научной тематики: Полупроводники

291.

Релаксация фотовозбужденного хлорида серебра     

Клюев В.Г., Герасименко Ю.В., Коробкина Н.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
В процессе термической релаксации фотовозбужденного хлорида серебра наряду с процессом рекомбинации неравновесных носителей заряда наблюдается перелокализация их с мелких уровней на глубокие. Наблюдаемые экспериментальные зависимости параметров фотостимулированной вспышки люминесценции (высвеченн...
292.

Легирование эпитаксиальных слоев игетероструктур наосновеHgCdTe     

Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Приводится обзор литературы по легированию эпитаксиальных слоев твердых растворов HgCdTe и гетероструктур на их основе. Анализируются основные изменения в технологии легирования HgCdTe, произошедшие при переходе от приборных структур, изготовленных на основе объемного материала, к структурам на о...
293.

Идеальный статический пробой в высоковольтных(1 кВ) диодных p-n-структурах сохранными кольцами наоснове 4H-SiC     

Иванов П.А., Грехов И.В., Ильинская Н.Д., Самсонова Т.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Продемонстрирован практически идеальный статический высоковольтный пробой(1060 В) вp+-n-n+-диодах с охранными кольцами на основе4H-SiC. При легировании n-базы до уровня 1.9· 1016 см-3 напряженность поля пробоя в диоде составляет 2.7·106 В/см. Ток утечки диодов не превышает 5·10-5 А...
294.

Предельное разрешение по энергии карбид-кремниевых детекторов при спектрометрии ионов     

Строкан Н.Б., Иванов А.М., Лебедев А.А., Syvajarvi M., Yakimova R. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Проведено моделирование полного торможения alpha-частицы в SiC методом Монте-Карло и получена гистограмма затрат энергии в актах ядерного рассеяния. Спектр имеет характерную асимметричную форму и ширину линии на половине высоты FWHMnucl~ 4.62 кэВ. Конечная форма спектральной линии получена с...
295.

Непрерывный режим генерации одномодовых метаморфных лазеров наквантовых точках спектрального диапазона1.5 мкм     

Карачинский Л.Я., Kettler T., Гордеев Н.Ю., Новиков И.И., Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Крыжановская Н.В., Жуков А.Е., Семенова Е.С., Васильев А.П., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Ковш А.Р., Щукин В.А., Михрин С.С., Lochmann A., Schulz O., Reissmann L., Bimberg D. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Лазеры с квантовыми точками InAs/InGaAs на метаморфных слоях (In,Ga,Al)As, осажденных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs, продемонстрировали длину волны генерации вблизи 1.5 мкм и дифференциальную квантовую эффективность порядка 50%. Показано, что лазеры с узким полоском...
296.

Хвост локализованных состояний в запрещенной зоне квантовой ямы в системе In0.2Ga0.8N/GaN и его влияние на спектр фотолюминесценции при лазерном возбуждении     

Якобсон М.А., Нельсон Д.К., Константинов О.В., Матвеенцев А.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Экспериментально установлено, что при возрастании плотности мощности возбуждающего излучения азотного лазера от10 до1000 кВт/см2 происходит сдвиг максимума спектра люминесценции GaN на ~ 150 мэВ. Мы связываем большой синий сдвиг с проявлением хвоста плотности локализованных состояний в запре...
297.

Фоточувствительность гетерофотоэлементов ZnO / CdS / Cu(In,Ga)Se2 приgamma -облучении     

Емцев В.В., Николаев Ю.А., Полоскин Д.С., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Якушев М.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Исследовано влияние gamma-облучения (Co60) на фотопреобразование тонкопленочных гетерофотоэлементов ZnO / CdS / Cu(In, Ga)Se2 в естественном и линейно поляризованном излучении. Показано, что проникающее gamma-облучение структур при комнатной температуре практические не оказывает влияния на фотоэл...
298.

Электрические свойства гетеропереходов n-GaN/p-SiC     

Ледяев О.Ю., Стрельчук А.М., Кузнецов А.Н., Середова Н.В., Зубрилов А.С., Волкова А.А., Николаев А.Е., Лебедев А.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Исследовавшиеся в настоящей работе эпитаксиальные слои GaN были выращены методом хлоридно-гидридной газофазовой эпитаксии. Основой для роста служили промышленно выпускаемые фирмой CREE (США) подложки p+-6H-SiC (Na-Nd~ 7.8· 1017 см-3), а также подложки n+-6H-SiC Лэли с предварительно выр...
299.

Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: фотолюминесцентная спектроскопия высокого разрешения     

Крыжков Д.И., Соболев Н.А., Андреев Б.А., Денисов Д.В., Красильник З.Ф., Шек Е.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Исследованы спектры фотолюминесценции при 77 K с разрешением до1 см-1 в светоизлучающих структурах на основе слоев кремния, легированных эрбием в процессе молекулярно-лучевого эпитаксиального роста в диапазоне температур 400-700oC. Вслоях, выращенных при температурах =
300.

Измерения длин диффузии микрометрового диапазона техникой ядерной спектрометрии     

Строкан Н.Б., Иванов А.М., Лебедев А.А., Syvajarvi M., Yakimova R. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Предлагается методика определения значений диффузионных длин в диапазоне 0.5-50 мкм и соответственно минимальных величин времени жизни носителей заряда порядка наносекунд. Используется диодная структура в режиме обратного смещения. Вобласть базы диода инжектируется калиброванный по величине нерав...