Изучено оставльдовское созревание в металлических сплавах и квазинульмерных полупроводниковых структурах в условиях смешанного типа диффузии (дислокационно-матричной), когда нельзя пренебречь ни одним из слагаемых jd и jv в общем диффузионном потоке. Получены функция распределения по размерам и временные зависимости для максимальных (rg) и критических (средних) размеров частиц rk(< r>) в зависимости от соотношения x между потоками. Показана возможность реализации смешанного, дислокационно-матричного типа диффузии в процессе формирования квантовых точек CdS, получаемых химическим осаждением. PACS: 81.10.Aj, 64.60.Qb, 66.30.Fq
Венгренович Р.Д., Москалюк А.В., Ярема С.В. Оствальдовское созревание вусловиях смешанного типа диффузии // ФТТ, 2007, том 49, выпуск 1, Стр. 13

На основе проведенных экспериментальных исследований процессов образования и эволюции пентагональных кристаллов на индифферентной подложке в процессе электрокристаллизации меди составлена и обоснована диаграмма возможных фазовых переходов в малых частицах при варьировании параметров, управляющих процессом электроосаждения. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (региональный проект N 05-02-96508). PACS: 81.10.Aj, 81.15.Pq, 81.30.Dz
Викарчук А.А., Ясников И.С. Фазовые переходы вмалых частицах, формирующихся наначальных стадиях электрокристаллизации металлов // ФТТ, 2007, том 49, выпуск 1, Стр. 3

Изучается поведение электрического поля вблизи поверхности в полупространстве, заполненном вырожденным электронным газом, во внешнем переменном электрическом поле. Исследован случай, когда частота внешнего поля близка к частоте плазменных колебаний (резонанс). Выясняются особенности поведения экранированного поля при диффузном отражении электронов от границы. Показано существование двух слоев, примыкающих к поверхности, в которых поведение экранированного поля существенно различается. Один из авторов (А.В.Л.) благодарит за частичную финансовую поддержку Российский фонд фундаментальных исследований (грант N 03-01-00281). PACS:52.35.-g, 52.20.-j, 52.25.-b
Латышев А.В., Юшканов А.А. Вырожденная плазма вполупространстве вовнешнем электрическом поле вблизи резонанса // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 12, Стр. 2113

Теоретически проанализирован коэффициент удельной электропроводности двухслойной пленки с моно- и поликристаллической структурой в условиях взаимной диффузии металлов при произвольном соотношении между толщинами слоев и длиной свободного пробега электронов в них. Показано, что изменение проводящих свойств двухслойной пленки в результате диффузионного отжига позволяет исследовать сам процесс объемной и зернограничной диффузии, определить эффективную глубину проникновения атомов примеси в объем образца и в межкристаллитные границы и получить информацию о коэффициентах объемной и зернограничной диффузии. Работа выполнена в рамках Проекта о научно-техническом сотрудничестве N M/18-2004 между Сумским государственным университетом и Институтом ядерной физики Польской академии наук (Краков). PACS: 73.50.Bk, 73.61.-r
Дехтярук Л.В., Пазуха И.М., Проценко С.И., Чешко И.В. Проводимость двухслойных моно- и поликристаллических слоев металла вусловиях взаимной диффузии // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 10, Стр. 1729

Электронная структура водорода в 1/1 аппроксиманте икосаэдрического квазикристалла Ti--Zr--Ni исследована методами ab initio, основанными на теории функционала плотности. Определены зарядовое состояние атома водорода в Ti36Zr32Ni13 для разных типов тетрапор, а также зарядовое состояние водорода при соотношении H/M~1.7. Установлено, что атом водорода находится в практически нейтральном состоянии. Определен коэффициент диффузии водорода в Ti36Zr32Ni13. Авторы благодарят Российский фонд фундаментальных исследований (грант N 03-02-16970), Королевскую шведскую академию наук и Нидерландскую организацию научных исследований (грант N 047.016.005) за финансовую поддержку PACS: 61.44.Br, 66.30.Jt
Морозов А.Ю., Исаев Э.И., Векилов Ю.Х. Зарядовое состояние и диффузия водорода в икосаэдрическом сплавеTiZrNi // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 9, Стр. 1537

Отмечено, что совокупность фактов, касающихся сверхпроводимости и сверхтекучести, свидетельствует о том, что стационарное токовое состояние этих систем является состоянием термодинамического равновесия. Дается описание токового состояния в терминах равновесной термодинамики, когда ток (поток частиц) в таких системах рассматривается как один из термодинамических параметров (подобно P, V, mu и т. п.). Принятый подход позволяет уже из самого факта наличия в системе незатухающих токовых состояний сделать заключение о реализации в ней упорядочения типа ODLRO, которое по своей природе является существенно квантовым явлением. Констатируется, что такой попытки до сих пор не было сделано, по крайней мере автору о таких попытках неизвестно. Предлагается реализация основ такого подхода. PACS: 74.20.-z, 74.25.Jb
Кудинов Е.К. Термодинамика тока всверхпроводящих исверхтекучих системах // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 8, Стр. 1366

Теоретически обоснованы наблюдаемое в эксперименте возникновение полости в пентагональных кристаллах, выросших до определенных размеров в процессе электрокристаллизации меди, и ее эволюция. Выявлен канал релаксации упругих напряжений, связанных с дефектом дисклинационного типа, а также описано последующее преобразование пентагонального кристалла с полостью в монокристалл. Растущий пентагональный кристалл рассматривается как открытая термодинамическая система, в которой процесс образования полости хорошо описывается в рамках линейного приближения термодинамики неравновесных процессов. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (региональный проект N 05-02-96508). PACS: 61.46.Fg, 81.10.Aj, 81.15.Pq
Ясников И.С., Викарчук А.А. Эволюция образования и роста полости впентагональных кристаллах электролитического происхождения // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 8, Стр. 1352

Приведены результаты экспериментального исследования влияния магнитного поля (0-60 kOe) на вид зависимостей R(T) композитов Y3/4Lu1/4Ba2Cu3O7 + CuO. Данные композиты представляют собой сеть джозефсоновских переходов туннельного типа, в которых несверхпроводящий компонент (CuO) формирует границы (барьеры) между ВТСП-кристаллитами. Зависимости R(T) композитов имеют двухступенчатую структуру, характерную для гранулярных сверхпроводников: резкий скачок сопротивления при критической температуре ВТСП-кристаллитов и плавный переход в сверхпроводящее состояние, вызванный влиянием границ между ВТСП-кристаллитами. Полученные зависимости R(T) проанализированы в рамках модели Амбегаокара--Гальперина (АГ) для тепловых флуктуаций в джозефсоновских переходах и модели термоактивационного течения потока (крипа потока). Наблюдается кроссовер указанных механизмов с ростом магнитного поля. В диапазоне слабых магнитных полей 0-102 Oe зависимости R(T) хорошо описываются выражением, следующим из модели АГ. В диапазоне сильных полей 103-6·104 Oe диссипация следует закону Аррениуса R~exp(-U(H)/T ), характерному для модели крипа потока с температурно-независимой энергией пиннинга U(H). Определены величины эффективной энергии джозефсоновской связи и пиннинга, соответствующие режимам АГ и течения потока. PACS: 74.81.Fa, 74.50.+r
Балаев Д.А., Попков С.И., Шайхутдинов К.А., Петров М.И. Механизмы диссипации вджосефсоновской среде наоснове ВТСП поддействием магнитного поля // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 5, Стр. 780

Методом ИК-отражения в средней и дальней ИК-областях исследованы оптические свойства близких по составу квазикристаллических и для сравнения кристаллических пленок системы Al--Cu--Fe. Исследовались пленки толщиной 0.1-0.3 mum на сапфировых подложках. По экспериментальным данным рассчитана комплексная диэлектрическая проницаемость пленок. Обнаружено, что если для кристаллических пленок действительная часть диэлектрической проницаемости отрицательна, то для квазикристаллических пленок она положительна и слабо зависит от частоты, за исключением области вблизи 245 cm-1. Оптическая проводимость квазикристаллических пленок характеризуется отсутствием пика Друде, имеющегося в кристаллических пленках, и наличием пика при 245 cm-1, связанного, по-видимому, с возбуждением оптических фононов и отсутствующего в кристаллических пленках. Работа выполнена в рамках государственного контракта N 02.434.11.2011. PACS: 78.20.Ci, 78.66.Bz
Яковлев В.А., Новикова Н.Н., Матеи Дж., Теплов А.А., Шайтура Д.С., Назин В.Г., Ласкова Г.В., Ольшанский Е.Д., Долгий Д.И. Спектры отражения иоптические постоянные тонких квазикристаллических пленок Al--Cu--Fe винфракрасной области // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 5, Стр. 775

Методом точечной андреевской спектроскопии исследована спиновая поляризация носителей заряда в La0.65Ca0.35MnO3 (LCMO). В качестве сверхпроводящих электродов использованы материалы Pb и MgB2. Во всех случаях восстановленная по проводимости точечных контактов LCMO/сверхпроводник спиновая поляризация транспорта не превышала 80--85%. Рассмотрены различные модели протекания тока в контактах сверхпроводник/ферромагнетик и возможные причины неполной спиновой поляризации тока в манганитах. Наблюдаемая в контактах Шарвина (площадь контакта ~ 104 Angstrem2) степень спиновой поляризации носителей заряда наиболее естественно объясняется в модели расслоения кристалла на магнитные фазы наноразмерного масштаба, из которых только одна соответствует состоянию ферромагнитного металла с полной поляризацией носителей заряда по спину. PACS: 74.45.+c, 74.50.+r, 74.81.-g
Дьяченко А.И., Дьяченко В.А., Таренков В.Ю., Криворучко В.Н. Спиновая поляризация иандреевское отражение носителей заряда вточечных контактах (LaCa)MnO/сверхпроводник // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 3, Стр. 407