Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 195, для научной тематики: Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников


1.

Термодинамический анализ процесса роста четверных соединений A IIIB V при молекулярно-пучковой эпитаксии на примере соединений GaxIn1-xPyAs1-y     

Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Устинов В.М., Копьев П.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Предложен метод термодинамического описания процесса роста при молекулярно-пучковой эпитаксии четверных соединений AIIIBV с двумя элементами Vгруппы, позволяющий определять параметры роста, необходимые для получения соединения определенного состава. На основе предоженного метода проведен термодин...
2.

Применение упругого рассеяния света среднего инфракрасного диапазона для исследования процесса внутреннего геттерирования вкремнии, выращенном методом чохральского     

Калинушкин В.П., Бузынин А.Н., Мурин Д.И., Юрьев В.А., Астафьев О.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Методом малоуглового рассеяния света среднего инфракрасного диапазона выполнено исследование влияния процесса внутреннего геттерирования на крупномасштабные дефекты в монокристаллическом кремнии, выращенном методом Чохральского и легированном бором. Проведена классификация крупномасштабных дефект...
3.

Молекулярный эффект при имплантации легких ионов вполупроводники     

Аброян И.А., Никулина Л.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Исследовано накопление структурных дефектов в Si при имплантации одноатомных и двуатомных ионов азота в эквивалентных условиях, т. е. при одинаковых энергиях в расчете на атом, и плотностях потоков атомов. Молекулярный эффект в накоплении дефектов наблюдался лишь при таких дозах, когда степень по...
4.

Исследование структурных свойств слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии принизких температурах     

Галиев Г.Б., Имамов Р.М., Медведев Б.К., Мокеров В.Г., Мухамеджанов Э.Х., Пашаев Э.М., Чеглаков В.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Представлены результаты исследования структурного совершенства эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста (240--300oC) и разных соотношениях потоков As и Ga (от 3 до 13). На кривых дифракционного отражения выявлены характерные особ...
5.

Совместная имплантация кремния и фосфора в нелегированную илегированную индием подложки GaAs     

Дымова Н.Н., Куницын А.Е., Марков А.В., Чалдышев В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Исследованы электрические свойства и низкотемпературная (4.2 K) фотолюминесценция сильнолегированных слоев n-типа проводимости, полученных имплантацией ионов кремния и кремния совместно с фосфором в нелегированные и легированные индием полуизолирующие подложкир GaAs, выращенные методом Чохральско...
6.

Неравновесная сегрегация фосфора в системе диоксид кремния--кремний     

Александров О.В., Афонин Н.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Разработана модель диффузионно-сегрегационного перераспределения примеси в системе SiO2--Si при термическом окислении кремния, учитывающая неравновесный характер сегрегации на движущейся межфазной границе. Путем численного анализа эксперименатльных данных определены величина и температурная завис...
7.

Высокоразрешающие рентгенодифракционные исследования сверхрешеток InAs--GaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией принизкой температуре     

Фалеев Н.Н., Чалдышев В.В., Куницын А.Е., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Третьяков В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии исследованы сверхрешетки InAs--GaAs, выращенные молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой температуре. Показано, что, несмотря на очень высокую концентрацию точечных дефектов, обусловленных наличием избыточного мышьяка, исходная сверхрешетка ...
8.

Рекомбинация носителей заряда в бездислокационном кремнии, содержащем ростовые микродефекты различных типов     

Казакевич Л.А., Лугаков П.Ф. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Анализ температурных и инжекционных зависимостей времени жизни носителей заряда в бездислокационном n-кремнии позволил сделать заключение о рекомбинационной активности ростовых микродефектов различных типов. Определены параметры основных рекомбинационных центров, связанных с микродефектами A- иB-...
9.

Радиационное дефектообразование вкремнии, легированном германием, принизкотемпературном облучении     

Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шумов В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Проведено исследование влияния легирования германием на эффективность образования основных вторичных радиационных дефектов в кремнии при низкотемпературном (T=<90 K) электронном облучении. Снижение эффективности образования A- и V2-центров в Si в условиях эксперимента объясняется в п...
10.

Диффузионное насыщение примесью олова нелегированного аморфного гидрированного кремния     

Куликов Г.С., Ходжаев К.Х. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Методом диффузионного насыщения радиоактивным изотопом 119mSn пленок нелегированного аморфного гидрированного кремния определена растворимость олова в этом материале. Температурная зависимость растворимости олова описывается соотношением S [см-3]=4·1022exp(-0.46/kT [эВ]). ...