Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 195, для научной тематики: Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников

1.

Самоорганизация изоэлектронных примесейMg иO вZnSe     

Елюхина О.В., Соколовский Г.С., Кучинский В.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
Теоретически описано самоупорядочение изоэлектронных примесей магния и кислорода вZnSe. Предсказано появление тетраэдрических ячеек1O4Mg в твердом растворе MgxZn1-xOySe1-y (x>=q4y), обогащенномZnSe, в области разбавленных концентраций кислорода (1· 10-8=
2.

Накопление структурных нарушений вкремнии приоблучении кластерными ионамиPF+n средних энергий     

Азаров А.Ю., Титов А.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
С помощью метода спектрометрии резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием исследовано накопление структурных нарушений в кремнии при комнатной температуре под воздействием облучения атомарными ионамиP+,F+, а также кластерными ионамиPF+n (n=1... 4) сэнергией2.1 кэВ/а.е.м. и ...
3.

Температурная зависимость коэффициента теплового линейного расширения монокристаллическогоSmS     

Каминский В.В., Лугуев С.М., Омаров З.М., Шаренкова Н.В., Голубков А.В., Васильев Л.Н., Соловьев С.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
В температурном интервале 300-850 K измерена величина коэффициента теплового линейного расширения монокристаллического SmS. Измерения проведены параллельно дилатометрическим и рентгеновским методами. Показано, что различие результатов, полученных этими двумя методами, объясняется возникновением ...
4.

Формирование естественного окисла назеркалах лазерных гетероструктур в системе GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb вместах выхода слоев свысоким содержаниемAl     

Дементьев П.А., Дунаевский М.С., Макаренко И.В., Петров В.Н., Титков А.Н., Baranov A.N., Yarekha D.A., Laiho R. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследовано развитие в атмосферных условиях естественного окисла на зеркалах лазерных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/Ga0.1Al0.9As0.93Sb0.07 в местах выхода на поверхность зеркал слоев с высоким содержаниемAl. Сэтой целью методами сканирующей зондовой микроскопии изучалось изменение со временем топ...
5.

Расчет функции распределения квантовых точек поразмерам накинетической стадии роста     

Дубровский В.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Изложена теоретическая модель для расчета функции распределения квантовых точек по размерам при росте по механизму Странского--Крастанова в гетероэпитаксиальных системах, рассогласованных по параметру решетки. Модель основана на общей теории нуклеации островков при фазовом переходе первого рода, ...
6.

Диффузия хрома в GaAs при равновесном давлении паров мышьяка     

Хлудков С.С., Корецкая О.Б., Бурнашова Г.Р. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследована диффузия хрома в GaAs при равновесном давлении паров мышьяка. Определена температурная зависимость коэффициента диффузии и растворимости хрома в GaAs. Температурная зависимость коэффициента диффузии и растворимости хрома описывается уравнением Аррениуса с параметрами для коэффициента ...
7.

Направленная латеральная кристаллизация силицидной фазы кобальта наповерхности кремния     

Белоусов И.В., Кузнецов Г.В., Пчеляков О.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Показано, что центрами локального зарождения силицидной фазы CoSi2 являются структурные дефекты поверхности кремния. Втаких дефектах за счет преимущественной диффузии кобальта реализуется локальная экзотермическая реакция, которая инициирует процесс последующей самоподдерживающейся латеральной кр...
8.

Влияние кислорода насегрегационное перераспределение редкоземельных элементов ваморфизованных имплантацией слоях кремния     

Александров О.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Развита модель сегрегационного перераспределения примесей редкоземельных элементов при твердофазной эпитаксиальной кристаллизации слоев кремния, аморфизованных имплантацией. Воснове модели лежит образование на межфазной границе со стороны a-Si переходного слоя с высокой подвижностью атомов, шири...
9.

Влияние смещения электронно-дырочного равновесия напроцесс диффузии переходных металлов вGaAs     

Хлудков С.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследована диффузия примесей переходных элементов Fe, Cu иCr в сильно легированном p+-, n+- и собственном (при температуре диффузии) GaAs. Использована методика, по которой диффузия примеси осуществляется в структуры на основе GaAs с сильно легированными слоями (p+-n или n+-n). Показано, что коэ...
10.

Механизм нуклеации ориентированных пленок теллурида кадмия, формирующихся врезко неравновесных условиях     

Беляев А.П., Рубец В.П., Антипов В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Сообщается о результатах электронно-микроскопических и сенсорных исследований процессов нуклеации ориентированных пленок теллурида кадмия, синтезируемых в резко неравновесных условиях (наподложке, охлажденной до Ts=228 K). Приводятся микрофотографии поверхности, функции распределения островкой но...