Теоретически описано самоупорядочение изоэлектронных примесей магния и кислорода вZnSe. Предсказано появление тетраэдрических ячеек1O4Mg в твердом растворе MgxZn1-xOySe1-y (x>=q4y), обогащенномZnSe, в области разбавленных концентраций кислорода (1· 10-8=<q y=<q 1· 10-3). При выполнении условий, которые представлены для температур роста (300oC) и отжига (500oC), отдельные примесные атомы кислорода должны быть окружены исключительно атомамиMg. Природой этого является термодинамическое преимущество формирования связей Mg--O иZn--Se по сравнению со связями Mg--S иZn--O, а также уменьшение энергии упругих напряжений после самоорганизации изоэлектронных примесей. PACS: 61.72.Bb, 61.72.Ji, 61.72.Yx
Елюхина О.В., Соколовский Г.С., Кучинский В.И. Самоорганизация изоэлектронных примесейMg иO вZnSe // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 129

С помощью метода спектрометрии резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием исследовано накопление структурных нарушений в кремнии при комнатной температуре под воздействием облучения атомарными ионамиP+,F+, а также кластерными ионамиPF+n (n=1... 4) сэнергией2.1 кэВ/а.е.м. и одинаковой скоростью генерации первичных дефектов. Предложены условия для корректного сравнения результатов бомбардировки атомарными и кластерными ионами, состоящими из атомов разного типа. Обнаружено, что характер накопления структурных нарушений в кремнии в случае бомбардировки ионамиPF+n существенно отличается от наблюдаемого как при облучении атомарными ионами, составляющими кластерный ион (P+иF+), так и при бомбардировке атомарными тяжелыми ионами, имеющих атомную массу, близкую к массе кластеровPF+n. Показано, что в эквивалентных условиях облучения кластерные ионы в приповерхностной области производят значительно большее количество нарушений, чем атомарные, т. е.наблюдается молекулярный эффект. Рассмотрены возможные механизмы данного явления. PACS: 61.72.Tt, 61.80.Lj, 61.80.-x, 68.55.Ln
Азаров А.Ю., Титов А.И. Накопление структурных нарушений вкремнии приоблучении кластерными ионамиPF+n средних энергий // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 7

В температурном интервале 300-850 K измерена величина коэффициента теплового линейного расширения монокристаллического SmS. Измерения проведены параллельно дилатометрическим и рентгеновским методами. Показано, что различие результатов, полученных этими двумя методами, объясняется возникновением в результате нагрева фаз SmS с пониженной величиной параметра кристаллической решетки 5.62-5.8 Angstrem, близкой к таковой для металлическогоSmS. PACS: 65.40.De
Каминский В.В., Лугуев С.М., Омаров З.М., Шаренкова Н.В., Голубков А.В., Васильев Л.Н., Соловьев С.М. Температурная зависимость коэффициента теплового линейного расширения монокристаллическогоSmS // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 3

Исследовано развитие в атмосферных условиях естественного окисла на зеркалах лазерных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/Ga0.1Al0.9As0.93Sb0.07 в местах выхода на поверхность зеркал слоев с высоким содержаниемAl. Сэтой целью методами сканирующей зондовой микроскопии изучалось изменение со временем топографии лазерных зеркал, полученных скалыванием гетероструктур в атмосферных условиях, а также в сверхвысоком вакууме. Было отслежено окисление слоев Ga0.1Al0.9As0.93Sb0.07 на поверхности зеркал на протяжении более года и показана длительность развития окисла в течение нескольких месяцев, однако с наступающим затем насыщением при толщине окисла на уровне одного микрона. Естественное окисление протекает с увеличением объема окисляемого слоя, что вызывает его возвышение над поверхностью лазерного зеркала примерно на треть полной толщины развивающегося окисла. Исследования в вакууме позволили исключить предполагавшееся ранее проявление здесь эффекта пластического вытягивания слоев с высоким содержаниемAl над поверхностью скола в момент скола. На начальной стадии окисления возвышение окисла над поверхностью имеет необычную вогнутую область в верхней части, исчезающую по мере развития окисла. Предложено объяснение наблюдаемой трансформации формы окисла, предполагающее изменение химического состава окисла по мере увеличения его толщины. PACS: 68.65.FG, 81.05.Ea, 81.65.Mq, 68.37.Ps
Дементьев П.А., Дунаевский М.С., Макаренко И.В., Петров В.Н., Титков А.Н., Baranov A.N., Yarekha D.A., Laiho R. Формирование естественного окисла назеркалах лазерных гетероструктур в системе GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb вместах выхода слоев свысоким содержаниемAl // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1281

Изложена теоретическая модель для расчета функции распределения квантовых точек по размерам при росте по механизму Странского--Крастанова в гетероэпитаксиальных системах, рассогласованных по параметру решетки. Модель основана на общей теории нуклеации островков при фазовом переходе первого рода, где роль метастабильной фазы играет перенапряженный смачивающий слой, а упругонапряженные трехмерные островки являются зародышами новой фазы. Построенная модель уточняет ряд результатов, полученных ранее. Теория применима на кинетической стадии формирования квантовых точек, когда ансамбль является невзаимодействующим. Вработе дан пример расчета кинетики формирования \glqq hut\grqq кластеров в гетероэпитаксиальной системе Ge/Si(100). PACS: 68.65.Hb; 81.10.Aj
Дубровский В.Г. Расчет функции распределения квантовых точек поразмерам накинетической стадии роста // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1153

Исследована диффузия хрома в GaAs при равновесном давлении паров мышьяка. Определена температурная зависимость коэффициента диффузии и растворимости хрома в GaAs. Температурная зависимость коэффициента диффузии и растворимости хрома описывается уравнением Аррениуса с параметрами для коэффициента диффузии: D0=3.1·105 см2/с, E=3.2±0.4 эВ; для растворимости: NS=2.1·1021 см-3, ES=1.0±0.3 эВ. Полученные экспериментальные результаты сравниваются с ранее опубликованными данными по диффузии хрома при большом давлении паров мышьяка и анализируются с позицийдиссоциативного механизма миграции атомов хрома вGaAs. PACS: 66.30.-h, 81.05.Ea
Хлудков С.С., Корецкая О.Б., Бурнашова Г.Р. Диффузия хрома в GaAs при равновесном давлении паров мышьяка // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1025

Показано, что центрами локального зарождения силицидной фазы CoSi2 являются структурные дефекты поверхности кремния. Втаких дефектах за счет преимущественной диффузии кобальта реализуется локальная экзотермическая реакция, которая инициирует процесс последующей самоподдерживающейся латеральной кристаллизации фазы CoSi2. Показана возможность использования процессов направленного формирования силицидной фазы для изготовления наноразмерных структур без применения операций традиционной литографии и химического травления. PACS: 68.35.Dv, 65.55.Ln, 81.05.Cy, 81.10.Aj
Белоусов И.В., Кузнецов Г.В., Пчеляков О.П. Направленная латеральная кристаллизация силицидной фазы кобальта наповерхности кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 909

Развита модель сегрегационного перераспределения примесей редкоземельных элементов при твердофазной эпитаксиальной кристаллизации слоев кремния, аморфизованных имплантацией. Воснове модели лежит образование на межфазной границе со стороны a-Si переходного слоя с высокой подвижностью атомов, ширина которого определяется диффузионной длиной вакансий в a-Si. Врамках модели проанализированы концентрационные профили Er в кремнии при его соимплантации с кислородом. Показано, что при больших дозах имплантации редкоземельных ионов необходимо учитывать образование кластеров Rm (m=4), где R--- атом редкоземельного элемента, а при соимплантации ионов кислорода--- образование комплексов ROn (n=3-6), влияющих на ширину переходного слоя и коэффициент сегрегации. PACS: 61.72.Cc, 61.72.Ji, 61.72.Tt, 66.30.Jt, 64.75+g
Александров О.В. Влияние кислорода насегрегационное перераспределение редкоземельных элементов ваморфизованных имплантацией слоях кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 903

Исследована диффузия примесей переходных элементов Fe, Cu иCr в сильно легированном p+-, n+- и собственном (при температуре диффузии) GaAs. Использована методика, по которой диффузия примеси осуществляется в структуры на основе GaAs с сильно легированными слоями (p+-n или n+-n). Показано, что коэффициент диффузии примеси в p+-GaAs существенно выше, а в n+-GaAs ниже, чем в i-GaAs. Полученные результаты обсуждаются на основе представлений о влиянии смещения электронно-дырочного равновесия в полупроводнике на процесс диффузии примесей, мигрирующих по диссоциативному механизму. Определена концентрация межузельной компоненты примесей Fe, Cu иCr вGaAs при температуре диффузии. PACS: 68.35.Fx, 66.30.Jt
Хлудков С.С. Влияние смещения электронно-дырочного равновесия напроцесс диффузии переходных металлов вGaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 897

Сообщается о результатах электронно-микроскопических и сенсорных исследований процессов нуклеации ориентированных пленок теллурида кадмия, синтезируемых в резко неравновесных условиях (наподложке, охлажденной до Ts=228 K). Приводятся микрофотографии поверхности, функции распределения островкой новой фазы на начальной стадии и кинетические кривые сенсорного анализа, полученные во время синтеза. Показано, что экспериментальные результаты могут быть непротиворечиво объяснены спинодальным характером эволюции популяции адатомов. PACS: 64.60.Qb; 68.55.Ac; 82.60.Nb; 81.05.Cy.
Беляев А.П., Рубец В.П., Антипов В.В. Механизм нуклеации ориентированных пленок теллурида кадмия, формирующихся врезко неравновесных условиях // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 790