Методы спектральной эллипсометрии применены для анализа оптических свойств наноалмазного композита в диапазоне энергий фотонов 1.4-5 эВ, характерных для pi-pi*-переходов в аморфном углероде. Нанокомпозит синтезировался формовкой порошка наноалмаза и последующим связыванием алмазных наночастиц пироуглеродом за счет гетерогенной химической реакции разложения метана. Восстановлена дисперсия мнимой и действительной частей диэлектрической функции. Показано, что мнимую часть диэлектрической функции можно представить как сумму двух компонент, порождаемых двумя типами оптических переходовpi-pi*. Максимальный вклад переходов первого и второго типов проявляется при энергиях2.6 и5.6 эВ соответственно, что при переходе к оптической плотности дает энергии2.9 и6.11 эВ. Установлено, что основные особенности нормированной оптической плотности наноалмазного композита и поли(пара-фениленвинилена) практически совпадают. Определена энергия sigma+pi-плазмона пироуглеродной составляющей наноалмазного композита,24.2 эВ, на основании этого значения сделана оценка плотности матрицы пироуглерода, которая оказалась равной2 г/см3. Сиспользованием представлений об оптимальном заполнении элементарного объема атомами углерода в аморфном материале такой плотности восстановлен аллотропный состав матрицы пироуглерода. PACS: 78.20.Ci, 78.66.Sq, 77.84.Df
Ястребов С.Г., Гордеев С.К., Гаррига М., Алонсо И.А., Иванов-Омский В.И. Спектральная эллипсометрия наноалмазного композита // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 850

Показано, что автоколебания, наблюдаемые в слабосвязанных сверхрешетках GaAs/AlGaAs, являются результатом сложения гармонических колебаний нескольких связанных осцилляторов, каждый из которых представляет собой однобарьерный туннельный диод. Связанные осцилляторы формируют расширенную границу электрополевого домена в режиме отрицательной дифференциальной проводимости. PACS: 72.30.+q, 73.40.Gk, 73.40.Kp.
Расулова Г.К., Брунков Н.П., Жуков А.Е., Устинов В.М. Высшие гармоники колебаний тока вслабосвязанных сверхрешетках GaAs/AlGaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 846

Методом туннельной спектроскопии при гелиевых температурах исследован эффект замороженой (persistent) туннельной фотопроводимости: сгущение пустых уровней в приповерхностном delta-легированном слое GaAs после внешней подсветки. Показано, что этот эффект обусловлен уширением потенциальной ямы delta-слоя. При энергиях фотонов hnu больше ширины запрещенной зоны Eg в GaAs это происходит за счет накопления положительного заряда в глубине GaAs при генерации электронно-дырочных пар и за счет фотоионизации глубоких центров. При hnu
Котельников И.Н., Дижур С.Е., Фейгинов М.Н., Мордовец Н.А. Влияние энергии фотонов и температуры на эффект замороженной туннельной фотопроводимости структур Al/delta (Si)-GaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 839

Двумерный полупроводниковый фотонный кристалл с гексагональной решеткой субмикрометровых отверстий изготовлен путем травления планарной структуры GaAs/AlGaAs, содержащей квантовые точки InAs/InGaAs в волноводном слое. Путем анализа спектров отражения при различных углах падения и поляризации света определена структура фотонных зон. Фано-резонансы, обнаруженные в спектрах отражения при ТМ (ТЕ) поляризации вдоль направления симметрии Gamma-K (Gamma-M), связаны с резонансным взаимодействием оптически активных фотонных зон с падающим светом. Зонная структура радиационных мод утечки исследована путем измерения угловой зависимости интенсивности фотолюминесценции. Обнаруженное трехкратное увеличение интенсивности фотолюминесценции на резонансной частоте фотонного кристалла объяснено эффектом Пурселя. PACS: 42.70.Qs, 78.67.Hc, 78.66.Sq, 78.20.Ci
Блохин С.А., Усов О.А., Нащекин А.В., Аракчеева Е.М., Танклевская Е.М., Конников С.Г., Жуков А.Е., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М. Оптические исследования двумерного фотонного кристалла сквантовыми точками InAs/InGaAs вкачестве активной области // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 833

При помощи метода релаксации неравновесной емкости структуры металл--окисел--полупроводник изучено влияние ультразвукового воздействия на генерационные параметры границы раздела Si-SiO2, облученной gamma-квантами. Обнаружено уменьшение генерационного времени жизни под влиянием ультразвуковой обработки. Показано, что в облученных и необлученных структурах изменение генерационных параметров под влиянием ультразвука носит существенно различный характер. PACS: 73.40.Qv, 73.20.Hb, 61.80.Ed, 73.50.Gr
Парчинский П.Б., Власов С.И., Лигай Л.Г. Исследование влияния ультразвукового воздействия нагенерационные характеристики предварительно облученной границы раздела кремний--диоксид кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 829

Исследовались кремниевые диоды с p+-n-переходом, облученные быстрыми электронами (энергия E=3.5 МэВ, флюенс Phi=4·1016 см-2). Индуктивность диодов(L) измерялась на частоте f=1 МГц при амплитуде переменного тока0.25 мА. Одновременно с измерениемL на переменном токе через включенный в прямом направлении диод пропускался постоянный ток, что приводило к инжекции в базу неосновных носителей заряда. Для выяснения механизмов возникновения импеданса индуктивного типа в облученных диодах с p+-n-переходом, а также для идентификации основных радиационных дефектов, непосредственно принимающих участие в его возникновении, был проведен изохронный отжиг в диапазоне температур Ta=225-375oC с последующим исследованием основных характеристик дефектов методом нестационарной емкостной спектроскопии(DLTS). Показано, что импеданс индуктивного типа в облученных диодах определяется процессами захвата и удержания инжектированных в базу носителей заряда на центрах прилипания в течение времени~1/2f, т. е. полупериода колебаний. Показано также, что центрами прилипания являются комплексы вакансия--кислород, вводимые облучением. PACS:85.30.Kk, 73.40.Lq, 71.55.Cn, 61.80.Fe
Поклонский Н.А., Шпаковский С.В., Горбачук Н.И., Ластовский С.Б. Отрицательная емкость (импеданс индуктивного типа) кремниевых p+-n-переходов, облученных быстрыми электронами // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 824

Исследована магнитополевая зависимость фотопроводимости Si : B-структур с блокированной проводимостью по примесной зоне (BIB-структур) с концентрацией примеси бора в активном слое ~ 1018 см-3. Измерения выполнены в импульсных магнитных полях B до 30 Тл при длительности импульса 0.8 с в диапазоне температур T=4.2-9 K при облучении структур фоном комнатной температуры интенсивностью ~ 1016 фотон/см2·c. Установлено, что в продольной геометрии, когда магнитное поле направлено параллельно электрическому полю, падение фототока с увеличением B происходит главным образом из-за уменьшения коэффициента умножения дырок M в поле и(или) из-за увеличения в поле энергии активации прыжковой проводимости в активном слое. При T=4.2 K падение фототока может достигать нескольких десятков раз. Вто же время при пониженных напряжениях смещения Vb, когда M~ 1, и повышенных температурах, T~ 9 K, падение фототока не превышает 2 раз в полях ~ 30 Тл. Обнаружено также, что в поперечной геометрии (магнитное поле перпендикулярно электрическому полю) влияние магнитного поля на фотоотклик структуры существенно увеличивается (при T=4.2 K более чем на порядок). Данный факт объясняется эффектами накопления заряда в нелегированном слое BIB-структур из-за увеличения времени пролета дырками этого слоя, связанного с сильным искривлением траекторий их движения в поперечной геометрии. PACS: 73.40.Lq, 73.50.Pz, 73.50.Gr, 73.50.Jt.
Аронзон Б.А., Драченко А.Н., Рыльков В.В., Леотин Ж. Влияние сильных магнитных полей на фотоотклик Si : B-структур сблокированной проводимостью по примесной зоне // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 819

Исследованы монокристаллы ZnSe, легированные путем диффузии кобальта. Диффузия осуществлялась из металлического кобальта в атмосфере гелия или аргона. Исследованы спектры оптической плотности в области длин волн 0.4-2 мкм. Установлено смещение края поглощения по мере увеличения концентрации легирующих примесей, обусловленное образованием твердого раствора Zn1-xCoxSe. Диффузионный профиль примеси кобальта определен путем измерения относительной оптической плотности кристаллов в видимой области спектра. Рассчитаны коэффициенты диффузии(D) кобальта в кристаллах ZnSe при температурах T=1103-1273 K. Анализ температурной зависимостиD(T) позволил определить коэффициенты в уравнении Аррениуса: D0=3.4·106 см2/с и E0=3.8 эВ. PACS:78.66.Hf, 78.30.Fs
Ваксман Ю.Ф., Павлов В.В., Ницук Ю.А., Пуртов Ю.Н., Насибов А.С., Шапкин П.В. Получение иоптические свойства монокристаллов ZnSe, легированных кобальтом // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 815

Во время пикосекундной фотогенерации носителей и интенсивной суперлюминесценции в GaAs обнаружена автомодуляция спектра поглощения света. При изменении пикосекундной задержки зондирующего импульсаtau относительно импульса накачки в области tau
Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н., Стеганцов С.В. Сверхбыстрая автомодуляция спектра поглощения света, возникающая присверхкоротких оптической накачке исуперлюминесценции вGaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 806

Проведен анализ примесно-дефектной системы в кристаллах Cd1-xZnxTe (0.02=<q x=<q 0.15) до и после термообработки при температурах 720--1170 K. Установлено, что в большинстве этих кристаллов проводимость контролируется двумя типами акцепторов A1 (EV=0.03-0.05 эВ) и A2 (EV=0.012-0.15 эВ). Изменение электрофизических свойств кристаллов после термообработки зависит от концентрации неконтролируемых примесей в исходном материале и степени компенсации акцептора A1. Увеличение сопротивления и однородности образцов происходит в результате двух последовательных термообработок. PACS: 72.20.Fr, 72.80.Ey, 81.05.Dz, 81.40.Gh
Никонюк Е.С., Захарук З.И., Рыбак Е.В., Дремлюженко С.Г., Шляховый В.Л., Ковалец М.А. Изменения электрофизических свойств кристаллов Cd1-xZnxTe после термообработки // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 802