На основе временных уравнений Гинзбурга--Ландау рассмотрен вопрос о формировании вихревого состояния в сверхпроводниках с...

На основе временных уравнений Гинзбурга--Ландау рассмотрен вопрос о формировании вихревого состояния в сверхпроводниках с анизотропным спариванием.
Радиевский А.В., Зельцер А.С., Филиппов А.Э. Кинетика формирования вихрей в сверхпроводниках } с анизотропным спариванием // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 1, Стр. 35

Радиочастотным методом (в диапазоне частот f=100-150 MHz) исследованы магнитные свойства керамики YBa2Cu3O7-x различной плотности и...

Радиочастотным методом (в диапазоне частот f=100-150 MHz) исследованы магнитные свойства керамики YBa2Cu3O7-x различной плотности и квазикристаллов Bi2Sr2CaCu2O8, облученных нейтронами флюенсом 1016-1019 cm-2. По величине электромагнитного поглощения проведены оценки параметров джозефсоновской среды: нижнего критического поля, плотности критического тока, размеров гранул и межгранульных расстояний, глубины проникновения магнитного поля в образец. Исследовано явление гистерезиса электромагнитного поглощения указанных сверхпроводников, позволившее получить данные о процессах пиннинга и динамике крипа магнитного потока. Показано, что в результате введения радиационных центров пиннинга наблюдается рост плотности критического тока.
Коноплева Р.Ф., Чащин В.С. Исследование методом высокочастотного поглощения параметров ВТСП-материалов, облученных быстрыми нейтронами реактора // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 1, Стр. 28

Локальные моды углерода, азота, кислорода и водорода измерены во многих твердых растворах переходных металлов методом неупругого...

Локальные моды углерода, азота, кислорода и водорода измерены во многих твердых растворах переходных металлов методом неупругого рассеяния нейтронов.Силовые константы металл--примесь вычислены по экспериментальным данным и построены как функции от расстояния металл---примесь. Обсуждаются корреляция этих функций с данными, полученными в теории погруженного атома, а также влияние атомов внедрения на химическую связь металл--металл.
Сумин В.В. Изучение локальных мод межузельных атомов в переходных металлах методом нейтронной спектроскопии // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 1, Стр. 23

В отличие от широко известного метода жестких потенциалов, рассмотрена дифракция электронов на деформационном (мягком) потенциале,...

В отличие от широко известного метода жестких потенциалов, рассмотрена дифракция электронов на деформационном (мягком) потенциале, учитывающем свойство упругой деформируемости непрерывного распределения зарядовой плотности в кристалле. Это свойство в случае теплового "уширения" кристаллических плоскостей в металле приводит к разрывам на границах зон Бриллюэна в спектре электрон-фононного рассеяния и к эффекту частичного подавления такого рассеяния в старших зонах (или усиления --- в первой зоне).
Подсвиров О.А. Особенности фононного рассеяния при дифракции электронов } на колеблющейся решетке кристалла // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 1, Стр. 18

Теоретически рассмотрены особенности эффекта де Гааза--ван Альфена в полуметаллах с дальним антиферромагнитным порядком. Показано,...

Теоретически рассмотрены особенности эффекта де Гааза--ван Альфена в полуметаллах с дальним антиферромагнитным порядком. Показано, что при переходе подсистемы локализованных спинов из скошенной антиферромагнитной фазы в ферромагнитную происходит резкая смена "частоты" осцилляций намагниченности зонных носителей M~. В области полей, меньших критического, M~ не является периодической функцией по 1/H. Существенно, что дополнительный вклад в фазу осциллирующих сомножителей пропорционален H2 и целиком определяется квантовыми флуктуациями в антиферромагнитной подсистеме.
Вальков В.В., Дзебисашвили Д.М. Влияние антиферромагнитного упорядочения на эффект }де Гааза--ван Альфена в полуметалле // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 2, Стр. 204

Исследован процесс зарождения новой фазы в системе YBa2Cu3O7-x, получаемой методом ионно-плазменного осаждения. Впервые...

Исследован процесс зарождения новой фазы в системе YBa2Cu3O7-x, получаемой методом ионно-плазменного осаждения. Впервые экспериментально наблюдалось явление временной самоорганизации в процессе образования новой фазы, ранее предсказанное теоретически. Автоколебания числа зародышей различных химических соединений размером 20--60 nm были обнаружены во временном интервале от 15 до 300 s. Полное число зародышей при этом менялось апериодически от 1013 до менее чем 1011 m-2.
Гольман Е.К., Гольдрин В.И., Плоткин Д.А., Разумов С.В., Кукушкин С.А., Осипов А.В. Самоорганизация при зарождении пленок в системе высокотемпературного сверхпроводника Y--Ba--Cu--O // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 2, Стр. 216

Для получения кристаллов Bi2Sr2CaCu2O8 (2212) применено сочетание раствор-расплавного метода и твердофазного синтеза сложных окислов....

Для получения кристаллов Bi2Sr2CaCu2O8 (2212) применено сочетание раствор-расплавного метода и твердофазного синтеза сложных окислов. Замена части висмута свинцом приводит к изменению ориентации ростовых слоев на плоскости (001) кристалла 2212 с ромбической решеткой. Отмечено увеличение размеров и повышение совершенства кристаллов при введении Pb в состав прекурсоров.
Осипов В.Н., Зимкин И.Н., Гурин В.Н., Носов Ю.Г. Влияние примеси Pb в системе Bi--Sr--Ca--Cu--O на формирование кристаллов 2212, выращенных из раствора в расплаве KCl с использованием предварительно синтезированных соединений (прекурсоров) // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 2, Стр. 219

Исследованы особенности формирования эпитаксиальных гетероструктур, включающих тонкие пленки YBa2Cu3O7-delta и SrTiO3, на R-плоскости...

Исследованы особенности формирования эпитаксиальных гетероструктур, включающих тонкие пленки YBa2Cu3O7-delta и SrTiO3, на R-плоскости сапфира. Тонкий слой CeO2 и эпитаксиальная комбинация CeO2/SrBi2Nb2O9 были использованы в качестве буферных прослоек. Существенные различия наблюдались в температурных зависимостях varepsilon для пленки SrTiO3 в случае конденсаторных структур YBa2Cu3O7-delta/SrTiO3/YBa2Cu3O7-delta и Ag/SrTiO3/YBa2Cu3O7-delta. Двухкратное уменьшение varepsilon в пленке SrTiO3 наблюдалось при приложении внешнего напряжения смещения Ub=±2.5 V в случае плоскопараллельной конденсаторной структуры YBa2Cu3O7-delta/SrTiO3/YBa2Cu3O7-delta (T
Бойков Ю.А., Иванов З.Г., Клаесон Т. Эпитаксиальные гетероструктуры сверхпроводник--сегнетоэлектрик для настраиваемых СВЧ-элементов // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 2, Стр. 222

Предложена методика измерения эффективности экранирования переменного магнитного поля сверхпроводящими пленками с применением...

Предложена методика измерения эффективности экранирования переменного магнитного поля сверхпроводящими пленками с применением полосковой линии в качестве источника переменного магнитного поля в широкой области частот. Исследована зависимость эффективности экранирования переменного магнитного поля пленками YBCO и монокристаллами BiSrCaCuO от температуры и частоты изменения магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскости образца, в интервале частот от 104 до 109 Hz. Показано, что зависимость эффективности экранирования от температуры и частоты изменения магнитного поля существенно зависит от метода изготовления пленок.
Бурбаев Т.М., Калюжная Г.А., Курбатов В.А., Ноздрин В.С., Пенин Н.А. Экранирование переменного магнитного поля пленками и монокристаллами высокотемпературных сверхпроводников // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 2, Стр. 228

Проанализировано влияние взаимодействия вихрей Абрикосова с намагниченностью на продольную вихревую неустойчивость в слоистой...

Проанализировано влияние взаимодействия вихрей Абрикосова с намагниченностью на продольную вихревую неустойчивость в слоистой структуре ферродиэлектрик--сверхпроводник второго рода. Показано, что в окрестности ориентационного фазового перехода в магнетике, где поперечная магнитная восприимчивость велика, величина продольного критического тока в структуре может быть почти в 1.5 раза меньше, чем в изолированном сверхпроводнике. Причиной этого является компенсация источников поля рассеяния вне сверхпроводника "магнитными зарядами", возникающими из-за скачка поперечной намагниченности на поверхности магнетика. Рассматривается структура со сверхпроводником, толщина которого значительно превышает лондоновскую глубину проникновения магнитного поля и длину волны критической моды, поэтому (ввиду отсутствия качественных массивных высокотемпературных сверхпроводников) для экспериментального исследования описанного явления следует использовать традиционные низкотемпературные сверхпроводники.
Беспятых Ю.И., Василевский В., Харитонов В.Д. Продольный критический ток в структуре феррит--сверхпроводник второго рода // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 2, Стр. 231