Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 195, для научной тематики: Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников


1.

Термодинамический анализ процесса роста четверных соединений A IIIB V при молекулярно-пучковой эпитаксии на примере соединений GaxIn1-xPyAs1-y     

Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Устинов В.М., Копьев П.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Устинов В.М., Копьев П.С. Термодинамический анализ процесса роста четверных соединений A IIIB V при молекулярно-пучковой эпитаксии на примере соединений GaxIn1-xPyAs1-y // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1153
2.

Применение упругого рассеяния света среднего инфракрасного диапазона для исследования процесса внутреннего геттерирования вкремнии, выращенном методом чохральского     

Калинушкин В.П., Бузынин А.Н., Мурин Д.И., Юрьев В.А., Астафьев О.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Калинушкин В.П., Бузынин А.Н., Мурин Д.И., Юрьев В.А., Астафьев О.В. Применение упругого рассеяния света среднего инфракрасного диапазона для исследования процесса внутреннего геттерирования вкремнии, выращенном методом Чохральского // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1158
3.

Молекулярный эффект при имплантации легких ионов вполупроводники     

Аброян И.А., Никулина Л.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Аброян И.А., Никулина Л.М. Молекулярный эффект при имплантации легких ионов вполупроводники // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1164
4.

Исследование структурных свойств слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии принизких температурах     

Галиев Г.Б., Имамов Р.М., Медведев Б.К., Мокеров В.Г., Мухамеджанов Э.Х., Пашаев Э.М., Чеглаков В.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Галиев Г.Б., Имамов Р.М., Медведев Б.К., Мокеров В.Г., Мухамеджанов Э.Х., Пашаев Э.М., Чеглаков В.Б. Исследование структурных свойств слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии принизких температурах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1168
5.

Совместная имплантация кремния и фосфора в нелегированную илегированную индием подложки GaAs     

Дымова Н.Н., Куницын А.Е., Марков А.В., Чалдышев В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Дымова Н.Н., Куницын А.Е., Марков А.В., Чалдышев В.В. Совместная имплантация кремния и фосфора в нелегированную илегированную индием подложки GaAs // ФТП, 1997, том 31, выпуск 12, Стр. 1409
6.

Неравновесная сегрегация фосфора в системе диоксид кремния--кремний     

Александров О.В., Афонин Н.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Александров О.В., Афонин Н.Н. Неравновесная сегрегация фосфора в системе диоксид кремния--кремний // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 19
7.

Высокоразрешающие рентгенодифракционные исследования сверхрешеток InAs--GaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией принизкой температуре     

Фалеев Н.Н., Чалдышев В.В., Куницын А.Е., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Третьяков В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Фалеев Н.Н., Чалдышев В.В., Куницын А.Е., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Третьяков В.В. Высокоразрешающие рентгенодифракционные исследования сверхрешеток InAs--GaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией принизкой температуре // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 24
8.

Рекомбинация носителей заряда в бездислокационном кремнии, содержащем ростовые микродефекты различных типов     

Казакевич Л.А., Лугаков П.Ф. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Казакевич Л.А., Лугаков П.Ф. Рекомбинация носителей заряда в бездислокационном кремнии, содержащем ростовые микродефекты различных типов // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 129
9.

Радиационное дефектообразование вкремнии, легированном германием, принизкотемпературном облучении     

Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шумов В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шумов В.В. Радиационное дефектообразование вкремнии, легированном германием, принизкотемпературном облучении // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 132
10.

Диффузионное насыщение примесью олова нелегированного аморфного гидрированного кремния     

Куликов Г.С., Ходжаев К.Х. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Куликов Г.С., Ходжаев К.Х. Диффузионное насыщение примесью олова нелегированного аморфного гидрированного кремния // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 135