Поиск публикаций Научные конференции и семинары Новости науки Научная сеть

 Найдено научных статей и публикаций: 108, для научной тематики: полупроводниковые структуры


Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 



1.

Modeling of non-stationary heating of semiconductor structures under HEMP actions with short pulse duration (публикация автора на scipeople)     

Viktor F. Alexeev and Vadim I. Zhuravliov - Device and Materials Reliability, IEEE Transactions on , 2006
This paper intends to explain the thermal model of the temperature distribution in semiconductor structures that are being subjected to high-power electromagnetic pulses. Taking into account the dependence of the semiconductor thermal conductivity...
2.

Избыточность в полупроводниковых микросхемах памяти (публикация автора на scipeople)     

Урбанович П.П., Алексеев В.Ф., Верниковский Е.А. - Минск, Наука и техника , 1995
В монографии рассмотрены вопросы разработки и производства избыточных полупроводниковых микросхем памяти (МП). Описаны...
3.

Механизмы прохождения тока в гетеропереходах теллурид--селенидцинка     

Баранюк В.Е., Махний В.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Исследованы электрические свойства гетеропереходов туллурид--селенид цинка, полученных методом реакций твердофазного замещения....
4.

Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах     

Баженов Н.Л., Зегря Г.Г., Иванов-Омский В.И., Михайлова М.П., Михайлов М.Ю., Моисеев К.Д., Смирнов В.А., Яковлев Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Исследована электролюминесценция в разъединенной одиночной гетероструктуре IIтипа p-GaInAsSb/p-InAs при T=4.2/ 77 K. Показано, что при понижении...
5.

Релаксационные свойства контакта металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник     

Аванесян В.Т., Бордовский В.А., Кастро Р.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Приведены результаты изучения температурной зависимости емкости контакта Al-As2Se2 в области инфранизких частот и оценены значения...
6.

Влияние различных видов обработки поверхности нафотоэлектрические иоптические свойстваCdTe     

Байдуллаева А., Власенко А.И., Мозоль П.Е. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Исследованы спектры фотопроводимости и поглощения света в монокристаллах p-CdTe при различных обработках. Показано, что в механически...
7.

О емкостном профилировании вблизи изотипного гетероперехода     

Зубков В.И., Мельник М.А., Соломонов А.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Предлагается метод аккуратного определения профиля основных носителей заряда вблизи изотипного гетероперехода, учитывающий...
8.

Влияние гетероэпитаксиальной пассивации поверхности наспектры фоточувствительности ирекомбинационные параметры слоев GaAs     

Карпович И.А., Степихова М.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Исследовано влияние гетероэпитаксиальной пассивации поверхности слоев GaAs путем нанесения тонкого слоя In0.5Ga0.5P на спектры...
9.

Локальная электронейтральность и закрепление химического потенциала в твердых растворах соединенийiii--v: границы раздела, радиационные эффекты     

Брудный В.Н., Гриняев С.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
В приближении виртуального кристалла рассчитана мольная зависимость уровня локальной электронейтральности Elnl(X)ABC=XElnl AC+(1-X)...
10.

Фоточувствительность тонкопленочных структур на основе лазерно-осажденных слоев CuIn(TexSe1-x)2     

Боднарь И.В., Гременок В.Ф., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Методом лазерного осаждения были получены тонкие пленки твердых растворов CuIn(TexSe1-x)2, где 0