Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 108, для научной тематики: Полупроводниковые структуры


1.

Modeling of non-stationary heating of semiconductor structures under HEMP actions with short pulse duration (публикация автора на scipeople)     

Viktor F. Alexeev and Vadim I. Zhuravliov - Device and Materials Reliability, IEEE Transactions on , 2006
This paper appears in: Device and Materials Reliability, IEEE Transactions on Issue Date: Sept. 2006 Volume: 6 Issue: 3 On page(s): 429 - 435 ISSN: 1530-4388 INSPEC Accession Number: 9159323 Digital Object Identifier: 10.1109/TDMR.2006.882200 Date of Current Version: 30 Октябрь 2006
2.

Избыточность в полупроводниковых микросхемах памяти (публикация автора на scipeople)     

Урбанович П.П., Алексеев В.Ф., Верниковский Е.А. - Минск, Наука и техника , 1995
Минск: Навука і тэхніка, 1995. − 262 с.
3.

Механизмы прохождения тока в гетеропереходах теллурид--селенидцинка     

Баранюк В.Е., Махний В.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Баранюк В.Е., Махний В.П. Механизмы прохождения тока в гетеропереходах теллурид--селенидцинка // ФТП, 1997, том 31, выпуск 9, Стр. 1074
4.

Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах     

Баженов Н.Л., Зегря Г.Г., Иванов-Омский В.И., Михайлова М.П., Михайлов М.Ю., Моисеев К.Д., Смирнов В.А., Яковлев Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Баженов Н.Л., Зегря Г.Г., Иванов-Омский В.И., Михайлова М.П., Михайлов М.Ю., Моисеев К.Д., Смирнов В.А., Яковлев Ю.П. Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1216
5.

Релаксационные свойства контакта металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник     

Аванесян В.Т., Бордовский В.А., Кастро Р.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Аванесян В.Т., Бордовский В.А., Кастро Р.А. Релаксационные свойства контакта металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник // ФТП, 1997, том 31, выпуск 11, Стр. 1340
6.

Влияние различных видов обработки поверхности нафотоэлектрические иоптические свойстваCdTe     

Байдуллаева А., Власенко А.И., Мозоль П.Е. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1997
Байдуллаева А., Власенко А.И., Мозоль П.Е. Влияние различных видов обработки поверхности нафотоэлектрические иоптические свойстваCdTe // ФТП, 1997, том 31, выпуск 12, Стр. 1428
7.

О емкостном профилировании вблизи изотипного гетероперехода     

Зубков В.И., Мельник М.А., Соломонов А.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Зубков В.И., Мельник М.А., Соломонов А.В. О емкостном профилировании вблизи изотипного гетероперехода // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 61
8.

Влияние гетероэпитаксиальной пассивации поверхности наспектры фоточувствительности ирекомбинационные параметры слоев GaAs     

Карпович И.А., Степихова М.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Карпович И.А., Степихова М.В. Влияние гетероэпитаксиальной пассивации поверхности наспектры фоточувствительности ирекомбинационные параметры слоев GaAs // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 182
9.

Локальная электронейтральность и закрепление химического потенциала в твердых растворах соединенийiii--v: границы раздела, радиационные эффекты     

Брудный В.Н., Гриняев С.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Брудный В.Н., Гриняев С.Н. Локальная электронейтральность и закрепление химического потенциала в твердых растворах соединенийIII--V: границы раздела, радиационные эффекты // ФТП, 1998, том 32, выпуск 3, Стр. 315
10.

Фоточувствительность тонкопленочных структур на основе лазерно-осажденных слоев CuIn(TexSe1-x)2     

Боднарь И.В., Гременок В.Ф., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Боднарь И.В., Гременок В.Ф., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фоточувствительность тонкопленочных структур на основе лазерно-осажденных слоев CuIn(TexSe1-x)2 // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 458