Поиск публикаций Научные конференции и семинары Новости науки Научная сеть

 Найдено научных статей и публикаций: 195, для научной тематики: атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников


Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 



Подробная информация вот у нас.
1.

Термодинамический анализ процесса роста четверных соединений A IIIB V при молекулярно-пучковой эпитаксии на примере соединений GaxIn1-xPyAs1-y     

Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Устинов В.М., Копьев П.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Предложен метод термодинамического описания процесса роста при молекулярно-пучковой эпитаксии четверных соединений AIIIBV с двумя...
2.

Применение упругого рассеяния света среднего инфракрасного диапазона для исследования процесса внутреннего геттерирования вкремнии, выращенном методом чохральского     

Калинушкин В.П., Бузынин А.Н., Мурин Д.И., Юрьев В.А., Астафьев О.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Методом малоуглового рассеяния света среднего инфракрасного диапазона выполнено исследование влияния процесса внутреннего...
3.

Молекулярный эффект при имплантации легких ионов вполупроводники     

Аброян И.А., Никулина Л.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Исследовано накопление структурных дефектов в Si при имплантации одноатомных и двуатомных ионов азота в эквивалентных условиях, т. е....
4.

Исследование структурных свойств слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии принизких температурах     

Галиев Г.Б., Имамов Р.М., Медведев Б.К., Мокеров В.Г., Мухамеджанов Э.Х., Пашаев Э.М., Чеглаков В.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Представлены результаты исследования структурного совершенства эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных с помощью...
5.

Совместная имплантация кремния и фосфора в нелегированную илегированную индием подложки GaAs     

Дымова Н.Н., Куницын А.Е., Марков А.В., Чалдышев В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Исследованы электрические свойства и низкотемпературная (4.2 K) фотолюминесценция сильнолегированных слоев n-типа проводимости,...
6.

Неравновесная сегрегация фосфора в системе диоксид кремния--кремний     

Александров О.В., Афонин Н.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Разработана модель диффузионно-сегрегационного перераспределения примеси в системе SiO2--Si при термическом окислении кремния,...
7.

Высокоразрешающие рентгенодифракционные исследования сверхрешеток InAs--GaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией принизкой температуре     

Фалеев Н.Н., Чалдышев В.В., Куницын А.Е., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Третьяков В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии исследованы сверхрешетки InAs--GaAs, выращенные молекулярно-лучевой...
8.

Рекомбинация носителей заряда в бездислокационном кремнии, содержащем ростовые микродефекты различных типов     

Казакевич Л.А., Лугаков П.Ф. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Анализ температурных и инжекционных зависимостей времени жизни носителей заряда в бездислокационном n-кремнии позволил сделать...
9.

Радиационное дефектообразование вкремнии, легированном германием, принизкотемпературном облучении     

Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шумов В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Проведено исследование влияния легирования германием на эффективность образования основных вторичных радиационных дефектов в...
10.

Диффузионное насыщение примесью олова нелегированного аморфного гидрированного кремния     

Куликов Г.С., Ходжаев К.Х. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Методом диффузионного насыщения радиоактивным изотопом 119mSn пленок нелегированного аморфного гидрированного кремния определена...