В предположении линейной зависимости электронного сродства политипов карбида кремния от степени их гексагональности определены разрывы зон проводимости и валентных зон на контакте 3C-SiC с политипами NH-SiC (N=2, 4, 6, 8). Врамках модели треугольной квантовой ямы сделаны оценки энергии основного состоянияvarepsilon0. Показано, что эффективно управлять положением уровня varepsilon0 можно только с помощью легирования широкозонного политипа n-NH-SiC мелкими донорами.
Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В. Оценки энергетических характеристик гетеропереходов 3C-SiC/2H-, 4H-, 6H- и 8H-SiC // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1440

Выполнено моделирование параметров сегнетоэлектрика при отсутствии начальной поляризации. Сегнетоэлектрик легирован мелкой примесью. Один контакт образует барьер Шоттки, другой контакт--- омический. Вычислено изменение электрического поля, потенциала, поляризации и диэлектрической проницаемости по толщине области объемного заряда. Показано, что значение диэлектрической проницаемости в слабом поле varepsiloneff 0 может быть определено по параметрам экспериментальной петли гистерезиса. Вслабых полях (E
Берман Л.С. Моделирование вольт-фарадных характеристик сегнетоэлектрика // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1436

Изучаются изменения характеристик туннельной МОП структуры Al / SiO2 / n-Si, происходящие при снижении ее поперечных размеров в диапазоне от микрометра до нескольких нанометров. При моделировании учитывается квантование движения носителей в плоскости, перпендикулярной направлению туннелирования. Для большей наглядности МОП структура рассматривается как инжектор (туннельный МОП эмиттер) биполярного транзистора. Показано, что уменьшение размеров не вызывает качественных изменений электрических характеристик прибора, но приводит к некоторому снижению коллекторного тока и в особенности усиления. Полученные данные важны как сами по себе, так и в связи со скейлингом полевых транзисторов, поскольку транзистор с туннельным МОП эмиттером является одним из практически интересных режимов включения обычного полевого транзистора.
Векслер М.И., Грехов И.В., Шулекин А.Ф. О влиянии поперечного квантования наэлектрические характеристики туннельной МОП структуры субмикрометровых размеров // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1430

Исследованы спектры брэгговского отражения света от фотонных кристаллов на основе композитов опал--полупроводник (GaP, GaN). Развит подход, позволяющий проводить характеризацию опалоподобных структур, основанный на исследовании формы спектров брэгговского отражения света и условий, в которых проявляется многоволновая брэгговская дифракция. Анализ формы спектров отражения выполнен в рамках приближения планарной слоисто-периодической среды с учетом спекания и одноосного сжатия сфер a-SiO2, формирующих 3Dрешетку опала. Диаметры и коэффициенты сжатия сфер найдены с учетом предложенного в работе спектроскопического структурного инварианта, определяющего условия наблюдения многоволновой брэгговской дифракции на системе плоскостей{111}.
Гаджиев Г.М., Голубев В.Г., Курдюков Д.А., Певцов А.Б., Селькин А.В., Травников В.В. Характеризация фотонных кристаллов наоснове композитов опал--полупроводник поспектрам брэгговского отражения света // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1423

Показано, что зарядовое состояние антиструктурного дефекта 73Ge, образующегося в анионной подрешетке PbSe после радиоактивного превращения73As, не зависит от положения уровня Ферми. Впротивоположность этому центр73Ge вкатионной подрешеткеPbSe представляет собой электрически активную примесь замещения: вэлектронных образцах спектр отвечает нейтральному состоянию донорного центра(Ge2+), авдырочных--- двукратно ионизованному состоянию(Ge4+) этого центра. Для частично компенсированных образцов обнаружен быстрый электронный обмен между нейтральными и ионизованными донорными центрами.
Теруков И.Е., Хужакулов Э.С. Электронный обмен между нейтральными и ионизованными центрами германия вPbSe // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1420

Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 73As(73Ge) показано, что зарядовое состояние антиструктурного дефекта 73Ge, образующегося в анионной подрешетке после радиоактивного превращения 73As, не зависит от положения уровня Ферми. Впротивоположность этому, центр 73Ge в катионной подрешеткеPbSe представляет собой электрически активную примесь замещения: в электронных образцах спектр отвечает нейтральному состоянию донорного центра (73Ge2+), а в дырочных--- двукратно ионизованному состоянию (73Ge4+) этого центра.
Теруков Е.И., Хужакулов Э.С. Мессбауэровское исследование двухэлектронных донорных центров германия вPbSe // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1417

Теоретически исследованы особенности электролюминесценции однородно легированных варизонных структур с антизапорным и омическим контактами. Для случая постоянного градиента ширины запрещенной зоны и сильного поглощения света получены и проанализированы аналитические зависимости для спектральной и интегральной интенсивностей электролюминесценции. Показано, что наличие антизапорного контакта на широкозонной грани варизонной структуры приводит к повышению эффективности отрицательной и особенно положительной электролюминесценции по сравнению со случаем варизонной структуры с двумя омическими контактами. Спектр рекомбинационного излучения варизонной структуры с антизапорным контактом на узкозонной грани характеризуется в большинстве случаев знакопеременной зависимостью, на которой в области сильных токов преобладает широкая полоса отрицательной электролюминесценции.
Соколовский Б.С., Иванов-Омский В.И., Ильчук Г.А. Электролюминесценция варизонных структур сантизапорным иомическим контактами // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1409

Представлены результаты экспериментальных исследований спонтанной эмиссии ионов эрбия в спектральной области края нижайшей фотонной зоны распределенных брэгговских отражателей (одномерных фотонных кристаллов). Фотонные кристаллы состояли из чередующихся четвертьволновых слоев a-Si : H и a-SiOx : H, выращенных методом плазмохимического газофазного осаждения (plasma enhancement chemical vapor deposition). Эрбий вводился в слои a-Si : H магнетронным распылением эрбиевой мишени в процессе роста структуры. Наблюдаемое изменение интенсивности спонтанного излучения обусловлено немонотонным поведением плотности оптических мод вблизи края фотонной зоны.
Медведев А.В., Феоктистов Н.А., Певцов А.Б., Голубев В.Г. Усиление интенсивности спонтанного излучения эрбия вблизи края фотонной зоны распределенных брэгговских отражателей на основе a-Si : H/a-SiOx : H // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1403

The RHEED behaviour during MBE growth on GaAs (001) surface under low temperature (LT) growth conditions is examined in this work. The RHEED and its intensity oscillations of LT-GaAs growth have some particular behaviour. The intensity, phase and decay of oscillations depend on the beam equivalent pressure (BEP) ratio and substrate temperature etc. We examine here the intensity dependence of RHEED behaviour on BEP ratio, substrate temperature and the excess of As content in the layer. The change of the decay constant of the RHEED oscillations is also discussed.
Nemcsics Akos Some Aspects to the RHEED Behaviour ofLT-GaAs Growth // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1399

Представлены результаты для двусторонних, с внешними шинами, кремниевых солнечных элементов из [n+p(n)p+]-структур на основе Cz-Si с токособирающей системой новой конструкции LGWEB (laminated grid of wire external busbars), которая состоит из пленки проводящего оксида, нанесенной на кремниевую структуру, электрических шин, расположенных рядом с кремниевой структурой, и проволочной контактной сетки, прикрепленной низкотемпературным методом ламинирования одновременно к оксиду и шинам. Двусторонние солнечные элементы LGWEB имеют рекордно высокую для подобных приборов эффективность: 17.7%(n-Si)/17.3%(p-Si) при двусторонности 74-82% для гладкой тыльной поверхности и 16.3%(n-Si)/16.4%(p-Si) при двусторонности 89% для текстурированной тыльной поверхности. Показано, что технология LGWEB позволяет достичь величины кпд, превосходящей21%.
Унтила Г.Г., Кост Т.Н., Чеботарева А.Б., Закс М.Б., Ситников А.М., Солодуха О.И. Новый тип высокоэффективных двусторонних кремниевых солнечных элементов свнешними шинами и проволочной контактной сеткой // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1393