We have calculated light absorption spectra of planar metal surfaces with two-dimensional lattice of spherical nanovoids right beneath the surface. It is shown that nearly total absorption of light occurs at the plasma resonance in void lattice in the visible when the inter-void spacing and the void deepening into the metal are thinner than the skin depth, which ensures optimal coupling of void plasmons to external light. We conclude that the absorption and local-field properties of this type of nanoporous metal surfaces can be effectively tuned by nano-engineering the spherical pores and they constitute a very attractive system for various applications in future submicron light technology. This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research (grant N 02-02-81031) and the Russian Academy of Sciences Program \glqq Low-Dimensional Quantum Nanostructures\grqq. T. V. T. acknowledges the support from the President of Russia through the grant for young scientists MK-2314.2003.02 and from the National Foundation for Promotion of Science. F. J. G. A. acknowledges help and support from the University of the Basque Country UPV/EHU (contract N 00206.215-13639/2001) and the Spanish Ministerio de Ciencia y Tecnolog'a (contract N MAT2001-0946).
Teperik T.V., Popov V.V., Garc'a de Abajo F.J. Total resonant absorption of light by plasmons on the nanoporous surface of a metal // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1, Стр. 172

Проведено исследование температурной зависимости люминесценции сверхрешеток квантовых точек CdTe / ZnTe (многослойных структур с квантовыми точками) с различной толщиной барьерного слоя ZnTe. Показано, что тушение люминесценции с ростом температуры существенно зависит от толщины барьерного слоя ZnTe. Особое внимание уделяется обсуждению температурной зависимости люминесценции структуры с наименьшей толщиной слоя ZnTe, в которой существуют кластеры упорядоченно расположенных квантовых точек. Линия люминесценции туннельно-связанных квантовых точек, появляющаяся в этой структуре, показывает необычное температурное поведение --- аномально большой сдвиг положения максимума линии и быстрое тушение люминесценции с ростом температуры. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 03-02-16854, 02-02-17392), гранта поддержки ведущих научных школ (НШ-1923.2003.2) и комиссии РАН по работе с молодежью.
Багаев В.С., Онищенко Е.Е. Особенности температурной зависимости фотолюминесценции сверхрешеток квантовых точек CdTe / ZnTe // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1, Стр. 168

Исследована люминесценция пленок безметального фталоцианина и некоторых других фталоцианиновых комплексов при комнатной температуре в ближнем ИК-диапазоне. Показана зависимость интенсивности пиков эмиссии от полиморфной модификации и структуры комплекса, но не обнаружено существенных изменений в положении пиков. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-17407) и программы Президиума РАН.
Пахомов Г.Л., Гапонова Д.М., Лукьянов А.Ю., Леонов Е.С. Люминесценция втонких пленках фталоцианина // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1, Стр. 164

Проведены исследования кинетики фотопроводимости в эпитаксиальных пленках PbTe(Ga), синтезированных методом \glqq горячей стенки\grqq. Обнаружено, что при низких температурах рекомбинация неравновесных фотовозбужденных электронов происходит в два этапа: после участка относительно быстрой релаксации следует задержанная фотопроводимость. Температура появления задержанной фотопроводимости возрастает при уменьшении толщины пленки. Скорость быстрого участка релаксации зависит от толщины пленки и минимальна в наиболее тонких слоях. В полуизолирующих пленках фотопроводимость всегда положительна, в то время как в образцах с более низким сопротивлением наблюдается сосуществование положительной и отрицательной фотопроводимости. Полученные данные обсуждаются в рамках модели, учитывающей возможность существования примесного атома галлия в различных зарядовых состояниях. Работа выполнена при частичной поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований N 04-02-16497, 02-02-17057 и INTAS N 2001-0184.
Акимов Б.А., Богоявленский В.А., Васильков В.А., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Рекомбинация напримесных центрах спеременной валентностью вэпитаксиальных слоях PbTe(Ga) // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1, Стр. 160

Обсуждаются способы увеличения эффективности генерации второй и третьей оптических гармоник в наноструктурах кремния и фосфида галлия, сформированных с помощью электрохимического травления кристаллических полупроводников. Среди путей увеличения эффективности нелинейно-оптических взаимодействий выделяются фазовое согласование в анизотропно наноструктурированных полупроводниках, обладающих двулучепреломлением формы, увеличение локального поля, в том числе при рассеянии в макропористых полупроводниках. Сообщается о росте более чем на порядок эффективностей генерации третьей гармоники в пористом кремнии и генерации второй гармоники в пористом фосфиде галлия. Работа поддержана грантами Президента РФ (МД-42.2003.02), Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 02-02-17259, 03-02-16929 и 02-02-17098), CRDF (проекты N RE2-2369 и RP2-2558), NSF (проект N 9984225), NIH (проект N R21RR16282) и программами Министерства промышленности, науки и технологий РФ и выполнена в Центре коллективного пользования МГУ им. М.В. Ломоносова.
Кашкаров П.К., Головань Л.А., Заботнов С.В., Мельников В.А., Круткова Е.Ю., Коноров С.О., Федотов А.Б., Бестемьянов К.П., Гордиенко В.М., Тимошенко В.Ю., Желтиков А.М., Петров Г.И., Яковлев В.В. Увеличение эффективности нелинейно-оптических взаимодействий внаноструктурированных полупроводниках // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1, Стр. 153

Разработана методика изготовления одномерных анизотропных фотонных кристаллов и микрорезонаторов на основе анизотропного пористого кремния с оптическим двулучепреломлением. Спектры коэффициентов отражения света демонстрируют наличие фотонной запрещенной зоны и разрешенной микрорезонаторной моды в центре фотонной зоны, спектральное положение которых изменяется при повороте образца вокруг своей нормали и / или вращении плоскости поляризации падающего излучения. Исследована зависимость величины сдвига спектрального положения краев фотонной запрещенной зоны и микрорезонаторной моды от ориентации вектора поляризации падающего электромагнитного излучения относительно оптической оси фотонных кристаллов и микрорезонаторов. Работа выполнена при поддержке гранта ведущих научных школ (1604.2003.2) и программы \glqq Университеты России\grqq.
Акципетров О.А., Долгова Т.В., Соболева И.В., Федянин А.А. Анизотропные фотонные кристаллы имикрорезонаторы наоснове мезопористого кремния // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1, Стр. 150

Рассматриваются магнитные системы пониженной размерности, которые в последнее время являются объектом интенсивных исследований благодаря обнаружению в них новых эффектов, отсутствующих в объемных магнитных материалах. Обнаружен нелинейно-оптический аналог магнитооптического эффекта Керра при генерации третьей оптической гармоники в тонких магнитных металлических пленках и наногранулярных структурах. Показано, что величина магнитного нелинейно оптического эффекта Керра в третьей гармонике превосходит магнитооптический аналог более чем на порядок. Работа выполнена при поддержке грантов INTAS N 03-51-3784 и Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-02-17059).
Мурзина Т.В., Ким Е.М., Капра Р.В., Акципетров О.А., Иванченко М.В., Лифшиц В.Г., Кузнецова С.В., Кравец А.Ф. Генерация магнитоиндуцированной третьей гармоники внаноструктурах и тонких пленках // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1, Стр. 147

Приводятся первые результаты, полученные при создании одномерных сегнетоэлектрических фотонных кристаллов на основе наноструктурированного цирконата-титаната свинца и пористого кремния. Образцы характеризовались методами спектроскопии линейного коэффициента отражения и спектроскопии второй оптической гармоники. Работа выполнена при поддержке грантов INTAS N 03-51-3784, Российского фонда фундаментальных исследований N 04-02-16847 и 03-02-39011.
Сычев Ф.Ю., Мурзина Т.В., Ким Е.М., Акципетров О.А. Сегнетоэлектрические фотонные кристаллы наоснове наноструктурированного цирконата-титаната свинца // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1, Стр. 144

Теоретически и экспериментально исследованы оптические свойства решеток металлических (золотых) нанонитей на диэлектрической подложке. В зависимости от структуры подложки в спектрах пропускания таких планарных металлодиэлектрических фотонных кристаллов наблюдаются два типа аномалий Вуда. Дифракционные аномалии, или аномалии Рэлея, связаны с открытием (при увеличении частоты падающего света) каналов дифракции в подложку или воздух. Если же в подложке имеется волновод, возможно образование второго типа аномалий Вуда (резонансных аномалий), связанных с возбуждением в подложке приповерхностных резонансных мод. Взаимодействие таких приповерхностных квазиволноводных мод с локализованными плазмонными возбуждениями приводит к образованию плазмонно-волноводных поляритонов. Эффект сопровождается сильной перестройкой оптического спектра и может быть использован для управления фотонными зонами фотонно-кристаллического слоя. Работа частично поддержана грантами Российского фонда фундаментальных исследований, Минпромнауки РФ и Президиума РАН.
Гиппиус Н.А., Тиходеев С.Г., Крист А., Куль Й., Гиссен Х. Плазмонно-волноводные поляритоны вметаллодиэлектрических фотонно-кристаллических слоях // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1, Стр. 139

Показана возможность простой технологии формирования соединения форстерита с примесными ионами Cr4+ в структурах на основе Si, представляющих интерес в связи с характерной люминесценцией в ближнем ИК-диапазоне. Форстерит формировался пропиткой слоев пористого кремния (ПК) на n+- и p+-Si подложках с последующим отжигом на воздухе. Отчетливый фотолюминесцентный отклик при 1.15 mum получен при комнатной температуре в слоях ПК с магнием и хромом, для которых оптимальная температура отжига близка к 700oC. Для ПК на p+-кремнии выявлена широкая линия фотолюминесценции около 1.2 mum, которая не зависит от температуры отжига и содержания магния и хрома. Эта линия, вероятно, обусловлена дислокациями кремния. Обсуждаются исследования ЭПР и электрофизических свойств структур. В слоях чистого ПК и ПК, легированного хромом, на n+-Si подложках наблюдались признаки дискретного туннелирования электронов.
Демидов Е.С., Карзанов В.В., Демидова Н.Е., Белорунова И.С., Горшков О.Н., Степихова М.В., Шаронов А.М. Свойства силиката магния с примесью хрома в пористом кремнии // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 1, Стр. 136