Исследован процесс формирования оптически активных центров в пленках a-Si : H<Er>, полученных методом магнетронного распыления мозаичной мишени, содержащей Er с примесью кислорода. Врезультате исследования микроструктуры пленок методом электронной микроскопии обнаружены кристаллиты с размерами от 5 до 50 нм в зависимости от концентрации Er. Сделано предположение о влиянии на величину полосы интенсивности фотолюминeсценции в области 1.54 мкм не только локального окружения иона Er, но и процессов самоорганизации.
Мездрогина М.М., Мосина Г.Н., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н. Процессы самоорганизации и оптическая активация ионов Er в пленках аморфного гидрированного кремния, легированногоEr // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 714

Выполнены синтез и структурный анализ трехмерных композитов опал--кремний как с прямой (сразными степенями заполнения пор опала кремнием), так и инвертированной структурой. Вдиапазоне длин волн400-900 нм измерены спектры зеркального отражения света от ростовых поверхностей(111) синтезированных композитов. Наблюдаемые спектральные особенности изучены теоретически и интерпретированы как проявление фотонной запрещенной зоны в направлении[111], перестрaиваемой по положению и ширине в видимом и ближнем инфракрасном спектральном диапазоне.
Голубев В.Г., Кособукин В.А., Курдюков Д.А., Медведев А.В., Певцов А.Б. Фотонные кристаллы сперестрaиваемой запрещенной зоной наоснове заполненных иинвертированных композитов опал--кремний // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 710

Проведено обсуждение экспериментальных данных, свидетельствующее о возможности высокотемпературной сверхпроводимости в стеклообразном селене в образцах, представляющих собой глобулы хорошо известного высокотемпературного сверхпроводника состава Y1Ba2Cu3O7, погруженные в стеклообразныйSe. Возможное сверхпроводящее состояние осуществляется в каналахSe с линейными размерами порядка нескольких микрометров, которые возникают между глобулами Y1Ba2Cu3O7 в результате эффекта переключения. Параметры каналовSe, определенные для нормального и возможного сверхпроводящего состояний, хорошо совпадают со значениями, предсказываемыми моделью U-минус центров.
Приходько А.В., Цэндин К.Д., Попов Б.П. Высокотемпературная сверхпроводимость вхалькогенидных стеклообразных полупроводниках // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 707

Показано, что засветка солнечных элементов аморфного кремния приводит к изменениям темнового тока. Характер релаксации тока после выключения освещения зависит от интенсивности и времени засветки. При определенных временах световой экспозиции возникает токовая неустойчивость в виде хаотических осцилляций, нарастающих со временем и затем резко исчезающих. Наблюдаемый эффект объясняется тем, что при интенсивном освещении в пленке a-Si : H происходит изменение равновесия между различными типами дефектов и начинают доминировать дефекты, блокирующие существующие каналы утечки тока через барьер. Втемноте происходит изменение установившегося на свету равновесия, и блокирующие дефекты со временем исчезают. В моменты, когда их концентрация приближается к значениям, определяющим порог протекания по каналам, возникают хаотические колебания, амплитуда которых нарастает вблизи порогового значения. После частичного или полного восстановления каналов осцилляции исчезают. Хаотический характер осцилляций объясняется случайным характером процессов изменения числа и конфигурации канала.
Воронков Э.Н. Токовая неустойчивость всолнечных элементах наоснове a-Si : H, возникающая после ихзасветки // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 703

Исследованы углеродные пленки, нанесенные из смеси водорода и паров гексана при температуре подложки 150-200oC на кремниевые острийные эмиттеры и плоские подложки методом плазмохимического газофазного осаждения. Покрытия, повышающие эффективность эмиссии острийных эмиттеров, и пленки для плоских эмиттеров наносились при различных условиях травления растущей пленки водородной плазмой. Пленки, нанесенные на плоские подложки, и покрытия острийных эмиттеров обладают высокой оптической прозрачностью, низкой электропроводностью, имеют полимероподобную структуру с высокой концентрацией sp2-связей между атомами углерода и различаются электронной структурой, окружением атомов углеродной решетки, микроплотностью и содержанием водорода в пленке.
Виноградов А.Я., Андронов А.Н., Косарев А.И., Абрамов А.С. Плазмохимическое напыление иэмиссионные свойства углеродных пленок, осаждаемых принизкой температуре // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 698

Проведено исследование фотопроводимости, квантового выхода фотогенерации и дрейфовой подвижности носителей заряда в интервале электрических полей F=(0.1-10)· 105 В/см в тонких пленках органических полупроводников на основе полиимидов, несенсибилизированных и сенсибилизированных красителем. Установлено, что введение красителя приводит к значительному увеличению фотопроводимости (на2-3порядка) и дрейфовой подвижности дырок и электронов. Особенно существенно возрастает подвижность электронов, достигая значений~ 10-3 см2/(В · с) при комнатной температуре иF~ 104 В/см.
Казакова Л.П., Александрова Е.Л., Чернышев А.В. Эффективное управление фотоэлектрическими свойствами полиимидов, содержащих трифениламин // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 695

Методами рентгеновской дифракции, малоуглового рентгеновского рассеяния и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии проведены структурные исследования порошков нанопористого углерода, полученных хлорированием непосредственно поликристаллических порошков alpha-SiC различной степени дисперсности. Поданным малоуглового рассеяния построены функции распределения рассеивающих неоднородностей по радиусам инерцииm(Rg) и показано, что средние размеры, а также доля крупных неоднородностей растут с ростом размеров зерен исходного порошка. Как следует из картин дифракции, при этом растет и степень "графитизации" структуры нанокластеров, что связывается с большей длительностью карбонизации более крупных зерен. Анализ фотоэлектронных спектров 1s-электронов атомов углерода показывает, что для преобладающего числа C--C-связей (>65%) гибридизация валентных sigma-связей имеет промежуточный характер в сравнении с графитом и алмазом (spx, где 2
Сморгонская Э.А., Кютт Р.Н., Щукарев А.В., Гордеев С.К., Гречинская А.В. Рентгеновские исследования порошков нанопористого углерода, полученных изкарбида кремния // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 690

Экспериментально установлено существование эффекта Мейснера в поликристаллических медьсодержащих фуллеридах, изготовленных по новой технологии. Определена критическая температура перехода в сверхпроводящее состояние--- 110 K.
Приходько А.В., Коньков О.И. Наблюдение эффекта Мейснера в медьсодержащих фуллеридах // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 687

Представлены результаты численного расчета температурных зависимостей фотопроводимости и заполнения состояний оборванных связей для a-Si : H с различным уровнем легирования. Расчеты показывают, что энергетическое положение ловушек оказывает существенное влияние на характер температурных зависимостей фотопроводимости. Это влияние осуществляется не только через участие ловушек в рекомбинации при низких температурах, но и через влияние на заполнение состояний оборванных связей. Установлено, что для a-Si : H p-типа концентрация нейтральных оборванных связей (D0-центров) в области средних и низких температур не зависит от уровня Ферми. Показано, что эта особенность--- следствие асимметрии положения D0- и D--центров (отрицательно заряженных оборванных связей), а не асимметричности расположения ловушек в запрещенной зоне относительно краев разрешенных зон.
Кузнецов С.В., Теруков Е.И. Влияние хвостов зон a-Si : H назаполнение состояний оборванных связей ивеличину фотопроводимости // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 684

Исследуется кооперативная генерация фононных импульсов в полупроводниках группами инвертированных квазиэквидистантных многоуровневых связанных возбуждений (электроны, экситоны). Подобные эквидистантные системы имеют место в халькогенидных стеклах с фрактальной структурой. Показано, что кооперативная генерация неравновесных локализованных фононов (фрактонов) может быть наблюдаема при экспериментальном изучении релаксации групп возбужденных атомов после прохождения короткого лазерного импульса через образец. Увеличение коэффициента поглощения в процессе возбуждения стекол коротким лазерным импульсом сравнительно малой мощности обусловлено генерацией неравновесных когерентных локализованных фононов в процессе релаксации неравновесных возбуждений. Эти когерентные неравновесные локализованные фононы сильно изменяют топологию случайного потенциала и, таким образом, открывают новый канал межзонного поглощения света. Данные переходы имеют место с одновременным участием фотонов и локализованных фононов. Получены кинетические уравнения, описывающие релаксацию локализованных электронов, для двух случаев. Первый описывает поведение связанных электронов в мелких квантовых ямах. Второй реализован для глубоких квантовых ям. Процесс релаксации сильно зависит от динамической симметрии связанной электрон-фононной (или экситон-фононной) системы. Решения этих уравнений соответствуют экспериментальным данным.
Андриеш А.М., Енаки Н.А., Король В.И., Бардетский П.И., Куляк И.П. Кооперативная генерация когерентных фононов локализованными возбуждениями встеклах // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 676