Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: более 1000, для научной тематики: Полупроводники

141.

Влияние смещения электронно-дырочного равновесия напроцесс диффузии переходных металлов вGaAs     

Хлудков С.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследована диффузия примесей переходных элементов Fe, Cu иCr в сильно легированном p+-, n+- и собственном (при температуре диффузии) GaAs. Использована методика, по которой диффузия примеси осуществляется в структуры на основе GaAs с сильно легированными слоями (p+-n или n+-n). Показано, что коэ...
142.

Перенос носителей заряда вструктуре SiC-детектора после экстремальных доз радиации     

Иванов А.М., Лебедев А.А., Строкан Н.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследовалась эффективность переноса заряда в SiC-детекторах после облучения протонами с энергией8 МэВ при дозе 1014 см-2. По числу первично созданных дефектов режим облучения эквивалентен ожидаемым нарушениям решетки SiC-детекторов при использовании в экспериментах на модернизированном коллайдер...
143.

Электролюминесценция в области межзонных переходов эффективного кремниевого светодиода смалой площадью выпрямляющего контакта     

Емельянов А.М., Забродский В.В., Забродская Н.В., Соболев Н.А., Суханов В.Л. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
При комнатной температуре и плотностях тока (J) через p-n-переход площадью 0.008 мм2 до J=36 кА/см2 исследована электролюминесценция (ЭЛ) Si-диода в области межзонных переходов. На линейном участке зависимости интенсивности ЭЛ от тока кинетика спада ЭЛ описывалась экспонентой с постоянной времени...
144.

Фотопреобразователи на основе эпитаксиальных слоевGaAs иAlGaAs наподложкахGaAs сразвитой площадью поверхности     

Арсентьев И.Н., Бобыль А.В., Борковская О.Ю., Винокуров Д.А., Дмитрук Н.Л., Каримов А.В., Кладько В.П., Конакова Р.В., Конников С.Г., Мамонтова И.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Разработаны газофазная и жидкофазная технологии эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs на подложках GaAs(100) с развитой площадью поверхности. На подложках изготавливались слои пористого GaAs, а также создавались микрорельефы дендритного и решеточного типа. Для оценки качества слоев проведены сопоста...
145.

Электролюминесценция надлине волны 1.54 мкм вструктурах Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии     

Кузнецов В.П., Ремизов Д.Ю., Шабанов В.Н., Рубцова Р.А., Степихова М.В., Крыжков Д.И., Шушунов А.Н., Белова О.В., Красильник З.Ф., Максимов Г.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Вдиодных структурах Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в вакууме~10-7 мбар при температуре 520-580oC, исследована интенсивность электролюминесценции на длине волны1.54 мкм при комнатной температуре в зависимости от концентрации и распределения эрбия и...
146.

Анализ причин падения эффективности электролюминесценции светодиодных гетероструктурAlGaInN прибольшой плотности тока накачки     

Рожанский И.В., Закгейм Д.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Работа посвящена теоретическому объяснению характерного для светодиодных гетероструктур на основе AlInGaN падения эффективности электролюминесценции с ростом тока накачки. Врезультате численного моделирования показано, что рост внешнего квантового выхода при малых значениях плотности тока J~...
147.

Инфракрасная и субмиллиметровая спектроскопия щелевых кремниевых структур     

Круткова Е.Ю., Тимошенко В.Ю., Головань Л.А., Кашкаров П.К., Астрова Е.В., Перова Т.С., Горшунов Б.П., Волков А.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Пропускание щелевых кремниевых структур с периодами4 и7 мкм исследовано в широком спектральном диапазоне методами поляризационно-чувствительной инфракрасной и субмиллиметровой спектроскопии. Экспериментальные результаты, полученные в диапазоне длин волн 1-10 мкм, объясняются в терминах геометриче...
148.

Спектральная эллипсометрия наноалмазного композита     

Ястребов С.Г., Гордеев С.К., Гаррига М., Алонсо И.А., Иванов-Омский В.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Методы спектральной эллипсометрии применены для анализа оптических свойств наноалмазного композита в диапазоне энергий фотонов 1.4-5 эВ, характерных для pi-pi*-переходов в аморфном углероде. Нанокомпозит синтезировался формовкой порошка наноалмаза и последующим связыванием алмазных наночастиц пир...
149.

Высшие гармоники колебаний тока вслабосвязанных сверхрешетках GaAs/AlGaAs     

Расулова Г.К., Брунков Н.П., Жуков А.Е., Устинов В.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Показано, что автоколебания, наблюдаемые в слабосвязанных сверхрешетках GaAs/AlGaAs, являются результатом сложения гармонических колебаний нескольких связанных осцилляторов, каждый из которых представляет собой однобарьерный туннельный диод. Связанные осцилляторы формируют расширенную границу эл...
150.

Влияние энергии фотонов и температуры на эффект замороженной туннельной фотопроводимости структур Al/delta (Si)-GaAs     

Котельников И.Н., Дижур С.Е., Фейгинов М.Н., Мордовец Н.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Методом туннельной спектроскопии при гелиевых температурах исследован эффект замороженой (persistent) туннельной фотопроводимости: сгущение пустых уровней в приповерхностном delta-легированном слое GaAs после внешней подсветки. Показано, что этот эффект обусловлен уширением потенциальной ямы delt...