Проведены исследования эффективности введения донорных центров в кислородсодержащем Si при термообработках при 450oC после предварительной гидрогенизации в плазме водорода и облучения gamma-квантами 60Co. Показано, что максимальная скорость введения донорных центров наблюдается в образцах, содержащих водород в атомарной форме. Облучение Si gamma-квантами 60Co с предварительно гидрогенизированным в плазме водорода слоем приводит к высвобождению атомарного водорода из связанных состояний. Это повышает скорость введения донорных центров при последующих термообработках при 450oC. PACS: 81.40.Ef, 81.40.-g, 61.80.Ed, 73.30.+y
Болотов В.В., Камаев Г.Н., Носков А.В., Черняев С.А., Росликов В.Е. Влияние состояния водорода в решетке на эффективность введения донорных центров вкислородсодержащем кремнии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 129

Изучены распределение интенсивности электролюминесценции по площади и во времени до и после оптической деградации голубых InGaN/GaN-светодиодов. Проведены измерения I-V-характеристик. Обнаружено, что первоначально наиболее яркое свечение вблизи области металлизации p-контакта сменилось на слабое свечение после деградации светодиода. Обнаружена временная задержка (~ 20-40 нс) в распределении интенсивности электролюминесценции по площади светодиодов после их деградации. Предполагается, что рост избыточного тока после деградации обусловлен увеличением плотности состояний на гетерогранице InGaN/GaN и формированием электрического диполя, снижающего потенциальные барьеры в слоях p-GaN и n-GaN. Соответствующее увеличение емкости приводит к временной задержке растекания инжекционного тока и распределения яркости свечения по площади. Планарная неоднородность инжекции носителей заряда в квантовую яму до и после оптической деградации связывается с диффузией и электромиграцией водорода, индуцированной механическими напряжениями. Металлизация p-контакта может быть причиной генерации механических напряжений. PACS: 85.60.Jb, 78.60.Fi
Бочкарева Н.И., Ефремов А.А., Ребане Ю.Т., Горбунов Р.И., Клочков А.В., Шретер Ю.Г. Неоднородность инжекции носителей заряда идеградация голубых светодиодов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 122

Приведены результаты сопоставительных исследований темновых вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик пленочных солнечных элементов CdS/CdTe/Cu/Au и CdS/CdTe/ITO. Впервые экспериментально определены физические свойства тыльного контакта p+-CdTe/n+-ITO. PACS: 84.60.Tt, 85.20.Su, 73.30.+y
Хрипунов Г.С. Влияние тыльного контакта наэлектрические свойства пленочных солнечных элементов наосновеCdS/CdTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 117

Показано, что высокотемпературный отжиг в потоке водорода приводит к существенному изменению температурной зависимости проводимости легированных бором и нелегированных пленокa-Si : H. Для отожженных легированных пленок, наряду с зонным вкладом и вкладом прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка, в области промежуточных температур обнаружена varepsilon2-проводимость, связываемая с прыжковой проводимостью по локализованным состояниям вблизи края валентной зоны. Возможность появления varepsilon2-проводимости обусловлена возрастанием концентрации электрически активных атомов бора и существенным изменением положения уровня Ферми при высокотемпературном отжиге легированных пленок в атмосфере водорода. Измеренные параметры varepsilon2-проводимости позволили определить размер области неэкспоненциального спада плотности локализованных состояний вблизи валентной зоны. PACS: 72.20.Ee, 73.61.Jc, 81.05.Gc
Звягин И.П., Курова И.А., Нальгиева М.А., Ормонт Н.Н. Прыжковая varepsilon 2-проводимость легированных бором пленок a-Si : H, подвергнутых высокотемпературному отжигу вводороде // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 112

Импеданс нанокристаллической керамики SnO2 со средним размером кристаллитовd от3 до43 нм исследован в диапазоне частот от1 до106 Гц при температурах от25 до300oC в атмосфере сухого кислорода. Анализ экспериментальных данных, проведенный с использованием графоаналитического метода, позволил разделить вклады в проводимость, обусловленные объемом зерен и межкристаллитными границами. Показано, что по характеру проводимости исследованные образцы можно условно разделить на две группы. Для образцов со средним размером нанокристаллитов d
Васильев Р.Б., Дорофеев С.Г., Румянцева М.Н., Рябова Л.И., Гаськов А.М. Импеданс-спектроскопия ультрадисперсной керамикиSnO2 сварьируемым размером кристаллитов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 108

В приближении эффективных масс и квадратичного закона дисперсии проведен расчет энергии связи экситонов, энергии основного излучательного экситонного перехода и нуль-фононного излучательного времени жизни экситонов в кремниевых квантовых точках, находящихся в матрице SiOx. Рассчитаны также спектры стационарной и время-разрешенной экситонной фотолюминесценции кремниевых квантовых точек, рассмотрена кинетика релаксации фотолюминесценции. Проведено сравнение теории с экспериментом. Показано, что основным фактором уширения спектральных полос фотолюминесценции в наноструктурах с кремниевыми квантовыми точками диаметром менее4 нм является эффект квантово-мезоскопических флуктуаций, когда наличие даже одной оборванной связи на интерфейсе или одного собственного точечного дефекта или инородного атома в нанокристаллите такого размера или в его близком окружении сильно сказывается на энергии экситонного перехода. PACS: 71.35.Gg, 78.55.-m, 78.67.Hc
Купчак И.М., Корбутяк Д.В., Крюченко Ю.В., Саченко А.В., Соколовский И.О., Сресели О.М. Характеристики экситонов иэкситонная фотолюминесценция структур скремниевыми квантовыми точками // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 98

Выполнен микроскопический расчет проводимости в режиме целочисленного квантового эффекта Холла. Исследован вопрос о точности квантования для образцов конечных размеров. Обаружено, что точность квантования степенным образом зависит от размера образца. Введен новый скейлинговый параметр, описывающий такую зависимость. Также показано, что точность квантования линейно зависит от отношения амплитуды хаотического потенциала к циклотронной энергии. Проведено сравнение результатов с магнитотранспортными измерениями в мезоскопических образцах. PACS: 73.43.Cd, 75.47.-m
Грешнов А.А., Колесникова Э.Н., Зегря Г.Г. Точность квантования холловской проводимости вобразце конечных размеров: степенной закон // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 93

Изучались спектры фототока лазерных гетероструктур с квантовыми точками InAs, полученными в результате самоорганизации в гетеросистеме InAs/InGaAs/GaAs. Исследования выполнены при освещении образца перпендикулярно и вдоль плоскости квантовых точек. Определены: оптическая плотность квантовых точек, максимальное усиление в лазерной структуре, время излучательной рекомбинации носителей и поляризационные свойства поглощения. Спектры фототока соотнесены с особенностями лазерной генерации исследуемых структур. Спектр поглощения интерпретируется как суперпозиция переходов между состояниями дискретного спектра, непрерывного спектра и \glqq смешанных\grqq переходов. PACS: 73.21.La, 73.63.Kv, 78.67.Hc, 78.67.De
Савельев А.В., Максимов М.В., Устинов В.М., Сейсян Р.П. Фототок квантовых точек InAs, полученных самоорганизацией, в полупроводниковых лазерных гетероструктурах InAs/InGaAs/GaAs, излучающих на 1.3 мкм // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 88

Методом резонансной фотолюминесценции и спектроскопии возбуждения фотолюминесценции изучены самоорганизованные квантовые точки в двухслойных структурах InAs / GaAs. Слабо коррелированная (50%) двухслойная система с набором вертикально связанных квантовых точек (асимметричных квантовых молекул) создана в структуре, состоящей из первого слоя InAs толщиной dInAs=1.8 монослоя и второго слоя InAs толщиной dInAs=2.4 монослоя, разделенных слоем GaAs толщиной dGaAs=50 монослоев. Втакой системе изучена последовательность дискретных квантовых состояний и впервые отчетливо зарегистрированы резонансы, отвечающие вертикально связанным квантовым точкам. PACS: 68.66.Hb, 78.67.Hc
Тарасов Г.Г., Жученко З.Я., Лисица М.П., Mazur Yu.I., Wang Zh.M., Salamo G.J., Warming T., Bimberg D., Kissel H. Оптическое детектирование асимметричных квантовых молекул вдвухслойных структурах InAs / GaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 82

Методами фотолюминесценции и рамановского рассеяния исследовано влияние имплантации 1013-1016 см-2 ионов бора и последующих стационарных термических или лазерных импульсных (20 нс) отжигов на свойства нанокристаллов Si в SiO2. ИмплантацияB гасила фотолюминесценцию, обусловленную размерным квантованием. Сопоставление с действием других ионов показало, что рост массы частиц увеличивает затраты упругих потерь на гашение ФЛ. Это объясняется связыванием генерируемых дефектов в комплексы, не являющиеся центрами безызлучательной рекомбинации. Исследования подтвердили существование ускорения кристаллизации нанопреципитатов при введении примеси, а также выявили особенности, связанные с малыми размерами атомов бора. Отмечана эффективность лазерных отжигов для постимплантационного восстановления фотолюминесценции, обусловленная возможностью кратковременного плавления нанокристаллов. Несмотря на свидетельства попадания бора внутрь нанокристаллов, признаки появления свободных дырок отсутствовали. Причиной считается заглубление примесных уровней в нанокристаллах. PACS: 81.07.-h, 81.40.Ef, 81.40.Tv, 61.46.+w, 61.72.Ww
Качурин Г.А., Черкова С.Г., Володин В.А., Марин Д.М., Тетельбаум Д.И., Becker H. Влияние имплантации ионов бора ипоследующих отжигов насвойства нанокристалловSi // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 75