Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: более 1000, для научной тематики: Полупроводники

131.

Туннелирование и ударная ионизация втонкопленочных электролюминесцентных структурах на основеZnS : Mn     

Гурин Н.Т., Афанасьев А.М., Сабитов О.Ю., Рябов Д.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Выполнен анализ погрешностей определения глубины уровней поверхностных состояний катодной границы раздела диэлектрик-люминофор, ширины потенциального барьера и вероятности туннелирования электронов с поверхностных состояний при численном моделировании экспериментальных зависимостей тока, протекаю...
132.

Влияние быстрого отжига наэлектрофизические свойства структурSiO2/Si стонкими слоями анодного оксида кремния     

Баранов И.Л., Табулина Л.В., Становая Л.С., Русальская Т.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследованы особенности влияния быстрого отжига на электрофизические характеристики структурSiO2/Si с тонкими слоями анодного оксида кремния (столщиной диэлектрических слоев ~10 нм), сформированных на подложках из монокристаллического кремния, в зависимости от полупроводниковых свойств кремн...
133.

Характеристики гетеропереходов окисел--p-InSe вусловиях рентгеновского облучения     

Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Политанская О.А., Раранский Н.Д. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Установлено влияние характеристического рентгеновского излучения (длина волны lambda=0.056 нм) на фотоэлектрические параметры гетеропереходов <собственный термический окисел>-p-InSe. Исследованы вольт-амперные и спектральные характеристики структур до и после облучения. Обнаруженные изменен...
134.

Особенности нейтронного легирования фосфором кристаллов кремния, обогащенных изотопом30Si: исследования методом электронного парамагнитного резонанса     

Баранов П.Г., Бер Б.Я., Годисов О.Н., Ильин И.В., Ионов А.Н., Калитеевский А.К., Калитеевский М.А., Лазебник И.М., Сафронов А.Ю., Пол Х.-Дж., Риманн Х., Абросимов Н.В., Копьев П.С., Буланов А.Д., Гусев А.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследовано нейтронное трансмутационное легирование кристаллов кремния, обогащенных изотопом 30Si, методом электронного парамагнитного резонанса: наблюдались доноры фосфора и возникающие в процессе нейтронного легирования радиационные дефекты. Исследованы сигналы ЭПР неконтролируемой примеси фосф...
135.

Обнаружение однократно ионизованного состояния двухэлектронных центров олова сотрицательной корреляционной энергией втвердых растворахPb1-xSnxS     

Кастро Р.А., Немов С.А., Серегин П.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Согласно распределению Гиббса получена зависимость концентрации промежуточного зарядового состоянияSn3+ двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией вPbS от величины корреляционной энергии. Продемонстрировано, что указанное состояние олова может быть обнаружено с помощью ...
136.

Стабилизация уровня Ферми резонансным уровнем галлия всплавахPb1-xSnxTe     

Скипетров Е.П., Зверева Е.А., Дмитриев Н.Н., Голубев А.В., Слынько В.Е. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследованы электрофизические свойства сплавов n-Pb1-xSnxTe (x=0.09-0.21), легированных галлием. Обнаружены аномальные температурные зависимости коэффициента Холла, указывающие на стабилизацию уровня Ферми резонансным уровнем галлия, расположенным в зоне проводимости. По экспериментальным данным ...
137.

Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах n-Si     

Пагава Т.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Сцелью изучения влияния температуры облученияTirr на процесс дефектообразования исследовались монокристаллы n-Si. Исследуемые образцы облучались электронами с энергией2 МэВ винтервале Tirr=20-400oC. Изохронный отжиг облученных кристаллов проводился в интервале 80-600oC. Измерения проводились мето...
138.

Параметр излучательной рекомбинации ивнутренний квантовый выход электролюминесценции вкремнии     

Саченко А.В., Горбань А.П., Костылев В.П., Соколовский И.О. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Изложены результаты анализа зависимости коэффициента излучательной рекомбинации в кремнии от уровня легирования и концентрации избыточных электронно-дырочных пар. Показано, что наряду с эффектом сужения ширины запрещенной зоны, рассчитанным в многоэлектронном приближении, необходимо учитывать и э...
139.

Направленная латеральная кристаллизация силицидной фазы кобальта наповерхности кремния     

Белоусов И.В., Кузнецов Г.В., Пчеляков О.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Показано, что центрами локального зарождения силицидной фазы CoSi2 являются структурные дефекты поверхности кремния. Втаких дефектах за счет преимущественной диффузии кобальта реализуется локальная экзотермическая реакция, которая инициирует процесс последующей самоподдерживающейся латеральной кр...
140.

Влияние кислорода насегрегационное перераспределение редкоземельных элементов ваморфизованных имплантацией слоях кремния     

Александров О.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Развита модель сегрегационного перераспределения примесей редкоземельных элементов при твердофазной эпитаксиальной кристаллизации слоев кремния, аморфизованных имплантацией. Воснове модели лежит образование на межфазной границе со стороны a-Si переходного слоя с высокой подвижностью атомов, шири...