Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: более 1000, для научной тематики: Полупроводники

111.

Мезоскопические флуктуации проводимости при обеднении встроенного канала полевого транзистора     

Аронзон Б.А., Веденеев А.С., Панферов А.А., Рыльков В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
При температуре 77 K в макроскопических Si-МОП структурах со встроенным p-каналом обнаружены мезоскопические флуктуации недиагональной компоненты тензора сопротивления Rxy в условиях обеднения канала свободными дырками. Установлено, что флуктуации delta Rxy обусловлены переходом от трехмерной к к...
112.

Перенос носителей заряда вструктуре скремниевыми нанокристаллами, внедренными воксидную матрицу     

Рябчиков Ю.В., Форш П.А., Лебедев Э.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К., Kamenev B.V., Tsybeskov L. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследованы в широком температурном интервале вольт-амперные характеристики структур Al/SiO2/c-Si с кремниевыми нанокристаллами (nc-Si) в оксидном слое. Выполненный на основе полученных экспериментальных данных анализ показал, что наиболее вероятным механизмом переноса носителей заряда в таких ст...
113.

Влияние пассивации поверхности p-CdTe в(NH4)2Sx навольт-амперные характеристики контактов     

Клевков Ю.В., Колосов С.А., Плотников А.Ф. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследованы вольт-амперные характеристики контактов при температурах300 и77 K. Контакты были получены химическим осаждениемAu на поверхность(111) поликристаллического p-CdTe после травления в бром-метаноле и после пассивации в(NH4)2Sx. Показано, что пассивация поверхности заметно приближает вольт...
114.

Точечные квантовые контакты вразупорядоченных Si-МОП структурах синверсионным p-каналом: нелинейное поведение системы в продольном ипоперечном электрическом поле     

Веденеев А.С., Феклисов М.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
В условиях перколяционного перехода диэлектрик--металл обсуждается поведение латеральной проводимостиG мезоскопических Si-МОП структур с инверсионным p-каналом, обладающих высокой концентрацией встроенных (ионных) зарядов (Nt==q77 K на зависимостяхG ...
115.

Туннельная эмиссия электронов из валентной зоны полупроводников всильных электрических полях     

Калганов В.Д., Милешкина Н.В., Остроумова Е.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследовались туннельные эмиссионные токи электронов из полупроводников в вакуум (игольчатые GaAs-фотодетекторы) и в металл (кремниевые МДП диоды с туннельно-тонким слоем диэлектрика) в сильных и сверхсильных электрических полях. Показано, что в полупроводниках n-типа проводимости в обоих случаях...
116.

Поверхностно-барьерные структуры In/p-CuGa3Te5 и In/p-CuGa5Te8: создание исвойства     

Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Боднарь И.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Выращены монокристаллы тройных соединений CuGa3Te5 иCuGa5Te8 и исследованы их физические свойства. На гомогенных кристаллах созданы первые фоточувствительные структуры In/p-CuGa3Te5 и In/p-CuGa5Te8. Выполнены исследования фотоэлектрических свойств новых структур, определены параметры структур и ...
117.

Радиационно-стимулированная релаксация внутренних механических напряжений вгомоэпитаксиальных пленках фосфида галлия     

Генцарь П.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Методом электроотражения исследованы электронные переходыE0, E0+Delta0 в гомоэпитаксиальных пленках n-GaP (111) с концентрацией электронов 5.7·1023 м-3 до и после облучения gamma-квантами 60Co в интервале доз 105-106 рад при комнатной температуре с использованием электролитической методики. ...
118.

Проводимость твердых растворов Pb1-xSnxTe(In) впеременном электрическом поле     

Кожанов А.Е., Никорич А.В., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследованы частотные и температурные зависимости компонент полного импеданса монокристаллов Pb0.75Sn0.25Te(In) в частотном диапазоне от20 до106 Гц в температурном интервале T=4.2-300 K. Анализ импеданс-спектров проведен в рамках модели эквивалентных схем. Показано, что при T=4.2 K импеданс-спект...
119.

Гамма- и электронно-лучевое модифицирование цинкосульфидных люминофоров     

Сычев М.М., Комаров Е.В., Григорьев Л.В., Мякин С.В., Васильева И.В., Кузнецов А.И., Усачева В.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследовано воздействие gamma-лучей и электронного пучка на электролюминесценцию люминофоров ZnS : Cu,Br и ZnS : Cu,Al,Br. Облучение обоих образцов gamma-квантами и образца ZnS : Cu,Br электронным пучком позволяет повысить яркость свечения на 20-35% при оптимальной дозе 5-10 Мрад. При этом в...
120.

Сенсибилизация люминесценции вюрцитных кристалловGaN, легированныхEu идополнительно введенной примесьюZn     

Криволапчук В.В., Мездрогина М.М., Кожанова Ю.В., Родин С.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследовалась возможность увеличения интенсивности внутрицентровых переходов ионаEu в кристаллахGaN путем введения дополнительной примеси для изменения локального окружения редкоземельного иона. Вюрцитные кристаллы p-GaN исходно были легированыMg, а затем--- европием. Введение дополнительной прим...