This paper intends to explain the thermal model of the temperature distribution in semiconductor structures that are being subjected to high-power electromagnetic pulses. Taking into account the dependence of the semiconductor thermal conductivity on the temperature, a partial solution of the thermal flow equation with the second-type boundary conditions was used. Also, the role of the thermal conductivity components is evidently demonstrated as they affect the heat transfer. The calculations clearly indicate that the behavior of the thermal transient depends on the pulse duration. This difference in behavior allows forecasting of the thermal damages in the semiconductor devices
This paper appears in: Device and Materials Reliability, IEEE Transactions on Issue Date: Sept. 2006 Volume: 6 Issue: 3 On page(s): 429 - 435 ISSN: 1530-4388 INSPEC Accession Number: 9159323 Digital Object Identifier: 10.1109/TDMR.2006.882200 Date of Current Version: 30 Октябрь 2006

В монографии рассмотрены вопросы разработки и производства избыточных полупроводниковых микросхем памяти (МП). Описаны математические модели распределения статистически независимых и группирующихся дефектных и отказавших элементов на кристаллах МП, построенные на базе обширных статистических данных о характере и причинах возникновения неисправностей. Изложена методика прогнозирующего расчета выхода годных и надежности избыточных МП. Предложены методы построения и схемотехнические решения устройств нейтрализации ошибок, основанные на резервировании корректирующих кодов. Предназначена для научно-технических работников, специализирующихся в области создания полупроводниковой памяти. Может быть полезна преподавателям, аспирантам и студентам старших курсов вузов соответствующих специальностей.
Минск: Навука і тэхніка, 1995. − 262 с.

Изучены зонные диаграммы, а также вольт-амперные и вольтъемкостные характеристики изотипных гетероструктур N+-GaSb/n0-GaInAsSb/N+-GaAlAsSb. Исследованы механизмы протекания темнового тока при различных температурах. Показано, что разъединенный гетеропереход демонстрирует свойства диода Шоттки, и вольт-амперные характеристики проявляют выпрямляющие свойства во всем температурном диапазоне 90-300 K. При высоких температурах и низких напряжениях преобладает термоэлектронная эмиссия. Этот ток обусловлен термической активацией и забросом электронов из GaInAsSb в GaSb через барьер на гетероинтерфейсе. Сравнение теоретических и экспериментальных данных показало, что при низких температурах туннельный механизм протекания тока является определяющим как для прямого, так и для обратного газа. PACS: 73.40.Kp, 79.40.+z
Ахметоглы (Афраилов) М.А., Андреев И.А., Куницына Е.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. Электрические свойства изотипных гетеропереходов N+- GaSb/n0- GaInAsSb/N+- GaAlAsSb IIтипа // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 154

-1 Исследуются вольт-фарадные характеристики структуры In-SiO2-<варизонный слой Cd0.71-0.27Hg0.29-0.73Te>-p-Cd0.27Hg0.73Te-GaAs при температуре 80 K и выше. Характеристики имеют гистерезис: при прямом ходе развертки (от обогащения к инверсии) характеристика близка к обычной высокочастотной, а при обратном ходе имеется протяженная полка, на которой емкость области пространственного заряда примерно в 2раза больше. Для объяснения хода вольт-фарадной характеристики рассматривается эффект частичной экранировки варизонной части области пространственного заряда от электрического поля тестирующего сигнала, а также эффект формирования потенциальной ямы для электронов у поверхности за счет перезарядки донорных уровней. PACS: 73.40.Cg, 73.40.Lq
Васильев В.В., Машуков Ю.П. Вольт-фарадные характеристики структур наоснове p-Cd0.27Hg0.73Te сширокозонным варизонным слоем наповерхности // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 38

Рассмотрены дрейфовые волны в мелкослоистой полупроводниковой периодической структуре, помещенной в электрическое поле, под действием которого возникает дрейф носителей разного знака. Показано, что дрейфовые волны в такой структуре могут распространяться под углом к направлению тока, а их свойства определяются толщинами слоев и направлением распространения. Эти волны образуются из волн концентрации в отдельных слоях, т. е. являются \glqq коллективными\grqq волнами. Получены условия возникновения неустойчивостей и аналитические соотношения для инкрементов нарастания. Возникновение неустойчивостей связано с обменом энергией между дрейфовыми волнами отдельных слоев. PACS: 73.20.Mf
Булгаков А.А., Шрамкова О.В. Дисперсия инеустойчивость дрейфовых волн вмелкослоистой полупроводниковой структуре // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1420

Изучены инфракрасные спектры многократного нарушенного полного внутреннего отражения и пропускания кремниевых пластин, полученных методом прямого сращивания (бондинга) в широком диапазоне температур (200-1100oC). Исследованы свойства \glqq захороненного\grqq на границе раздела слоя окисла кремния в зависимости от температуры отжига. Показано, что толщина слоя SiO2 растет с увеличением температуры отжига с4.5 до6.0 нм. Анализ частот оптических фононов показал, что с ростом температуры отжига происходит релаксация механических напряжений в слое SiO2. Исследовано изменение характера химических связей на границе раздела кремниевых пластин, сращенных при низкой температуре (20-400oC), в зависимости от химической обработки поверхности пластин перед бондингом. Предложены модели процесса низкотемпературного бондинга после различной химической активации поверхности. PACS: 81.20.Vj, 81.65.Cf, 78.30.Am
Милехин А.Г., Himcinschi C., Friedrich M., Hiller K., Wiemer M., Gessner T., Schulze S., Zahn D.R.T. Инфракрасная спектроскопия кремниевых сращенных пластин // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1338

Исследованы электрические характеристики барьеров Шоттки на электронном дифосфиде кадмия. Установлено, что область объемного заряда является слоем Шоттки и образуется большой концентрацией глубоких центров. Перенос заряда в прямом направлении в таких структурах связан с надбарьерной эмиссией электронов и описывается диффузионной теорией для одного или двух типов носителей заряда. Большая концентрация ионизованных центров в области объемного заряда приводит к туннельному механизму пробоя в обратном направлении. Частотные зависимости комплексной проводимости определяются обменом носителями заряда между зоной проводимости и донором, определяющим тип проводимости материала, а также перезарядкой центров с большей энергией залегания. Получено хорошее согласие рассматриваемых явлений с теорией. PACS:71.55.Gs, 72.30.+q, 72.80.Ey, 73.20.At, 72.30.+q, 73.30.+y
Стамов И.Г., Ткаченко Д.В. Влияние уровней собственных дефектов взапрещенной зоне CdP2 на электрические свойства структур сбарьером Шоттки наего основе // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1196

Выращены монокристаллы тройных соединений CuGa3Te5 иCuGa5Te8 и исследованы их физические свойства. На гомогенных кристаллах созданы первые фоточувствительные структуры In/p-CuGa3Te5 и In/p-CuGa5Te8. Выполнены исследования фотоэлектрических свойств новых структур, определены параметры структур и новых полупроводников, сделан вывод о возможностях их применения в широкополосных фотопреобразователях неполяризованного излучения. PACS: 72.40.+v, 73.30.+y, 85.60.Gz
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Боднарь И.В. Поверхностно-барьерные структуры In/p-CuGa3Te5 и In/p-CuGa5Te8: создание исвойства // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1054

Установлено влияние характеристического рентгеновского излучения (длина волны lambda=0.056 нм) на фотоэлектрические параметры гетеропереходов <собственный термический окисел>-p-InSe. Исследованы вольт-амперные и спектральные характеристики структур до и после облучения. Обнаруженные изменения напряжения холостого хода, тока короткого замыкания, вольт-амперных характеристик и спектров фоточувствительности гетеропереходов обусловлены образованием радиационных дефектов вInSe. Они приводят к увеличению рекомбинационных процессов в механизмах токопереноса, незначительно изменяют скорость поверхностной рекомбинации и не оказывают деструктивного влияния на величину контактной разности потенциалов. Полученные результаты объясняются в рамках электростатической модели образования радиационных дефектов в кристаллической решетке. PACS:73.40Lq, 73.50.Pz, 61.80.Cb
Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Политанская О.А., Раранский Н.Д. Характеристики гетеропереходов окисел--p-InSe вусловиях рентгеновского облучения // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 940

Исследована магнитополевая зависимость фотопроводимости Si : B-структур с блокированной проводимостью по примесной зоне (BIB-структур) с концентрацией примеси бора в активном слое ~ 1018 см-3. Измерения выполнены в импульсных магнитных полях B до 30 Тл при длительности импульса 0.8 с в диапазоне температур T=4.2-9 K при облучении структур фоном комнатной температуры интенсивностью ~ 1016 фотон/см2·c. Установлено, что в продольной геометрии, когда магнитное поле направлено параллельно электрическому полю, падение фототока с увеличением B происходит главным образом из-за уменьшения коэффициента умножения дырок M в поле и(или) из-за увеличения в поле энергии активации прыжковой проводимости в активном слое. При T=4.2 K падение фототока может достигать нескольких десятков раз. Вто же время при пониженных напряжениях смещения Vb, когда M~ 1, и повышенных температурах, T~ 9 K, падение фототока не превышает 2 раз в полях ~ 30 Тл. Обнаружено также, что в поперечной геометрии (магнитное поле перпендикулярно электрическому полю) влияние магнитного поля на фотоотклик структуры существенно увеличивается (при T=4.2 K более чем на порядок). Данный факт объясняется эффектами накопления заряда в нелегированном слое BIB-структур из-за увеличения времени пролета дырками этого слоя, связанного с сильным искривлением траекторий их движения в поперечной геометрии. PACS: 73.40.Lq, 73.50.Pz, 73.50.Gr, 73.50.Jt.
Аронзон Б.А., Драченко А.Н., Рыльков В.В., Леотин Ж. Влияние сильных магнитных полей на фотоотклик Si : B-структур сблокированной проводимостью по примесной зоне // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 819