При температуре 77 K в макроскопических Si-МОП структурах со встроенным p-каналом обнаружены мезоскопические флуктуации недиагональной компоненты тензора сопротивления Rxy в условиях обеднения канала свободными дырками. Установлено, что флуктуации delta Rxy обусловлены переходом от трехмерной к квазидвумерной перколяционной проводимости свободных дырок во флуктуационном потенциале ионизованных примесей легированного поверхностного p-слоя, обедняемого под действием эффекта поля. Изанализа delta Rxy получены оценки радиуса корреляции перколяционного кластера Lc, определяющего масштаб электрической неоднородности структуры, в зависимости от потенциала затвораVg. Показано, что зависимость Lc от Vg хорошо описывается в рамках представлений о нелинейном экранировании флуктуационного потенциала дырками и о перколяционном характере их транспорта при изменении Lc от значений ~ 10 нм до~ 1 мкм. PACS: 73.40.Qv, 73.23.-b
Аронзон Б.А., Веденеев А.С., Панферов А.А., Рыльков В.В. Мезоскопические флуктуации проводимости при обеднении встроенного канала полевого транзистора // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1082

Исследованы в широком температурном интервале вольт-амперные характеристики структур Al/SiO2/c-Si с кремниевыми нанокристаллами (nc-Si) в оксидном слое. Выполненный на основе полученных экспериментальных данных анализ показал, что наиболее вероятным механизмом переноса носителей заряда в таких структурах является термоактивированное туннелирование через электронные состояния в nc-Si. PACS: 73.60.Bd; 72.80.Jc; 73.40.Gk.
Рябчиков Ю.В., Форш П.А., Лебедев Э.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К., Kamenev B.V., Tsybeskov L. Перенос носителей заряда вструктуре скремниевыми нанокристаллами, внедренными воксидную матрицу // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1079

Исследованы вольт-амперные характеристики контактов при температурах300 и77 K. Контакты были получены химическим осаждениемAu на поверхность(111) поликристаллического p-CdTe после травления в бром-метаноле и после пассивации в(NH4)2Sx. Показано, что пассивация поверхности заметно приближает вольт-амперные характеристики к линейным при300 K и лишь незначительно при77 K. Измерения низкотемпературной фотопроводимости образцов показали, что пассивация поверхности в(NH4)2Sx уменьшает плотность поверхностных состояний на границе металл-полупроводник. PACS: 73.40.Ns, 81.65.Ps
Клевков Ю.В., Колосов С.А., Плотников А.Ф. Влияние пассивации поверхности p-CdTe в(NH4)2Sx навольт-амперные характеристики контактов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1074

В условиях перколяционного перехода диэлектрик--металл обсуждается поведение латеральной проводимостиG мезоскопических Si-МОП структур с инверсионным p-каналом, обладающих высокой концентрацией встроенных (ионных) зарядов (Nt=<q 3· 1012 см-2). При температурах >=q77 K на зависимостяхG от поперечного(Vg) и продольного(Vd) напряжений обнаружены: квазиплатоG(Vg) при G~ 2e2/h и минимумG(Vd) при |Vd|
Веденеев А.С., Феклисов М.А. Точечные квантовые контакты вразупорядоченных Si-МОП структурах синверсионным p-каналом: нелинейное поведение системы в продольном ипоперечном электрическом поле // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1069

Исследовались туннельные эмиссионные токи электронов из полупроводников в вакуум (игольчатые GaAs-фотодетекторы) и в металл (кремниевые МДП диоды с туннельно-тонким слоем диэлектрика) в сильных и сверхсильных электрических полях. Показано, что в полупроводниках n-типа проводимости в обоих случаях основной вклад в эмиссионный ток вносит туннельная эмиссия электронов из валентной зоны полупроводника, а не из зоны проводимости. PACS: 79.70.+q, 79.60.Jv
Калганов В.Д., Милешкина Н.В., Остроумова Е.В. Туннельная эмиссия электронов из валентной зоны полупроводников всильных электрических полях // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1062

Выращены монокристаллы тройных соединений CuGa3Te5 иCuGa5Te8 и исследованы их физические свойства. На гомогенных кристаллах созданы первые фоточувствительные структуры In/p-CuGa3Te5 и In/p-CuGa5Te8. Выполнены исследования фотоэлектрических свойств новых структур, определены параметры структур и новых полупроводников, сделан вывод о возможностях их применения в широкополосных фотопреобразователях неполяризованного излучения. PACS: 72.40.+v, 73.30.+y, 85.60.Gz
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Боднарь И.В. Поверхностно-барьерные структуры In/p-CuGa3Te5 и In/p-CuGa5Te8: создание исвойства // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1054

Методом электроотражения исследованы электронные переходыE0, E0+Delta0 в гомоэпитаксиальных пленках n-GaP (111) с концентрацией электронов 5.7·1023 м-3 до и после облучения gamma-квантами 60Co в интервале доз 105-106 рад при комнатной температуре с использованием электролитической методики. Наблюдалось расщепление низкоэнергетического экстремума после облучения. Уменьшение внутренних механических напряжений в пленке под действием gamma-облучения оценивалось по изменению энергии электронного перехода и столкновительного параметра уширения. Оценено также увеличение времени энергетической релаксации носителей заряда после облучения. PACS:61.80.Ed, 71.70.Ej, 78.20.Jq, 81.40.Wx
Генцарь П.А. Радиационно-стимулированная релаксация внутренних механических напряжений вгомоэпитаксиальных пленках фосфида галлия // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1051

Исследованы частотные и температурные зависимости компонент полного импеданса монокристаллов Pb0.75Sn0.25Te(In) в частотном диапазоне от20 до106 Гц в температурном интервале T=4.2-300 K. Анализ импеданс-спектров проведен в рамках модели эквивалентных схем. Показано, что при T=4.2 K импеданс-спектр образца соответствует эквивалентной схеме параллельного RC-контура. Рассчитанные параметры контура соответствуют значению диэлектрической проницаемости материала varepsilon~1000 при низких температурах. Повышение концентрации свободных носителей заряда, индуцированное либо нагревом образца, либо подсветкой, осуществляемой при температурах ниже Tc~25 K, приводит к существенному возрастанию емкостного вклада в проводимость. Показано, что увеличение этого вклада не может быть связано с фазовым переходом. Рассматривается возможность увеличения емкостного вклада в связи с процессами перезарядки в примесной подсистеме, индуцированными переменным электрическим полем. PACS:6470.Kb, 72.20.Ht, 77.80.Bh
Кожанов А.Е., Никорич А.В., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Проводимость твердых растворов Pb1-xSnxTe(In) впеременном электрическом поле // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1047

Исследовано воздействие gamma-лучей и электронного пучка на электролюминесценцию люминофоров ZnS : Cu,Br и ZnS : Cu,Al,Br. Облучение обоих образцов gamma-квантами и образца ZnS : Cu,Br электронным пучком позволяет повысить яркость свечения на 20-35% при оптимальной дозе 5-10 Мрад. При этом в спектре люминесценции всех образцов увеличивается относительная интенсивность \glqq зеленой\grqq полосы, предположительно вследствие диссоциации донорно-акцепторных пар Cui-CuZn и BrZn-VZn. Таким образом, облучение позволяет регулировать яркость и цвет свечения люминофоров, что может быть использовано для нехимической литографии люминесцентных слоев. PACS: 61.80.Cb, 61.80.Ed, 61.82.Fk, 78.60.Fi, 81.40.Tv
Сычев М.М., Комаров Е.В., Григорьев Л.В., Мякин С.В., Васильева И.В., Кузнецов А.И., Усачева В.П. Гамма- и электронно-лучевое модифицирование цинкосульфидных люминофоров // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1042

Исследовалась возможность увеличения интенсивности внутрицентровых переходов ионаEu в кристаллахGaN путем введения дополнительной примеси для изменения локального окружения редкоземельного иона. Вюрцитные кристаллы p-GaN исходно были легированыMg, а затем--- европием. Введение дополнительной примесиZn приводит к существенному увеличению интенсивности фотолюминесценции в области 3580-4250 Angstrem и в длинноволновой области спектра5400-6237 Angstrem. Это можно объяснить проявлением сенсибилизации люминесценции оптически-активных внутрицентровых f-f-переходов Eu3+ вследствие введения дополнительной примеси, способствующей образованию комплексов редкоземельного иона с большим сечением захвата носителей заряда. PACS: 61.72.Vv, 61.72.Yx, 78.47.+p, 78.55.Cr
Криволапчук В.В., Мездрогина М.М., Кожанова Ю.В., Родин С.Н. Сенсибилизация люминесценции вюрцитных кристалловGaN, легированныхEu идополнительно введенной примесьюZn // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1033