Исследована диффузия примесей переходных элементов Fe, Cu иCr в сильно легированном p+-, n+- и собственном (при температуре диффузии) GaAs. Использована методика, по которой диффузия примеси осуществляется в структуры на основе GaAs с сильно легированными слоями (p+-n или n+-n). Показано, что коэффициент диффузии примеси в p+-GaAs существенно выше, а в n+-GaAs ниже, чем в i-GaAs. Полученные результаты обсуждаются на основе представлений о влиянии смещения электронно-дырочного равновесия в полупроводнике на процесс диффузии примесей, мигрирующих по диссоциативному механизму. Определена концентрация межузельной компоненты примесей Fe, Cu иCr вGaAs при температуре диффузии. PACS: 68.35.Fx, 66.30.Jt
Хлудков С.С. Влияние смещения электронно-дырочного равновесия напроцесс диффузии переходных металлов вGaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 897

Исследовалась эффективность переноса заряда в SiC-детекторах после облучения протонами с энергией8 МэВ при дозе 1014 см-2. По числу первично созданных дефектов режим облучения эквивалентен ожидаемым нарушениям решетки SiC-детекторов при использовании в экспериментах на модернизированном коллайдере ЦЕРНа (SLHC). Использовалась техника ядерной спектрометрии с тестированием детекторов alpha-частицами с энергией5.4 МэВ. Сучетом произошедшей в ходе облучения глубокой компенсации проводимости SiC предлагается включать структуру в нетрадиционном пропускном направлении. Вэтом режиме ход напряженности электрического поля по координате детектора оказывается более однородным. Для обработки данных эксперимента предложена наглядная модель транспорта носителей. PACS: 07.77.Ka; 87.66.Pm
Иванов А.М., Лебедев А.А., Строкан Н.Б. Перенос носителей заряда вструктуре SiC-детектора после экстремальных доз радиации // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 886

При комнатной температуре и плотностях тока (J) через p-n-переход площадью 0.008 мм2 до J=36 кА/см2 исследована электролюминесценция (ЭЛ) Si-диода в области межзонных переходов. На линейном участке зависимости интенсивности ЭЛ от тока кинетика спада ЭЛ описывалась экспонентой с постоянной времени taud~35 мкс. При J>2.5 кА/см2 зависимость интенсивности ЭЛ от тока становилась сублинейной, а кинетика спада описывалась экспонентой с такой жеtaud, только после начального более быстрого участка спада ЭЛ. Наблюдаемые при J>2.5 кА/см2 закономерности могут быть связаны с существенным вкладом в безызлучательную рекомбинацию, наряду с механизмом Шокли--Рида--Холла, оже-рекомбинации. Показана возможность создания Si-светодиодов с излучаемой мощностью до ~50 мВт при площади излучающей поверхности около6 мм2. PACS: 78.60.Fi, 85.40.Ls, 85.60.Dw
Емельянов А.М., Забродский В.В., Забродская Н.В., Соболев Н.А., Суханов В.Л. Электролюминесценция в области межзонных переходов эффективного кремниевого светодиода смалой площадью выпрямляющего контакта // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 882

Разработаны газофазная и жидкофазная технологии эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs на подложках GaAs(100) с развитой площадью поверхности. На подложках изготавливались слои пористого GaAs, а также создавались микрорельефы дендритного и решеточного типа. Для оценки качества слоев проведены сопоставительные исследования морфологии поверхности и рентгеноструктурные исследования. Далее были разработаны фотопреобразователи на основе этих слоев. Лучшие параметры показали приборы на основе слоев с микрорельефом подложки дендритного типа, которые имели среди исследованных образцов наибольшее развитие площади рабочей поверхности, а плотность дислокаций в слое составляла 104 см-2. Вчастности, внешняя квантовая эффективность фотопреобразователей на длине волны0.65 мкм была выше на150% по сравнению с контрольными образцами, изготовленными на гладкой поверхности. PACS: 68.55.Ce, 68.55.Df, 81.60.Cp, 85.30.Kk, 85.60.Dw
Арсентьев И.Н., Бобыль А.В., Борковская О.Ю., Винокуров Д.А., Дмитрук Н.Л., Каримов А.В., Кладько В.П., Конакова Р.В., Конников С.Г., Мамонтова И.Б. Фотопреобразователи на основе эпитаксиальных слоевGaAs иAlGaAs наподложкахGaAs сразвитой площадью поверхности // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 876

Вдиодных структурах Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в вакууме~10-7 мбар при температуре 520-580oC, исследована интенсивность электролюминесценции на длине волны1.54 мкм при комнатной температуре в зависимости от концентрации и распределения эрбия и донорных примесей в области объемного заряда(ОПЗ), а также от толщиныОПЗ. Найдены пути получения электролюминесценции в диодах, имеющих широкуюОПЗ (0.1-1 мкм). Найдены длина пробега электронов при взаимодействии с центрами Er и значение пороговой энергии свободного электрона, необходимой для возбуждения электрона в оболочкеEr. Экспериментально определены значения напряженности электрического поля при пробое кремниевых p-i-n-диодов, легированных и нелегированныхEr. Предложена модель взаимодействия горячих электронов с центрамиEr. PACS:73.20.Hb, 73.40.Lq, 78.60.Fi, 85.30.Kk
Кузнецов В.П., Ремизов Д.Ю., Шабанов В.Н., Рубцова Р.А., Степихова М.В., Крыжков Д.И., Шушунов А.Н., Белова О.В., Красильник З.Ф., Максимов Г.А. Электролюминесценция надлине волны 1.54 мкм вструктурах Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 868

Работа посвящена теоретическому объяснению характерного для светодиодных гетероструктур на основе AlInGaN падения эффективности электролюминесценции с ростом тока накачки. Врезультате численного моделирования показано, что рост внешнего квантового выхода при малых значениях плотности тока J~ 1 А/см2 обусловлен конкуренцией между излучательной и безызлучательной рекомбинацией. Падение же квантового выхода при плотностях тока J>10 А/см2 связано с уменьшением коэффициента инжекции дырок в активную область. Показано, что в этом эффекте важную роль играет заглубление энергетического уровня акцепторов в эмиттереAlGaN, а также малые значения подвижностей электронов и дырок в p-области. Предложена модификация светодиодной гетероструктуры, в которой спад эффективности с ростом тока накачки наблюдаться не должен. PACS: 42.55.Px, 73.40.Kp, 73.63.Hs, 78.20.Bh, 78.67.De, 85.60.Jb.
Рожанский И.В., Закгейм Д.А. Анализ причин падения эффективности электролюминесценции светодиодных гетероструктурAlGaInN прибольшой плотности тока накачки // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 861

Пропускание щелевых кремниевых структур с периодами4 и7 мкм исследовано в широком спектральном диапазоне методами поляризационно-чувствительной инфракрасной и субмиллиметровой спектроскопии. Экспериментальные результаты, полученные в диапазоне длин волн 1-10 мкм, объясняются в терминах геометрической оптики при учете рассеяния излучения. Вдальнем инфракрасном диапазоне (20-2000 мкм) образцы проявляют сильное двулучепреломление, которое описывается моделью эффективной среды в электростатическиом приближении. Зарегистрировано влияние фотовозбуждения на оптическое пропускание и его анизотропию, что объясняется в рамках модели эффективной среды при учете взаимодействия излучения со свободными носителями заряда. PACS: 81.40.Ty, 78.30.Am, 78.70.Gq, 78.66.Sq
Круткова Е.Ю., Тимошенко В.Ю., Головань Л.А., Кашкаров П.К., Астрова Е.В., Перова Т.С., Горшунов Б.П., Волков А.А. Инфракрасная и субмиллиметровая спектроскопия щелевых кремниевых структур // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 855

Методы спектральной эллипсометрии применены для анализа оптических свойств наноалмазного композита в диапазоне энергий фотонов 1.4-5 эВ, характерных для pi-pi*-переходов в аморфном углероде. Нанокомпозит синтезировался формовкой порошка наноалмаза и последующим связыванием алмазных наночастиц пироуглеродом за счет гетерогенной химической реакции разложения метана. Восстановлена дисперсия мнимой и действительной частей диэлектрической функции. Показано, что мнимую часть диэлектрической функции можно представить как сумму двух компонент, порождаемых двумя типами оптических переходовpi-pi*. Максимальный вклад переходов первого и второго типов проявляется при энергиях2.6 и5.6 эВ соответственно, что при переходе к оптической плотности дает энергии2.9 и6.11 эВ. Установлено, что основные особенности нормированной оптической плотности наноалмазного композита и поли(пара-фениленвинилена) практически совпадают. Определена энергия sigma+pi-плазмона пироуглеродной составляющей наноалмазного композита,24.2 эВ, на основании этого значения сделана оценка плотности матрицы пироуглерода, которая оказалась равной2 г/см3. Сиспользованием представлений об оптимальном заполнении элементарного объема атомами углерода в аморфном материале такой плотности восстановлен аллотропный состав матрицы пироуглерода. PACS: 78.20.Ci, 78.66.Sq, 77.84.Df
Ястребов С.Г., Гордеев С.К., Гаррига М., Алонсо И.А., Иванов-Омский В.И. Спектральная эллипсометрия наноалмазного композита // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 850

Показано, что автоколебания, наблюдаемые в слабосвязанных сверхрешетках GaAs/AlGaAs, являются результатом сложения гармонических колебаний нескольких связанных осцилляторов, каждый из которых представляет собой однобарьерный туннельный диод. Связанные осцилляторы формируют расширенную границу электрополевого домена в режиме отрицательной дифференциальной проводимости. PACS: 72.30.+q, 73.40.Gk, 73.40.Kp.
Расулова Г.К., Брунков Н.П., Жуков А.Е., Устинов В.М. Высшие гармоники колебаний тока вслабосвязанных сверхрешетках GaAs/AlGaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 846

Методом туннельной спектроскопии при гелиевых температурах исследован эффект замороженой (persistent) туннельной фотопроводимости: сгущение пустых уровней в приповерхностном delta-легированном слое GaAs после внешней подсветки. Показано, что этот эффект обусловлен уширением потенциальной ямы delta-слоя. При энергиях фотонов hnu больше ширины запрещенной зоны Eg в GaAs это происходит за счет накопления положительного заряда в глубине GaAs при генерации электронно-дырочных пар и за счет фотоионизации глубоких центров. При hnu
Котельников И.Н., Дижур С.Е., Фейгинов М.Н., Мордовец Н.А. Влияние энергии фотонов и температуры на эффект замороженной туннельной фотопроводимости структур Al/delta (Si)-GaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 839