The stationary and time-resolved polariton radiation in ultra-high quality AlGaAs layers have studied. It has been found that elastic exciton--exciton collisions lead to the appearance of a low-energy line of the polariton radiation. We show that the rate of the exciton-to-polariton transitions caused by elastic exciton--exciton collisions is determined not only by the density of the excitonic gas but also by its temperature which is in accordance to existing theoretical predictions. PACS: 71.35.+z, 71.36.+c, 71.38.+i
Shamirzaev T.S., Toropov A.I., Bakarov A.K., Zhuravlev K.S., Kobitski A.Yu., Wagner H.P., Zahn D.R.T. Exciton--polariton transition induced by elastic exciton--exciton collisions in ultra-high quality AlGaAs alloys // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 542

Обсуждаются недостаточно исследованные аспекты проблемы электронных фазовых переходов металл-диэлектрик в полупроводниках: влияние гибридизации резонансных квазилокализованных примесных состояний с состояниями зонного континуума на этот переход; влияние всестороннего давления на характер перехода; особенности превращения металл-диэлектрик в слабо легированных узкозонных и широкозонных полупроводниках в системе водородоподобных примесей в области промежуточного легирования; андерсоновская локализация в сильно легированных полупроводниках. Определены минимальные металлические проводимости в p-CdSnAs2<Cu> при переходах Мотта и Андерсона. Приведены фазовые диаграммы. PACS: 64.70.Kb, 71.30.+h
Даунов М.И., Камилов И.К., Габибов С.Ф. Об электронных фазовых переходах металл-диэлектрик вполупроводниках // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 536

Приведены результаты детального исследования магнитотранспортных свойств разъединенных гетеропереходов IIтипа в системе GaInAsSb/InAs(GaSb). Впервые обнаружен и исследован электронный канал с высокой подвижностью носителей (до50 000-60 000 см2/B·с) в изотипной разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs. Изучен эффект истощения электронного канала и переход от полуметаллической к полупроводниковой проводимости при сильном легировании акцепторами четверного твердого раствора. Детально исследованы магнитотранспортные свойства при температурах 4.2-200 K и получены данные об энергетическом спектре и параметрах двумерных носителей на гетерогранице. Экспериментально установлено, что в гетероструктурах Ga1-xInxAsySb1-y/GaSb в зависимости от состава могут быть реализованы как ступенчатые гетеропереходы (x=0.85), так и разъединенные (x=0.95), что подтверждается теоретическими расчетами. Вгетероструктурах GaInAsSb/InAs : Mn, выращенных на подложках, легированных магнитной примесьюMn с высокой концентрацией (p>5·1018 см-3), обнаружены аномальный эффект Холла и отрицательное магнитосопротивление, обусловленные обменным взаимодействием ионовMn вInAs с высокоподвижными электронами в канале на гетерогранице. PACS: 73.63.Hs, 73.43.Qt, 73.43.-f
Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Липаев А.Ф., Яковлев Ю.П. Магнитотранспортные свойства гетеропереходов IIтипа наоснове GaInAsSb/InAs иGaInAsSb/GaSb // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 519

Микрометровые пленки CdS исследованы методами СВЧ фотопроводимости (резонаторный метод в3 смдиапазоне), рентгенофазового анализа и диффузного отражения. Пленки были получены методом пиролиза аэрозоля из тиомочевинных координационных соединений при температуре подложки 250-550oC и содержали примесь хлора. Для освещения использовали импульсный азотный лазер(337 нм) длительностью импульса10 нс. Обнаружена зависимость параметров отклика СВЧфотопроводимости, энергии запрещенной зоны и микродеформации кристаллической решетки от температуры синтеза пленок. PACS: 73.61.Ga, 73.50.Pz, 73.50.Gr, 78.70.Gq
Сермакашева Н.Л., Шульга Ю.М., Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф. Влияние условий пиролиза аэрозоля водных растворов тиомочевинных комплексов наСВЧфотопроводимость пленок сульфида кадмия // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 513

Экспериментально определено значение эффективной массы дырки в туннельно-тонком (2-3 нм) слое SiO2: mh=(0.32-0.33)m0. Использование этого значения обеспечивает адекватное моделирование дырочного тока прямого туннелирования в приборах на основе МОП структур. Для нахождения указанного параметра впервые применена математическая обработка характеристик транзисторов с туннельным МОП эмиттером, что дает возможность точно найти эффективную толщину окисла, поскольку эффективная масса электрона в SiO2 известна из литературы. При расчетах использовалась модель, в которой вероятность прохождения через барьер зависит только от компоненты энергии частицы Ez, связанной с движением в направлении туннелирования. PACS: 85.30.De, 73.40.Qv
Векслер М.И., Тягинов С.Э., Шулекин А.Ф. Транзистор стуннельным МОП эмиттером как инструмент дляопределения эффективной массы дырки втонкой пленке диоксида кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 498

Проведена параметрическая оптимизация структуры брэгговских зеркал лазера с вертикальным резонатором, в котором для генерации излучения среднего инфракрасного диапазона используется трехволновое нелинейное смещение. Показано, что полоса отражения брэгговских зеркал может быть существенно увеличена по сравнению с обычными четвертьволновыми отражателями, изготовленными из той же пары материалов. При этом открывается принципиальная возможность создания лазера с нелинейным преобразованием частоты на решеточной нелинейности в системе GaAs/AlGaAs, излучающего в диапазоне
Морозов Ю.А., Нефедов И.С., Алешкин В.Я., Морозов М.Ю. Параметрическая оптимизация брэгговских отражателей лазера свертикальным резонатором инелинейным преобразованием частоты // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 493

Исследовано влияние внутризонной релаксации носителей заряда на пороговые характеристики лазеров на квантовых ямах на основе InGaAsP. Исследована зависимость времени внутризонной дырочно-дырочной релаксакции tauint от температуры и концентрации носителей. Показано, что учет конечного значенияtauint и его зависимости от температуры и концентрации носителей оказывает сильное влияние на величину коэффициента усиления и пороговой плотности тока в лазерах на квантовых ямах. PACS: 42.55.Ah, 42.55.Px, 78.67.De
Костко И.А., Гунько Н.А., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г. Влияние внутризонной электронной релаксации напороговые характеристики лазеров наквантовых ямах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 488

Получена лазерная генерация в микродисках с асимметричным волноводом, сформированным методом селективного окисления, при оптической накачке в диапазоне температур 5--180 K. Вкачестве активной области использовались квантовые точки InGaAs, полученные методом субмонослойного осаждения. Экспериментально измеренное значение добротности микродискового резонатора составило не менее 104. Температурный сдвиг длины волны резонансной моды обусловлен дисперсионно-температурной зависимостью эффективного показателя преломления микродиска. Наблюдаемая температурная зависимость порога генерации обусловлена температурным выбросом носителей из квантовых точек вGaAs. PACS: 48.55.Px, 85.60.Jb, 78.45.Lh
Блохин С.А., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Аракчеева Е.М., Танклевская Е.М., Жуков А.Е., Васильев А.П., Семенова Е.С., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Шток Э., Бимберг Д. Оптические исследования микродисков на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs сасимметричным волноводом, сформированным методом селективного окисления // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 482

Исследованы частотные зависимости электропроводности и емкости анизотропного пористого кремния, полученного путем электрохимического травления пластин монокристаллического кремния p-типа с ориентацией поверхности (110). Обнаружено, что во всем исследованном диапазоне частот (5 Гц-13 МГц) и температур (170-370 K) величина электропроводности по направлению наибольшего размера кремниевых нанокристаллов значительно выше, чем по направлению их наименьшего размера. Наоснове анализа экспериментальных данных показано, что основной причиной анизотропии электрического транспорта является анизотропия кремниевых нанокристаллов, составляющих исследуемые образцы пористого кремния. PACS: 72.15.Cz, 72.30.+q
Форш П.А., Мартышов М.Н., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Динамическая электропроводность анизотропно наноструктурированного кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 476

Исследована электрохимическая интеркаляция лития в тонкие пленки a-Si : H, полученные при температурах100 и250oC на подложках из нержавеющей стали. Интеркаляционная емкость пленок, полученных при 250oC, составляет~1750 и~500 мА·ч/г впервом и сотом циклах. Коэффициент диффузии лития в пленках составляет~10-12 см2/с. PACS: 82.47.Aa, 66.30.Qa, 73.740.Mn, 66.30.Jt
Кулова Т.Л., Скундин А.М., Плесков Ю.В., Коньков О.И., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н. Интеркаляция лития в тонкие пленки аморфного кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 473