Выполнен анализ погрешностей определения глубины уровней поверхностных состояний катодной границы раздела диэлектрик-люминофор, ширины потенциального барьера и вероятности туннелирования электронов с поверхностных состояний при численном моделировании экспериментальных зависимостей тока, протекающего через слой люминофора, от времени. Получены зависимости указанных параметров от времени для полного цикла работы электролюминесцентных излучателей, установлено влияние на них частоты и амплитуды импульсов напряжения возбуждения, а также засветки излучателей в синей области спектра во время паузы между импульсами. Определены зависимости от времени коэффициента умножения и числа ионизаций, приходящихся на один электрон в области ударной ионизации. Оценена максимальная величина коэффициента ударной ионизации, составляющая>=q 2.6· 104 см-1. PACS: 78.60.Fi, 78.66.Hf
Гурин Н.Т., Афанасьев А.М., Сабитов О.Ю., Рябов Д.В. Туннелирование и ударная ионизация втонкопленочных электролюминесцентных структурах на основеZnS : Mn // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 949

Исследованы особенности влияния быстрого отжига на электрофизические характеристики структурSiO2/Si с тонкими слоями анодного оксида кремния (столщиной диэлектрических слоев ~10 нм), сформированных на подложках из монокристаллического кремния, в зависимости от полупроводниковых свойств кремниевой основы, длительности, температуры и среды термического воздействия. Определена оптимальная длительность высокотемпературного отжига этих структур в инертной среде для их использования в технологии наноразмерных МОП структур интегральных схем. PACS: 73.40.Qv, 81.65.Mq, 85.30.Tv
Баранов И.Л., Табулина Л.В., Становая Л.С., Русальская Т.Г. Влияние быстрого отжига наэлектрофизические свойства структурSiO2/Si стонкими слоями анодного оксида кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 944

Установлено влияние характеристического рентгеновского излучения (длина волны lambda=0.056 нм) на фотоэлектрические параметры гетеропереходов <собственный термический окисел>-p-InSe. Исследованы вольт-амперные и спектральные характеристики структур до и после облучения. Обнаруженные изменения напряжения холостого хода, тока короткого замыкания, вольт-амперных характеристик и спектров фоточувствительности гетеропереходов обусловлены образованием радиационных дефектов вInSe. Они приводят к увеличению рекомбинационных процессов в механизмах токопереноса, незначительно изменяют скорость поверхностной рекомбинации и не оказывают деструктивного влияния на величину контактной разности потенциалов. Полученные результаты объясняются в рамках электростатической модели образования радиационных дефектов в кристаллической решетке. PACS:73.40Lq, 73.50.Pz, 61.80.Cb
Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Политанская О.А., Раранский Н.Д. Характеристики гетеропереходов окисел--p-InSe вусловиях рентгеновского облучения // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 940

Исследовано нейтронное трансмутационное легирование кристаллов кремния, обогащенных изотопом 30Si, методом электронного парамагнитного резонанса: наблюдались доноры фосфора и возникающие в процессе нейтронного легирования радиационные дефекты. Исследованы сигналы ЭПР неконтролируемой примеси фосфора в30Si до нейтронного легирования (концентрация ~1015 см-3) и фосфора, введенного легированием с дозами ~1·1019 см-2 и~1·1020 см-2 (концентрации P~5·1016 см-3 и~7·1017 см-3 соответственно). Благодаря резкому сужению линий ЭПР фосфора в30Si интенсивность сигналов существенно увеличилась, что позволило контролировать фосфор в образцах с малым объемом (до10-6 мм-3). Разработаны методы контроля концентрации доноровP по сверхтонкой структуре в спектрах ЭПР изолированных атомовP, обменно-связанных пар, троек, четверок и более крупных кластеров доноровP. Вобласти высоких концентрацийP, когда сверхтонкая структура исчезает, концентрация доноровP оценивалась по ширине обменно-суженной линииЭПР. PACS: 81.40.Wx, 61.80.Hg, 61.82.Fk, 76.30.Da
Баранов П.Г., Бер Б.Я., Годисов О.Н., Ильин И.В., Ионов А.Н., Калитеевский А.К., Калитеевский М.А., Лазебник И.М., Сафронов А.Ю., Пол Х.-Дж., Риманн Х., Абросимов Н.В., Копьев П.С., Буланов А.Д., Гусев А.В. Особенности нейтронного легирования фосфором кристаллов кремния, обогащенных изотопом30Si: исследования методом электронного парамагнитного резонанса // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 930

Согласно распределению Гиббса получена зависимость концентрации промежуточного зарядового состоянияSn3+ двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией вPbS от величины корреляционной энергии. Продемонстрировано, что указанное состояние олова может быть обнаружено с помощью мессбауэровской спектроскопии на изотопе119Sn при высоких температурах. PACS: 71.55.Ht, 76.80.+y
Кастро Р.А., Немов С.А., Серегин П.П. Обнаружение однократно ионизованного состояния двухэлектронных центров олова сотрицательной корреляционной энергией втвердых растворахPb1-xSnxS // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 927

Исследованы электрофизические свойства сплавов n-Pb1-xSnxTe (x=0.09-0.21), легированных галлием. Обнаружены аномальные температурные зависимости коэффициента Холла, указывающие на стабилизацию уровня Ферми резонансным уровнем галлия, расположенным в зоне проводимости. По экспериментальным данным в рамках двухзонного закона дисперсии Кейна рассчитаны зависимости концентрации электронов и энергии Ферми от состава сплава и температуры. Показано, что положение резонансного уровня галлия относительно потолка валентной зоны практически не зависит от состава матрицы, и получена зависимость термического коэффициента движения резонансного уровня относительно середины запрещенной зоны от состава сплава. PACS: 71.20Nr, 71.55.Ht
Скипетров Е.П., Зверева Е.А., Дмитриев Н.Н., Голубев А.В., Слынько В.Е. Стабилизация уровня Ферми резонансным уровнем галлия всплавахPb1-xSnxTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 922

Сцелью изучения влияния температуры облученияTirr на процесс дефектообразования исследовались монокристаллы n-Si. Исследуемые образцы облучались электронами с энергией2 МэВ винтервале Tirr=20-400oC. Изохронный отжиг облученных кристаллов проводился в интервале 80-600oC. Измерения проводились методом Холла в интервале77-300 K. Показано, что эффективность введения радиационных дефектов с высокой термостабильностью (Tann>=350oC) достигает максимума при Tirr=150oC. Наблюдаемый эффект объясняется образованием мультивакансионных дефектовPV2 на базе ионизированных E-центров и неравновесных вакансий. PACS: 71.55.Cn, 72.15.Gd, 61.80.-x, 61.72.Cc
Пагава Т.А. Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах n-Si // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 919

Изложены результаты анализа зависимости коэффициента излучательной рекомбинации в кремнии от уровня легирования и концентрации избыточных электронно-дырочных пар. Показано, что наряду с эффектом сужения ширины запрещенной зоны, рассчитанным в многоэлектронном приближении, необходимо учитывать и эффект экранирования кулоновского взаимодействия, приводящий к уменьшению энергии связи экситона. Оба эффекта действуют в одну сторону, приводя к уменьшению коэффициента излучательной рекомбинации при увеличении уровня легирования или уровня инъекции. Разделены вклады экситонной и зона-зонной излучательной рекомбинации в полный коэффициент излучательной рекомбинации в кремнии. Показано, что в области комнатных температур обе составляющие соизмеримы, в то время как при температуре жидкого азота экситонная составляющая доминирует. Приведены результаты уточненного расчета предельной величины внутреннего квантового выхода электролюминесценции кремниевых диодов и p-i-n-структур. Показано, что при комнатной температуре его величина может достигать14 процентов, однако это значение очень сильно уменьшается с ростом скорости поверхностной рекомбинации и с уменьшением объемного времени жизни. PACS: 78.60.Fi, 78.55.Ap, 72.20.Jv
Саченко А.В., Горбань А.П., Костылев В.П., Соколовский И.О. Параметр излучательной рекомбинации ивнутренний квантовый выход электролюминесценции вкремнии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 913

Показано, что центрами локального зарождения силицидной фазы CoSi2 являются структурные дефекты поверхности кремния. Втаких дефектах за счет преимущественной диффузии кобальта реализуется локальная экзотермическая реакция, которая инициирует процесс последующей самоподдерживающейся латеральной кристаллизации фазы CoSi2. Показана возможность использования процессов направленного формирования силицидной фазы для изготовления наноразмерных структур без применения операций традиционной литографии и химического травления. PACS: 68.35.Dv, 65.55.Ln, 81.05.Cy, 81.10.Aj
Белоусов И.В., Кузнецов Г.В., Пчеляков О.П. Направленная латеральная кристаллизация силицидной фазы кобальта наповерхности кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 909

Развита модель сегрегационного перераспределения примесей редкоземельных элементов при твердофазной эпитаксиальной кристаллизации слоев кремния, аморфизованных имплантацией. Воснове модели лежит образование на межфазной границе со стороны a-Si переходного слоя с высокой подвижностью атомов, ширина которого определяется диффузионной длиной вакансий в a-Si. Врамках модели проанализированы концентрационные профили Er в кремнии при его соимплантации с кислородом. Показано, что при больших дозах имплантации редкоземельных ионов необходимо учитывать образование кластеров Rm (m=4), где R--- атом редкоземельного элемента, а при соимплантации ионов кислорода--- образование комплексов ROn (n=3-6), влияющих на ширину переходного слоя и коэффициент сегрегации. PACS: 61.72.Cc, 61.72.Ji, 61.72.Tt, 66.30.Jt, 64.75+g
Александров О.В. Влияние кислорода насегрегационное перераспределение редкоземельных элементов ваморфизованных имплантацией слоях кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 903