В процессе термической релаксации фотовозбужденного хлорида серебра наряду с процессом рекомбинации неравновесных носителей заряда наблюдается перелокализация их с мелких уровней на глубокие. Наблюдаемые экспериментальные зависимости параметров фотостимулированной вспышки люминесценции (высвеченной светосуммы и коэффициента кинетики) от времени релаксации и температуры объяснены в рамках трехуровневой модели, содержащей уровень рекомбинации (люминесценции), глубокий уровень с энергией Delta E~ 1.8 эВ и мелкий уровень с энергией Delta E~ 0.03 эВ относительно дна зоны проводимости. Показано, что адсорбция ионовAg+ приводит к уменьшению энергии активации перелокализации с0.17 до0.03 эВ, что связано с поверхностной природой центров, ответственных за начальную стадию процесса релаксации. PACS: 72.20.Jv, 78.55.Hx
Клюев В.Г., Герасименко Ю.В., Коробкина Н.И. Релаксация фотовозбужденного хлорида серебра // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 23

Приводится обзор литературы по легированию эпитаксиальных слоев твердых растворов HgCdTe и гетероструктур на их основе. Анализируются основные изменения в технологии легирования HgCdTe, произошедшие при переходе от приборных структур, изготовленных на основе объемного материала, к структурам на основе эпитаксиальных пленок. Рассмотрена специфика легирования эпитаксиальных слоев HgCdTe при выращивании их методами жидкофазной эпитаксии, газофазной эпитаксии с использованием металлорганических соединений и молекулярно-пучковой эпитаксии. Проведен анализ электрических свойств легированного материала. Кратко анализируются современные представления о собственных дефектах в HgCdTe и их влиянии на свойства этого материала. PACS: 61.72.Ss, 61.72.Yx, 66.30.Tt, 66.30.Lw, 68.55.Ln
Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Легирование эпитаксиальных слоев игетероструктур наосновеHgCdTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 3

Продемонстрирован практически идеальный статический высоковольтный пробой(1060 В) вp+-n-n+-диодах с охранными кольцами на основе4H-SiC. При легировании n-базы до уровня 1.9· 1016 см-3 напряженность поля пробоя в диоде составляет 2.7·106 В/см. Ток утечки диодов не превышает 5·10-5 А/см2 при обратном напряжении до1000 В. Диоды выдерживают без деструкции лавинный ток1 А/см2, что соответствует рассеиваемой мощности1 кВт/см2.
Иванов П.А., Грехов И.В., Ильинская Н.Д., Самсонова Т.П. Идеальный статический пробой в высоковольтных(1 кВ) диодных p-n-структурах сохранными кольцами наоснове 4H-SiC // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1475

Проведено моделирование полного торможения alpha-частицы в SiC методом Монте-Карло и получена гистограмма затрат энергии в актах ядерного рассеяния. Спектр имеет характерную асимметричную форму и ширину линии на половине высоты FWHMnucl~ 4.62 кэВ. Конечная форма спектральной линии получена сверткой с гауссианом, описывающим вклад флуктуаций ионизации и шумов (детектора и аппаратуры). Результирующая величина FWHM линии составила 8.75 кэВ (при дисперсии шума 1.7 кэВ). Достигнутое на практике разрешение детекторов оказывается в 2 раза худшим расчетной величины. Установлено, что потери заряда при переносе в объеме детектора незначительны и расхождение следует отнести к неоптимальной конструкции \glqq входного окна\grqq.
Строкан Н.Б., Иванов А.М., Лебедев А.А., Syvajarvi M., Yakimova R. Предельное разрешение по энергии карбид-кремниевых детекторов при спектрометрии ионов // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1469

Лазеры с квантовыми точками InAs/InGaAs на метаморфных слоях (In,Ga,Al)As, осажденных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs, продемонстрировали длину волны генерации вблизи 1.5 мкм и дифференциальную квантовую эффективность порядка 50%. Показано, что лазеры с узким полоском работают в одномодовом режиме и выдерживают плотности непрерывного тока свыше 20 кА·см-2 без заметной деградации. Продемонстрирован непрерывный режим генерации с максимальной оптической мощностью 220 мВт. Также показано, что вплоть до самых высоких уровней возбуждения отсутствует эффект шнурования тока и излучения.
Карачинский Л.Я., Kettler T., Гордеев Н.Ю., Новиков И.И., Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Крыжановская Н.В., Жуков А.Е., Семенова Е.С., Васильев А.П., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Ковш А.Р., Щукин В.А., Михрин С.С., Lochmann A., Schulz O., Reissmann L., Bimberg D. Непрерывный режим генерации одномодовых метаморфных лазеров наквантовых точках спектрального диапазона1.5 мкм // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1464

Экспериментально установлено, что при возрастании плотности мощности возбуждающего излучения азотного лазера от10 до1000 кВт/см2 происходит сдвиг максимума спектра люминесценции GaN на ~ 150 мэВ. Мы связываем большой синий сдвиг с проявлением хвоста плотности локализованных состояний в запрещенной зоне квантовой ямы. Показано, что в модели идеальной квантовой ямы, в которой отсутствует хвост плотности локализованных состояний в запрещенной зоне, нельзя объяснить большой синий сдвиг. Предложено феноменологическое выражение для плотности состояний, содержащее подгоночный параметр--- энергию Урбаха, описывающее хвосты плотности локализованных состояний. Таким образом можно описать как длинноволновый край спектра люминесценции, так и большой синий сдвиг. При различной накачке изменяется квазиуровень Ферми фотоэлектронов, который подбирается для каждой экспериментальной кривой. Достигнуто качественное согласие теоретических и экспериментальных спектров рекомбинационного излучения, свидетельствующее об адекватности предположений модели. Из условия квазинейтральности находится поверхностная концентрация носителей, которая на несколько порядков превосходит пироэлектрическую концентрацию в узких квантовых ямах.
Якобсон М.А., Нельсон Д.К., Константинов О.В., Матвеенцев А.В. Хвост локализованных состояний в запрещенной зоне квантовой ямы в системе In0.2Ga0.8N/GaN и его влияние на спектр фотолюминесценции при лазерном возбуждении // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1459

Исследовано влияние gamma-облучения (Co60) на фотопреобразование тонкопленочных гетерофотоэлементов ZnO / CdS / Cu(In, Ga)Se2 в естественном и линейно поляризованном излучении. Показано, что проникающее gamma-облучение структур при комнатной температуре практические не оказывает влияния на фотоэлектрические параметры тонкопленочных гетерофотоэлементов вплоть до потоков Phi~ 1.1·1018 квант / см2. Сделан вывод о возможностях использования гетерофотоэлементов ZnO / CdS / Cu(In, Ga)Se2 в условиях высокого радиационного фона.
Емцев В.В., Николаев Ю.А., Полоскин Д.С., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Якушев М.В. Фоточувствительность гетерофотоэлементов ZnO / CdS / Cu(In,Ga)Se2 приgamma -облучении // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1455

Исследовавшиеся в настоящей работе эпитаксиальные слои GaN были выращены методом хлоридно-гидридной газофазовой эпитаксии. Основой для роста служили промышленно выпускаемые фирмой CREE (США) подложки p+-6H-SiC (Na-Nd~ 7.8· 1017 см-3), а также подложки n+-6H-SiC Лэли с предварительно выращенным слоем p+-6H-SiC. Проведенные в настоящей работе электрофизические исследования подтверждают достаточно хорошее качество полученных n-GaN/p-SiC-гетероструктур. Это показывает перспективность использования данной комбинации ростовых технологий для получения на основе гетеропереходов n-GaN/p-SiC биполярных и полевых транзисторов.
Ледяев О.Ю., Стрельчук А.М., Кузнецов А.Н., Середова Н.В., Зубрилов А.С., Волкова А.А., Николаев А.Е., Лебедев А.А. Электрические свойства гетеропереходов n-GaN/p-SiC // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1452

Исследованы спектры фотолюминесценции при 77 K с разрешением до1 см-1 в светоизлучающих структурах на основе слоев кремния, легированных эрбием в процессе молекулярно-лучевого эпитаксиального роста в диапазоне температур 400-700oC. Вслоях, выращенных при температурах =<q 500oC, доминируют обусловленные эрбием узкие линии, полная ширина которых на половине интенсивности не превышает9 см-1. При этом наблюдаются по крайней мере два разных центра, содержащих ионы Er3+ и примеси углерода. При дальнейшем повышении температуры эпитаксиального роста доминируют широкие линии (>=q 40 см-1), принадлежащие ионам Er3+ в SiOx-преципитатах. Зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции Er-зависимых центров от температуры молекулярно-лучевого эпитаксиального роста представляет собой кривую с максимумом при 500oC.
Крыжков Д.И., Соболев Н.А., Андреев Б.А., Денисов Д.В., Красильник З.Ф., Шек Е.И. Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: фотолюминесцентная спектроскопия высокого разрешения // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1448

Предлагается методика определения значений диффузионных длин в диапазоне 0.5-50 мкм и соответственно минимальных величин времени жизни носителей заряда порядка наносекунд. Используется диодная структура в режиме обратного смещения. Вобласть базы диода инжектируется калиброванный по величине неравновесный заряд. Инжекция осуществляется alpha-частицами естественного распада в режиме одиночного счета. Техникой ядерной спектрометрии измеряется величина заряда, продиффундировавшего в базе к границе области электрического поля. Проведен расчет возникающих в ходе диффузии потерь заряда в зависимости от длины проникновения трека частицы за область поля. Полученные функции имеют степенной характер и позволяют в свою очередь связать значения длины диффузии с величиной показателя степени и численного множителя, описывающего потери заряда. Эксперимент поставлен на слабо легированных эпитаксиальных пленках 4H-SiC.
Строкан Н.Б., Иванов А.М., Лебедев А.А., Syvajarvi M., Yakimova R. Измерения длин диффузии микрометрового диапазона техникой ядерной спектрометрии // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1443