Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 108, для научной тематики: Полупроводниковые структуры

1.

Modeling of non-stationary heating of semiconductor structures under HEMP actions with short pulse duration (публикация автора на scipeople)     

Viktor F. Alexeev and Vadim I. Zhuravliov - Device and Materials Reliability, IEEE Transactions on , 2006
This paper intends to explain the thermal model of the temperature distribution in semiconductor structures that are being subjected to high-power electromagnetic pulses. Taking into account the dependence of the semiconductor thermal conductivity on the temperature, a partial solution of the therma...
2.

Избыточность в полупроводниковых микросхемах памяти (публикация автора на scipeople)     

Урбанович П.П., Алексеев В.Ф., Верниковский Е.А. - Минск, Наука и техника , 1995
В монографии рассмотрены вопросы разработки и производства избыточных полупроводниковых микросхем памяти (МП). Описаны математические модели распределения статистически независимых и группирующихся дефектных и отказавших элементов на кристаллах МП, построенные на базе обширных статистических данных ...
3.

Электрические свойства изотипных гетеропереходов N+- GaSb/n0- GaInAsSb/N+- GaAlAsSb IIтипа     

Ахметоглы (Афраилов) М.А., Андреев И.А., Куницына Е.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
Изучены зонные диаграммы, а также вольт-амперные и вольтъемкостные характеристики изотипных гетероструктур N+-GaSb/n0-GaInAsSb/N+-GaAlAsSb. Исследованы механизмы протекания темнового тока при различных температурах. Показано, что разъединенный гетеропереход демонстрирует свойства диода Шоттки, и ...
4.

Вольт-фарадные характеристики структур наоснове p-Cd0.27Hg0.73Te сширокозонным варизонным слоем наповерхности     

Васильев В.В., Машуков Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2007
-1 Исследуются вольт-фарадные характеристики структуры In-SiO2-<варизонный слой Cd0.71-0.27Hg0.29-0.73Te>-p-Cd0.27Hg0.73Te-GaAs при температуре 80 K и выше. Характеристики имеют гистерезис: при прямом ходе развертки (от обогащения к инверсии) характеристика близка к обычной высокочастотно...
5.

Дисперсия инеустойчивость дрейфовых волн вмелкослоистой полупроводниковой структуре     

Булгаков А.А., Шрамкова О.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Рассмотрены дрейфовые волны в мелкослоистой полупроводниковой периодической структуре, помещенной в электрическое поле, под действием которого возникает дрейф носителей разного знака. Показано, что дрейфовые волны в такой структуре могут распространяться под углом к направлению тока, а их свойств...
6.

Инфракрасная спектроскопия кремниевых сращенных пластин     

Милехин А.Г., Himcinschi C., Friedrich M., Hiller K., Wiemer M., Gessner T., Schulze S., Zahn D.R.T. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Изучены инфракрасные спектры многократного нарушенного полного внутреннего отражения и пропускания кремниевых пластин, полученных методом прямого сращивания (бондинга) в широком диапазоне температур (200-1100oC). Исследованы свойства \glqq захороненного\grqq на границе раздела слоя окисла...
7.

Влияние уровней собственных дефектов взапрещенной зоне CdP2 на электрические свойства структур сбарьером Шоттки наего основе     

Стамов И.Г., Ткаченко Д.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследованы электрические характеристики барьеров Шоттки на электронном дифосфиде кадмия. Установлено, что область объемного заряда является слоем Шоттки и образуется большой концентрацией глубоких центров. Перенос заряда в прямом направлении в таких структурах связан с надбарьерной эмиссией элек...
8.

Поверхностно-барьерные структуры In/p-CuGa3Te5 и In/p-CuGa5Te8: создание исвойства     

Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Боднарь И.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Выращены монокристаллы тройных соединений CuGa3Te5 иCuGa5Te8 и исследованы их физические свойства. На гомогенных кристаллах созданы первые фоточувствительные структуры In/p-CuGa3Te5 и In/p-CuGa5Te8. Выполнены исследования фотоэлектрических свойств новых структур, определены параметры структур и ...
9.

Характеристики гетеропереходов окисел--p-InSe вусловиях рентгеновского облучения     

Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Политанская О.А., Раранский Н.Д. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Установлено влияние характеристического рентгеновского излучения (длина волны lambda=0.056 нм) на фотоэлектрические параметры гетеропереходов <собственный термический окисел>-p-InSe. Исследованы вольт-амперные и спектральные характеристики структур до и после облучения. Обнаруженные изменен...
10.

Влияние сильных магнитных полей на фотоотклик Si : B-структур сблокированной проводимостью по примесной зоне     

Аронзон Б.А., Драченко А.Н., Рыльков В.В., Леотин Ж. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследована магнитополевая зависимость фотопроводимости Si : B-структур с блокированной проводимостью по примесной зоне (BIB-структур) с концентрацией примеси бора в активном слое ~ 1018 см-3. Измерения выполнены в импульсных магнитных полях B до 30 Тл при длительности импульса 0.8 с в диапа...