В.В. Горгуленко, Д. Ю. Гаськов, В.В. Кириллов
- Материалы III Всероссийской конференции по водной токсикологии, посвящённой памяти Б.А. Флёрова , 2008
В данной работе отражены некоторые важные аспекты биотестирования с использованием в качестве тест-объектов науплиев Artemia sp.
В данной работе отражены некоторые важные аспекты биотестирования с использованием в качестве тест-объектов науплиев Artemia sp. ISBN 978-5-98406-010-3
УДК 574.47(063) + 504.4.064(063) + 504.06.08.(063)
Материалы III Всероссийской конференции по водной токсикологии, посвященной памяти Б.А. Флерова, «Антропогенное влияние на водные организмы и экосистемы», конференции по гидроэкологии «Критерии оценки качества вод и методы нормирования антропогенных нагрузок» и школы-семинара «Современные методы исследования и оценки качества вод, состояния водных организмов и экосистем в условиях антропогенной нагрузки». Часть 2. (Борок, 11-16 ноября 2008 г.). – Борок, 2008. – 363 с.
Using a two-dimensional geometrical model and fractional dimension approach, it is found analytically that the ratio of the binding energy of a biexciton to that of an exciton is 0.228 in quantum wells and it is independent of the quantum well...
Using a two-dimensional geometrical model and fractional dimension approach, it is found analytically that the ratio of the binding energy of a biexciton to that of an exciton is 0.228 in quantum wells and it is independent of the quantum well width. This agrees very well with the results in GaAs and ZnSe quantum wells, and CuCl crystals and large quantum dots. It is suggested that while Haynes rule may be valid for bulk, much higher ratios may be expected in lower dimensions.
Singh Jai On the Validity of Haynes Rule for the Binding of Excitonic Complexes in Low Dimensions // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 794
Исследовались спектры экситонной люминесценции в двойных квантовых ямах GaAs в электрическом и магнитном полях. Обнаружено, что линия...
Исследовались спектры экситонной люминесценции в двойных квантовых ямах GaAs в электрическом и магнитном полях. Обнаружено, что линия непрямого экситона (IX) ведет себя аномальным образом: наблюдается индуцированный магнитным полем сдвиг IX в сторону низких энергий и возникновение периодических во времени (~5s) флуктуаций интенсивности линии IX.
Криволапчук В.В., Мазуренко Д.А., Москаленко Е.С., Полетаев Н.К., Жмодиков А.Л., Ченг Т.С., Фоксон С.Т. Аномальное воздействие магнитного поля на непрямой экситон в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 803
Пермогоров С.А., Резницкий А.Н., Тенишев Л.Н., Корниевский А.В., Вербин С.Ю., Иванов С.В., Сорокин С.В., von der Osten W., Stolz H., Jutte M.
- Журнал "Физика Твердого Тела" , 1998
По спектрам люминесценции при T=2 K изучена динамика экситонов в структурах с квантовыми ямами ZnCdSe/ZnSe. На основании исследования...
По спектрам люминесценции при T=2 K изучена динамика экситонов в структурах с квантовыми ямами ZnCdSe/ZnSe. На основании исследования разрушения оптического выстраивания экситонов внешним магнитным полем и прямых измерений кинетики затухания поляризованного излучения в пикосекундном диапазоне времен определены времена энергетической и фазовой релаксации состояний локализованных экситонов. Времена жизни экситонной поляризации, измеренные двумя независимыми методами, хорошо согласуются между собой.
Пермогоров С.А., Резницкий А.Н., Тенишев Л.Н., Корниевский А.В., Вербин С.Ю., Иванов С.В., Сорокин С.В., von der Osten W., Stolz H., Jutte M. Динамика экситонов в структурах с квантовыми ямами ZnCdSe / ZnSe // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 809
Платонов А.В., Яковлев Д.Р., Кочерешко В.П., Zehnder U., Ossau W., Faschinger W., Landwehr G.
- Журнал "Физика Твердого Тела" , 1998
Представлены результаты оптического исследования гетероструктур на основе новых соединений ZnSe/ZnMgSSe. Показана возможность...
Представлены результаты оптического исследования гетероструктур на основе новых соединений ZnSe/ZnMgSSe. Показана возможность использования этих соединений для создания высококачественных квантоворазмерных структур, обладающих яркими экситонными особенностями в оптических спектрах. На основе анализа спектров отражения измерены экситонные параметры: резонансная частота, сила осциллятора и затухание экситонной линии. Из анализа магнитооптических спектров определены энергии связи экситонов. Исследованные образцы обладают высоким структурным совершенством и малой неоднородной шириной экситонных резонансов.
Платонов А.В., Яковлев Д.Р., Кочерешко В.П., Zehnder U., Ossau W., Faschinger W., Landwehr G. Оптические исследования квантоворазмерных полупроводниковых гетероструктур на основе соединений ZnSe/ZnMgSSe // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 811
Щербаков А.В., Акимов А.В., Кочерешко В.П., Yakovlev D.R., Ossau W., Landwehr G., Wojtowicz T., Karczewski G., Kossut J.
- Журнал "Физика Твердого Тела" , 1998
Люминесцентный метод используется впервые для детектирования неравновесных фононов в квантовых ямах CdTe с барьерами Cd0.6Mn0.4Te. Метод...
Люминесцентный метод используется впервые для детектирования неравновесных фононов в квантовых ямах CdTe с барьерами Cd0.6Mn0.4Te. Метод основан на гигантском зеемановском расщеплении экситонных состояний в квантовых ямах CdTe / (Cd,Mn)Te и является перспективным для использования в качестве чувствительного субтерагерцевого фононного спектрометра. Метод может быть также использован для выявления механизмов спин-фононного взаимодействия в разбавленных магнитных полупроводниках.
Щербаков А.В., Акимов А.В., Кочерешко В.П., Yakovlev D.R., Ossau W., Landwehr G., Wojtowicz T., Karczewski G., Kossut J. Воздействие неравновесных фононов на экситонную люминесценцию в квантовых ямах CdTe / CdMnTe // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 816
Кособукин В.А.
- Журнал "Физика Твердого Тела" , 1998
Построена теория экситонного поглощения света в периодических структурах с произвольным числом квантовых ям. Показано, что...
Построена теория экситонного поглощения света в периодических структурах с произвольным числом квантовых ям. Показано, что температурная зависимость интегральных по частоте характеристик поглощения обусловлена конкуренцией процессов диссипативного распада квазидвумерных экситонов и свето-экситонного взаимодействия.
Кособукин В.А. К теории поглощения света экситонами в структурах с квантовыми ямами // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 824
Сапега В.Ф., Руф Т., Кардона М., Гран Х.Т., Плоог К.
- Журнал "Физика Твердого Тела" , 1998
Методом резонансного рамановского рассеяния света на акустических фононах изучено влияние электрического поля на состояния...
Методом резонансного рамановского рассеяния света на акустических фононах изучено влияние электрического поля на состояния экситонов в сверхрешетке GaAs/AlAs. При совпадении энергии возбуждающего фотона с энергией экситона, связанного с состояниями Ванье--Штарка тяжелой дырки и электрона с Delta n=0,±1 обнаружено резонансное усиление рамановского рассеяния света на акустических фононах. Осцилляции интенсивности рамановского спектра в электрическом поле объясняются резонансной делокализацией основного состояния экситона при взаимодействии с состояниями Ванье--Штарка соседних квантовых ям или с состояниями Ванье--Штарка вышележащей электронной минизоны.
Сапега В.Ф., Руф Т., Кардона М., Гран Х.Т., Плоог К. Исследование резонансного туннелирования экситонов в сверхрешетках GaAs/AlAs в электрическом поле методом рамановской спектроскопии // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 827
Исследованы спектры низкотемпературной фотолюминесценции (ФЛ) и возбуждения ФЛ (ВФЛ) полупроводниковых сверхрешеток (СР) GaAs/AlGaAs, отличающихся шириной потенциальных барьеров (b=20, 30, 50 и 200 Angstrem), т. е. степенью туннельной связи между квантовыми ямами (КЯ), в магнитном поле напряженностью до 5 T, ориентированном параллельно и перпендикулярно слоям структуры. Наблюдаемые в параллельном магнитном поле изменения качественного характера в спектрах ВФЛ при увеличении туннельной прозрачности барьеров отражают переход от квазидвумерного к квазитрехмерному электронному спектру при формировании минизон в СР. В спектрах ВФЛ СР с b=50 Angstrem при увеличении напряженности параллельного магнитного поля обнаружено возникновение новой линии, отсутствующей в перпендикулярном поле, на фиолетовом крыле линии возбуждения пространственно-непрямых экситонов. Возгорание аналогичной линии также наблюдалось в спектрах ФЛ. Показано, что линия люминесценции непрямых экситонов может подавляться магнитным полем как параллельной, так и перпендикулярной ориентации.
Сибельдин Н.Н., Скориков М.Л., Цветков В.А. Экситонные спектры полупроводниковых сверхрешеток в параллельном магнитном поле // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 830
Тимофеев В.Б., Тартаковский А.И., Филин А.И., Birkedal D., Hvam J.
- Журнал "Физика Твердого Тела" , 1998
По спектрам люминесценции и возбуждения люминесценции исследованы энергетический спектр и энергии связи прямых и пространственно...
По спектрам люминесценции и возбуждения люминесценции исследованы энергетический спектр и энергии связи прямых и пространственно непрямых экситонов в GaAs/AlGaAs-сверхрешетках с различными ширинами электронной и дырочной минизон, помещенных в сильное, поперечное гетерослоям магнитное поле. Установлено, что основное состояние непрямых экситонов, образованных электронами и дырками, пространственно разделенными между соседними квантовыми ямами, расположено между основным 1s-состоянием прямых экситонов и порогом континуума диссоциированных экситонных состояний в минизонах. Непрямые экситоны имеют значительную силу осциллятора, когда энергия связи экситона превышает масштаб ширины результирующей минизоны. Показано, что сильное магнитное поле трансформирует систему симметрично связанных квантовых ям в сторону слабой связи. При высоких концентрациях экситонов обнаружен эффект конверсии пространственно непрямых экситонов в прямые вследствие экситон-экситонных соударений.
Тимофеев В.Б., Тартаковский А.И., Филин А.И., Birkedal D., Hvam J. Прямые и пространственно непрямые экситоны в GaAs/AlGaAs-сверхрешетках в сильном магнитном поле // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 833
