Предложен и создан новый тип гетероструктур, основанных на прямом контакте объемного полупроводника со слоем диэлектрика с рассредоточенной в нем мелкодисперсной фазой полупроводника. На гетероструктурах изSi иGaAs обнаружено выпрямление и фотовольтаический эффект. Показано, что при освещении таких структур со стороны слоя диэлектрика с мелкодисперсной фазой полупроводника возникает широкополосный фотовольтаический эффект в глубине фундаментального поглощения объемного полупроводника.
Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Ушакова Т.Н. Фоточувствительность гетероструктур намелкодисперсной фазе полупроводников // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1340

Рассмотрена кинетика электронных процессов в структурах металл--диэлектрик--полупроводник, в которых слой диэлектрика обладает небольшой проводимостью. При питании структуры постоянным напряжением в полупроводниковом слое возникает неравновесная обедненная область. Проанализированы условия, необходимые для формирования устойчивой обедненной области и для образования в ней фотоэлектрических сигналов. Приведены оценки длительности переходных процессов и параметров слоев структуры.
Ковтонюк Н.Ф., Мисник В.П., Соколов А.В. Чувствительность структур диэлектрик--полупроводник кнестационарным световым потокам // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1336

Исследованы ограничения на максимальную концентрацию дефектов, при которой в теории рекомбинации Шокли--Рида--Холла все еще применимо часто используемое предположение о равенстве времен жизни электронов и дырок. На примере легированного кремния рассмотрена зависимость данной концентрации от уровня инжекции и различных параметров дефектов. Исследованы случаи, когда полупроводник содержит дефекты только одного типа, а также нескольких типов. Проведенный анализ позволяет определить параметры образца, при которых для расчета времен жизни носителей заряда может быть использована упрощенная модель рекомбинации.
Яшин А.Н. Применимость упрощенной модели Шокли--Рида--Холла для полупроводников сразличными типами дефектов // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1331

В сверхвысоковакуумных условиях изучена адсорбция, десорбция, начальные стадии роста пленок, контактная и термическая трансформация молекул C60 на поверхности Ta(100) в диапазоне температур 300-2000 K. Показано, что молекулы C60 из первого адсорбционного слоя претерпевают существенную трансформацию уже при комнатной температуре, формируя неплотный монослой. При этом последующий рост фуллерита идет по механизму Странского--Крастанова с образованием плотноупакованных островков. Определены температурные интервалы стабильности фуллеритовой пленки на тантале и показано, что разрушение пленки происходит в интервале 850-950 K, в основном не за счет термической десорбции, а за счет распада молекул, индуцированного каталитическим действием поверхности.
Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. Адсорбция, десорбция, контактная итермическая трансформация молекул C60 наповерхностиTa (100) // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1325

Впервые по экспериментальным данным, описывающим степень покрытия поверхности кремниевой пластины водородом непосредственно в процессе выращивания эпитаксиального слоя кремния из силана в вакууме, определен коэффициент десорбции водорода и энергия активации этого процесса. Проведено сопоставление данных величин с результатами других авторов, полученных в условиях низкотемпературного эксперимента, например, методом термодесорбционной спектрометрии. Найденные величины использованы для вычисления коэффициента кристаллизации и его зависимости от температуры роста и скорости распада моносилана на ростовой поверхности.
Орлов Л.К., Смыслова Т.Н. Десорбция водорода споверхности вусловиях эпитаксиального наращивания слоев кремния измоносилана ввакууме // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1320

Исследуется кинетическая модель роста тонкой пленки на поверхности твердого тела, справедливая для случая, когда слои формируются в результате двумерного зародышеобразования. Вусловиях больших пересыщений газообразной фазы получены решения для функции распределения островков по размерам на начальном этапе роста, степени заполнения подложки островками на этапе коалесценции, скорости вертикального роста пленки и шероховатости ее поверхности. Эти решения выражают структурные характеристики растущей пленки через физические константы системы (межфазовая энергия на границе газ--твердое тело, активационные барьеры диффузии и десорбции) и параметры ростового процесса (температура поверхности и скорость осаждения материала). Полученные результаты позволяют проводить расчеты ростовой динамики тонких пленок в конкретных системах.
Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э. Кинетика роста тонких пленок при зародышевом механизме формирования слоев // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1312

Представлен обзор опубликованных нами работ по созданию и исследованию светодиодов для области спектра 1.6--4.4 мкм на основе гетероструктур, выращенных на подложке GaSb методом жидкофазной эпитаксии, позволяющим создавать слои достаточной толщины, изопериодные с GaSb. Активная область для спектральных диапазонов 1.8-2.4 и 3.4-4.4 мкм состояла из твердого раствора GaInAsSb, а для диапазона 1.6-1.8 мкм из твердого раствора AlGaAsSb. Широкозонные ограничительные слои AlGaAsSb содержали большое количество Al, до64%, что является рекордным для метода жидкофазной эпитаксии. Создавались и исследовались несимметричные (GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb) и симметричные (AlGaAsSb/GaInAsSb/AlGaAsSb) гетероструктуры. Разрабатывались раличные виды конструкций, позволяющие улучшить выход генерированного в активной области излучения наружу. Измеренный внешний квантовый выход излучения достигал 6.0% при 300 K для светодиодов на длины волн 1.9--2.2 мкм. Получена импульсная оптическая мощность излучения 7 мВт при токе 300 мА со скважностью 2 и 190 мВт при токе 1.4 А со скважностью 200. Всветодиодах, излучающих в спектральной области 3.4--4.4 мкм получен внешний квантовый выход излучения ~ 1%--- в 3раза больший, чем в известной гетероструктуре InAsSb/InAsSbP, выращенной на подложкеInAs. Измеренное время жизни неосновных носителей заряда (5--50 нс) близко к теоретическому при учете только излучательной и ударной СНСС объемной рекомбинации. Ударная рекомбинация преобладает при температурах выше 200 K для светодиодов, работающих в спектральном диапазоне 3.4--4.4 мкм, и выше 300 K для светодиодов, работающиx в спектральном диапазоне 1.6--2.4 мкм.
Данилова Т.Н., Журтанов Б.Е., Именков А.Н., Яковлев Ю.П. Светодиоды на основе твердых растворов GaSb для средней инфракрасной области спектра 1.6--4.4 мкм // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1281

Исследована электролюминесценция в светодиодах, деформированных методом четырехточечного изгиба при 700oC, в диапазоне длин волн 1.0-1.65 мкм при токах до 400 мА. Светодиоды изготовлены имплантацией ионов B иP в пластины кремния p-типа проводимости, выращенного методами бестигельной зонной плавки (FZ-Si) и Чохральского (Cz-Si) с последующим отжигом при 700 и 1100oC. Интенсивность дислокационной электролюминесценции выше в светодиодах на основе FZ-Si. Низкотемпературный постимплантационный отжиг способствует увеличению интенсивности дислокационной электролюминесценции по сравнению с высокотемпературным. Трансформация спектров излучения в зависимости от тока в светодиодах на основе FZ-Si хорошо описывается 8гауссовыми линиями. Положения максимумов этих линий не зависят от тока и равны 1.22, 1.244, 1.26, 1.316, 1.38, 1.42, 1.52 и 1.544 мкм. Исследованы зависимости интегральной интенсивности и ширины линий от тока.
Соболев Н.А., Емельянов А.М., Шек Е.И., Феклисова О.В., Якимов Е.Б. Электролюминесцентные свойства светодиодов наоснове p-Si, подвергнутых деформации // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1271

Проведены сопоставительные исследования влияния \glqq хлоридной\grqq обработки пленочных гетеросистем CdS/CdTe на выходные характеристики солнечных элементов ITO/CdS/CdTe/Cu/Au и кристаллическую структуру базового слоя CdTe. Были предложены структурные механизмы, определяющие изменение эффективности фотоэлектрических процессов в пленочных солнечных элементах ITO/CdS/CdTe/Cu/Au при изменении толщины слоя CdCl2 в процессе проведения хлоридной обработки. Впервые рентгенодифрактометрическим методом доказано, что в процессе хлоридной обработки происходит трансформация метастабильной гексагональной фазы теллурида кадмия в стабильную кубическую модификацию. Это обеспечивает существенное улучшение фотоэлектрических свойств пленочных гетеросистем CdS/CdTe.
Хрипунов Г.С. Структурные механизмы оптимизации фотоэлектрических свойств пленочных гетеросистем CdS/CdTe // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1266

Обзор содержит результаты исследований и разработок в ФГУП << НПО \glqq Орион\grqq>> фотодиодов и матричных фотоприемников на спектральные диапазоны 3-5 и 8-12 мкм на основе твердых растворов теллуридов кадмия и ртути. Представлены структура, топология и параметры разработанных фотодиодов, фотодиодных матриц \glqq смотрящего\grqq и многорядного типов, структура и электрические схемы созданных кремниевых мультиплексоров матричных фотоприемных устройств (МФПУ). Приведены параметры фотодиодных матриц различных форматов и созданного макета тепловизора на основе МФПУ формата 128x128элементов.
Стафеев В.И., Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Акимов В.М., Климанов Е.А., Сагинов Л.Д., Соляков В.Н., Мансветов Н.Г., Пономаренко В.П., Тимофеев А.А., Филачев А.М. Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра наоснове фотодиодов изCdxHg1-xTe // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1257