Получена лазерная генерация в микродисках с асимметричным волноводом, сформированным методом селективного окисления, при оптической накачке в диапазоне температур 5--180 K. Вкачестве активной области использовались квантовые точки InGaAs, полученные методом субмонослойного осаждения. Экспериментально измеренное значение добротности микродискового резонатора составило не менее 104. Температурный сдвиг длины волны резонансной моды обусловлен дисперсионно-температурной зависимостью эффективного показателя преломления микродиска. Наблюдаемая температурная зависимость порога генерации обусловлена температурным выбросом носителей из квантовых точек вGaAs. PACS: 48.55.Px, 85.60.Jb, 78.45.Lh
Блохин С.А., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Аракчеева Е.М., Танклевская Е.М., Жуков А.Е., Васильев А.П., Семенова Е.С., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Шток Э., Бимберг Д. Оптические исследования микродисков на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs сасимметричным волноводом, сформированным методом селективного окисления // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 482

Исследованы частотные зависимости электропроводности и емкости анизотропного пористого кремния, полученного путем электрохимического травления пластин монокристаллического кремния p-типа с ориентацией поверхности (110). Обнаружено, что во всем исследованном диапазоне частот (5 Гц-13 МГц) и температур (170-370 K) величина электропроводности по направлению наибольшего размера кремниевых нанокристаллов значительно выше, чем по направлению их наименьшего размера. Наоснове анализа экспериментальных данных показано, что основной причиной анизотропии электрического транспорта является анизотропия кремниевых нанокристаллов, составляющих исследуемые образцы пористого кремния. PACS: 72.15.Cz, 72.30.+q
Форш П.А., Мартышов М.Н., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Динамическая электропроводность анизотропно наноструктурированного кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 476

Исследована электрохимическая интеркаляция лития в тонкие пленки a-Si : H, полученные при температурах100 и250oC на подложках из нержавеющей стали. Интеркаляционная емкость пленок, полученных при 250oC, составляет~1750 и~500 мА·ч/г впервом и сотом циклах. Коэффициент диффузии лития в пленках составляет~10-12 см2/с. PACS: 82.47.Aa, 66.30.Qa, 73.740.Mn, 66.30.Jt
Кулова Т.Л., Скундин А.М., Плесков Ю.В., Коньков О.И., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н. Интеркаляция лития в тонкие пленки аморфного кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 473

При T=8 K исследованы спектры экситонной люминесценции структур с одиночной квантовой ямой ZnCdSe/ZnSe. Обнаружено два типа анизотропии линейной поляризации экситонного излучения. Анизотропия первого типа соответствует поляризации излучения вдоль оси[011] и обусловлена излучением с нижнего уровня дублетного состояния тяжелых экситонов, локализованных в вытянутых вдоль оси[011] островках локализации. Второй тип анизотропии связан с процессами возбуждения свободных экситонов с волновыми векторами, превышающими волновой вектор света. Возбуждение реализуется через упругое рассеяние света на анизотропных интерфейсных шероховатостях, обусловленных ступеньками роста. Анизотропия второго типа соответствует поляризации излучения вдоль оси[0 11] и является следствием воздействия деформационных эффектов, возмущающих дырочные состояния вблизи ступенек роста. Деформация возникает в этих областях за счет разной величины постоянных решетки материала барьера и ямы. PACS: 71.35.-y, 73.20.Mf, 78.67.De
Кайбышев В.Х., Травников В.В. Влияние интерфейсных ступенек роста наанизотропию экситонного излучения квантовых ямZnCdSe/ZnSe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 464

Исследованы зависимости интенсивности катодолюминесценции множественных квантовых ям Al0.55Ga0.45N/Al0.45Ga0.55N, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, от условий роста. Наблюдается увеличение почти на 2 порядка интенсивности пика катодолюминесценции с энергией 4.45 эВ при росте слоя квантовой ямы в режиме сильного обеднения по аммиаку. На картине дифракции быстрых электронов при этом появляется тенденция к режиму трехмерного роста, эффект интерпретируется в модели формирования квантовых точек AlGaN. PACS: 78.67.De, 78.67.Hc, 81.15.Hi
Борисов Б.А., Никишин С.Н., Курятков В.В., Кучинский В.И., Holtz M., Temkin H. Повышенная излучательная рекомбинация квантовых ям AlGaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 460

Исследован рост квантовых точек InAs(N) на GaAs в реакторе металлорганической газофазной эпитаксии (МОГФЭ) пониженного давления. Вкачестве источника азота использован демитилгидразин. Внастоящее время хорошо известно, что температура роста квантовых точек InGaAs должна быть ограничена, чтобы предотвратить нежелательные процессы взаимодиффузии атомов In и Ga, а также переиспарение атомовIn. Сдругой стороны, толстые барьерные слои GaAs должны выращиваться при повышенной температуре из-за сильного влияния температуры роста на оптическое качество структуры. Повышение температуры подложкодержателя на 100 градусов требует прерывания процесса в реакторе МОГФЭ примерно на 2 мин. Момент прерывания процесса для подъема температуры может быть выбран в различных точках процесса: 1--- после квантовых точек, перед покрывающим слоем InGaAs; 2--- внутри процесса роста покрывающего слоя; 3--- между покрывающим слоем и барьерным GaAs; 4--- внутри барьерного слоя GaAs. Показано, что наиболее подходящим для структур с сильной фотолюминесценцией на 1.3 мкм является последний вариант, где тонкая начальная часть барьерного слоя выращивается при пониженной температуре. PACS: 78.55.-m, 81.16.-c
Шашкин В.И., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Гапонова Д.М., Хрыкин О.И., Мурель А.В., Востоков Н.В., Kim Taek, Park Yong-Jo Оптимизация температурного режима металлорганической газофазной эпитаксии квантовых точек InAs(N) наGaAs(001) синтенсивной фотолюминесценцией вблизи 1.3 мкм // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 455

Исследуется влияние углерода на фотолюминесцентные свойства пленок состава: Si квантово-размерные нанокристаллы / SiOx (x->2) матрица. Измерены спектры фотолюминесценции с временным разрешением в диапазоне энергий 1.4-3.2 эВ и спектры инфракрасного поглощения в диапазоне волновых чисел 650-1500 см-1. Установлено, что введение углерода в присутствии кислорода при импульсном лазерном осаждении пленок приводит к бело-голубому спектру, увеличению интенсивности и стабильности фотолюминесценции. Влияние углерода на фотолюминесцентные свойства связывается с формированием SiO2-барьерной фазы взамен SiOx (1
Каганович Э.Б., Лисовский И.П., Манойлов Э.Г., Злобин С.А. Фотолюминесценция пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением свведением углерода // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 449

Методами математического моделирования на основе уравнения энергетического баланса исследована электропроводность наноразмерных слоистых гетероструктур в сильных электрических полях. Показано, что характерной особенностью соответствующих характеристик является пик дифференциальной проводимости, положение и величина которого определяются высотой и крутизной гетеробарьеров, равно как и уровнем легирования структуры. Предложена физическая модель, интерпретирующая форму расчетных характеристик кумулятивным действием электростатического снижения высоты гетеробарьеров и ростом электронной температуры в окрестности инжектирующих гетерограниц. PACS: 73.63.-b
Гергель В.А., Курбатов В.А., Якупов М.Н. Квазигидродинамическое моделирование особенностей электропроводности сильно легированных наноразмерных слоистых гетероструктур всильных электрических полях // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 446

Наблюдалось спиновое расщепление нулевого уровня Ландау для верхней подзоны размерного квантования с энергией дна зоныEp в осцилляциях магнитосопротивления гетеросистемы Al0.28Ga0.72As(Si)Ga/As. Явление связано с межподзонными переходами электронов из нижней, основной Em-подзоны размерного квантования на опустошенные магнитным полем состояния верхней Ep-подзоны. Найдена величина фактора спектроскопического расщепления электронов Ep-подзоны: |g|=8.2-12.2 для концентрации в диапазоне np=(0.52-1.04)· 1011 см-2. PACS: 73.63.Hs, 7547.-m, 72.15.Gd
Кадушкин В.И. Спиновое расщепление и g-фактор электронов возбужденной подзоны размерного квантования // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 439

Рассмотрены состояния электрона, локализованного на доноре в квантовом сужении с параболическим электронным потенциалом при наличии продольного по отношению к оси сужения магнитного поля. Врамках модели потенциала нулевого радиуса аналитически получено дисперсионное уравнение электрона с учетом влияния магнитного поля на D(-)-состояние в квантовом сужении. Найдено, что особенность электронного спектра в квантовом сужении проявляется в зависимости энергии связи D(-)-состояния и края полосы примесного поглощения от эффективной длины сужения. Исследована эволюция энергии связи D(-)-состояния, а также спектра примесного магнитооптического поглощения в квантовом сужении с изменением величины продольного магнитного поля и проведено сравнение со случаем D(-)-состояний в квантовой проволоке. PACS: 73.21.Hb, 78.67.Lt, 73.63.Nm
Кревчик В.Д., Марко А.А., Грунин А.Б. Энергетический спектр и магнитооптические свойства D(-)-центра вквантовом сужении // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 433