Исследовано влияние отжига в атмосфере насыщенных паровCd на проводимость мелко- и крупнозернистных поликристалловCdTe. Показано, что до отжига и в мелко- и в крупнозернистных поликристаллах транспорт носителей определяется в основном прыжковой проводимостью. Отжиг приводит к исчезновению прыжковой проводимости и возникновению в крупнозернистых поликристаллах единственного дефекта, по-видимому, сложного, однако никак не связанного с наличием межзеренных границ. Вмелкозернистых поликристаллах отжиг приводит к появлению сложных протяженных дефектов, определяемых либо сегрегацией примесей на межзеренных границах, либо скоплением вблизи них собственных дефектов. PACS: 72.20.Ee, 81.20.Dz, 81.40.Rs
Клевков Ю.В., Колосов С.А., Плотников А.Ф. Транспорт носителей заряда в отожженных крупно- имелкозернистых поликристаллах CdTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1028

Исследована диффузия хрома в GaAs при равновесном давлении паров мышьяка. Определена температурная зависимость коэффициента диффузии и растворимости хрома в GaAs. Температурная зависимость коэффициента диффузии и растворимости хрома описывается уравнением Аррениуса с параметрами для коэффициента диффузии: D0=3.1·105 см2/с, E=3.2±0.4 эВ; для растворимости: NS=2.1·1021 см-3, ES=1.0±0.3 эВ. Полученные экспериментальные результаты сравниваются с ранее опубликованными данными по диффузии хрома при большом давлении паров мышьяка и анализируются с позицийдиссоциативного механизма миграции атомов хрома вGaAs. PACS: 66.30.-h, 81.05.Ea
Хлудков С.С., Корецкая О.Б., Бурнашова Г.Р. Диффузия хрома в GaAs при равновесном давлении паров мышьяка // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1025

Установлено, что причиной, ограничивающей максимально достижимую мощность оптического излучения в полупроводниковых лазерах, является конечная величина времени рассеяния энергии электронов на неравновесных оптических фононах в квантово-размерной активной области. Экспериментально исследованы мощностные и спектральные характеристики полупроводниковых лазеров при высоких уровнях возбуждения (до100 кА/см2) в импульсном режиме генерации (100 нс, 10 кГц). Получено, что с увеличением тока накачки максимальная интенсивность стимулированного излучения насыщается, а рост излучаемой мощности происходит за счет расширения спектра в коротковолновую область. Насыщение интенсивности излучения обусловлено ограничением скорости стимулированной рекомбинации. Фактором, ограничивающим скорость стимулированной рекомбинации, является конечная величина времени рассеяния энергии электронов на полярных оптических фононах. Обнаружено, что расширение спектра стимулированного излучения связано с ростом концентрации носителей тока в активной области, что приводит к усилению выброса электронов в волноводные слои. С ростом тока накачки концентрация носителей тока в волноводе достигает порогового значения и возникает эффективный канал токовых утечек из активной области. Экспериментально показано, что появление волноводной полосы генерации коррелирует с резким снижением дифференциальной квантовой эффективности полупроводникового лазера. PACS: 42.55.Px, 78.45.th, 63.40.Kr
Слипченко С.О., Соколова З.Н., Пихтин Н.А., Борщев К.С., Винокуров Д.А., Тарасов И.С. Конечное время рассеяния энергии носителей заряда как причина ограничения оптической мощности полупроводниковых лазеров // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 1017

Предложен метод на основе сканирующей кельвин-зонд-микроскопии, позволяющий прямое наблюдение и количественную характеризацию утечки носителей тока из активной области работающих полупроводниковых светодиодов и лазеров. Спомощью разработанного метода на поверхности зеркал мощных InGaAs/AlGaAs/GaAs-лазерных диодов выявлены неосновные дырки, появляющиеся из активной области и растекающиеся на участки поверхности над n-эмиттером и n-подложкой. Показано, что перемещение дырок по поверхностным каналам, сформированным областями приповерхностного изгиба зон, может происходить на десятки микрон от места их первоначального появления на поверхности. Показано, что с подъемом тока инжекции величина утечки плавно нарастает, а после достижения лазерной генерации ее рост прекращается. PACS: 07.79.-v, 42.55.Px, 73.40.Kp.
Анкудинов А.В., Евтихиев В.П., Ладутенко К.С., Титков А.Н., Laiho R. Сканирующая кельвин-зонд-микроскопия утечки дырок из активной области работающего инжекционного полупроводникового лазерного диода // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 1009

Исследованы электрические и оптические свойства эпитаксиальных слоев InGaAsSb с электронным типом проводимости, близких по составу к арсениду индия и согласованных с ним по периоду решетки, полученных на подложках InAs методом жидкофазной эпитаксии из расплавов, легированных теллуром. Слои прозрачны в области 3 мкм благодаря эффекту Мосса--Бурштейна. Приводятся и обсуждаются ватт-амперные и пространственные характеристики электролюминесценции светодиодов на основе InAs, изготовленных в конструкции типа флип-чип, в которых вывод излучения осуществляется через буферные слои n+-InGaAsSb. PACS:85.60.Jb, 78.40.Fy
Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Шустов В.В., Тараканова Н.Г. Флип-чип светодиоды на основе InAs сбуферными слоями изInGaAsSb // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 1004

Исследовано влияние различных распределений температуры на основные параметры анизотропных оптикотермоэлементов при режимах оптического пропускания. Показана перспективность таких приборов, реализирующих оригинальный метод \glqq прозрачной стенки\grqq, предназначенный для регистрации лучистых потоков различной плотности в широком спектральном и энергетическом диапазонах. PACS: 72.20.Pa, 85.80.Fi
Ащеулов А.А., Гуцул И.В. Особенности анизотропных оптикотермоэлементов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 995

Рассмотрены процессы осаждения и электронные свойства тонкопленочных полупроводников и диэлектриков на основе кремния для производства электронных приборов на гибких пластиковых пленках. Пленки аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si : H), нанокристаллического кремния (nc-Si) и аморфного нитрида кремния (a-SiNx), а также тонкопленочные транзисторы (ТПТ) были изготовлены при низких температурах процессов (120oC, 75oC) с использованием существующего промышленного плазмохимического оборудования. Параметры тонкопленочных транзисторов на основе a-Si : H, изготовленных при столь низких температурах, соответствуют своим высокотемпературным аналогам. PACS: 81.15.Gh, 85.30.Tv
Сазонов А., Мейтин М., Стряхилев Д., Nathan A. Низкотемпературные материалы итонкопленочные транзисторы дляэлектроники нагибких подложках // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 986

Теоретически исследована возможность управления с помощью постоянного поперечного электрического поля эффектами пространственного повторения и мультипликации для плотности потока вероятности jx(x,z) (или квантовомеханической плотности токаejx(x,z), e--- заряд электрона), возникающими при интерференции электронных волн в полупроводниковых двумерных наноструктурах. Показано, что в структурах, представляющих собой последовательно расположенные в направлении распространения электронной волны (осьx) узкую и широкую вдоль осиz (ось размерного квантования) квантовые ямы прямоугольного профиля, поперечное распределениеjx(0,z), существующее на входе широкой квантовой ямы, с определенной точностью периодически воспроизводится в сечениях Xp=pX1 (повторяемость) и расщепляется в симметричной по осиz наноструктуре наq идентичных пиков вqраз меньшей интенсивности на расстоянииX1/q от входа (мультипликация) (p иq--- целые числа). Показано, что управление этими эффектами возможно с помощью постоянного поперечного (вдоль осиz) электрического поля в области широкой квантовой ямы. Уменьшение в электрическом поле эффективной ширины квантовой ямы и возникновение в ней асимметрии в поперечном направлении приводят к кардинальному изменению в ней пространственного распределенияjx(x,z) и возможности инверсной заселенности квантово-размерных подзон. PACS:73.21.Fg, 73.63.Hs
Петров В.А., Никитин А.В. Управление электрическим полем эффектами пространственной повторяемости имультипликации электронных волн вполупроводниковых двумерных наноструктурах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 977

В приближении эффективной массы и квадратичного закона дисперсии рассчитаны энергии связи экситона и энергии излучательных экситонных переходов в одиночных квантовых ямах SiOx--Si--SiOx. Кроме реальных конечных величин разрывов зон в структурах с такими квантовыми ямами был учтен также эффект диэлектрического усиления энергии связи экситона из-за поляризации гетерограниц. Рассчитана также зависимость экситонного бесфононного времени излучательной рекомбинации от ширины квантовой ямы SiOx--Si--SiOx. Она имеет немонотонный (осциллирующий) характер, что обусловлено непрямозонностью кремниевого материала. Показано, что теоретически рассчитанные энергии излучательных экситонных переходов в квантовых ямах SiO2--Si--SiO2 согласуются с полученными из эксперимента при ширинах квантовых ям >=q 1.5 нм. Достигнуто достаточно хорошее согласие между экспериментальными и теоретически рассчитанными спектральными зависимостями фотолюминесценции квантовых ям SiO2--Si--SiO2. PACS: 78.67.Hc, 73.21.Fg
Саченко А.В., Корбутяк Д.В., Крюченко Ю.В., Купчак И.М. Экситонная фотолюминесценция структур скремниевыми квантовыми ямами // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 969

Получены и проанализированы спектры фотолюминесценции квантовых точек CdS, выращенных в боросиликатном стекле золь--гель методом. Показано, что спектры фотолюминесценции образцов обусловлены аннигиляцией свободных (внутренних) экситонов в основном и возбужденном состояниях. Впервые обнаружено излучение из поверхностных уровней квантовых точек в области 2.7 эВ, обусловленное рекомбинацией локализованных на поверхности электронов с тяжелыми дырками в свободных состояниях квантовых точек. Резонансное возбуждение этих структур позволило установить характерные особенности поверхностных локализованных состояний, формирующих полосу фотолюминесценции, свойства которой во многом схожи со свойствами полос излучения как трехмерных (аморфные полупроводники, твердые растворы замещения), так и двумерных (квантовые ямы и сверхрешетки) систем. PACS: 73.21.La, 78.67.Hc, 78.55.Et
Бондарь Н.В., Бродин М.С., Тельбиз Г.М. Вклад внутренних и поверхностных состояний носителей заряда вспектры излучения квантовых точек CdS вборосиликатном стекле // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 962