Исследованы фотолюминесцентные свойства легированных эрбием слоев диоксида кремния, содержащих кремниевые нанокристаллы со средними размерами от 1.5 до 4.5 нм. Установлено, что интенсивность и среднее время жизни фотолюминесценции ионов Er3+ зависят от размеров нанокристаллов, интенсивности оптической накачки и температуры. Полученные результаты объясняются как влиянием локального окружения ионов Er3+, так и проявлением процессов безызлучательного девозбуждения ионов вследствие обратной передачи энергии в твердотельную матрицу и оже-процесса. PACS: 78.55.Ap, 78.67.Bf, 61.72.Tt
Жигунов Д.М., Шалыгина О.А., Тетеруков С.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К., Zacharias M. Особенности фотолюминесценции ионов эрбия вструктурах скремниевыми нанокристаллами // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1224

В диапазоне температур 5--300 K исследована фотолюминесценция нанокластеров CdS, сформированных в матрице пленки Ленгмюра--Блоджетт. Спектр фотолюминесценции нанокристаллов при температуре5 K состоит из двух полос с максимумами при2.95 и2.30 эВ. Температурная зависимость положения максимума высокоэнергетической полосы фотолюминесценции отличается от температурной зависимости ширины запрещенной зоны объемного CdS. Интегральная интенсивность фотолюминесценции данной полосы спадает при температурах от5 до75 K, увеличивается в диапазоне 150--230 K и уменьшается при температурах выше230 K. Экспериментальные данные объяснены в рамках модели рекомбинации неравновесных носителей заряда в нанокластерах CdS с учетом транспорта носителей заряда в локально связанных нанокластерах различных размеров. Врамках модели получена оценка значения энергетической глубины ловушек для электронов, равного120 мэВ, а также значений энергии активации безызлучательной рекомбинации, составляющих около5 и100 мэВ. PACS: 73.20.Hb, 73.22.Df, 78.55.Et, 78.67. Bf, 78.55.Et, 81.05.Dz
Багаев Е.А., Журавлев К.С., Свешникова Л.Л. Температурная зависимость фотолюминесценции нанокластеровCdS, сформированных вматрице пленки Ленгмюра--Блоджетт // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1218

В диэлектрических пленках, изолирующих полупроводник от металлического электрода, присутствуют подвижные примеси в виде ионов и нейтральных образований. При достаточно высоких температурах и поляризующих электрических полях примеси концентрируются у границы раздела изолятор-полупроводник, где обмениваются электронами с полупроводником. Показано, что парное взаимодействие частиц через поле упругих напряжений, связанных с концентрационным расширением изолятора, может приводить к неустойчивости однородного вдоль контакта распределения примеси. Врастворе точечных дефектов возникает стационарное мелкомасштабное упорядочение частиц вдоль контакта изолятора с полупроводником, что сопровождается кольцевыми потоками частиц. PACS: 68.55.Ln, 73.20.Hb, 73.40.Qv
Гольдман Е.И. Концентрационно-упругие неустойчивости распределения ионов инейтральных частиц визолирующем слое на поверхности полупроводника // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1209

Представлено экспериментальное исследование сопротивления сплавного омического контакта In--GaN. Показано, что в интервале температур 180-320 K сопротивление контакта, приведенное к единице площади, возрастает с ростом температуры, что характерно для металлического типа проводимости и не соответствует механизмам протекания тока согласно термоэлектронной, полевой или термополевой эмиссии. Предполагается, что омический контакт In--GaN образуется за счет появления проводящих шунтов в результате осаждения атомов индия на дислокациях. Определенное из зависимости сопротивления контакта от температуры количество шунтов на1 см2 площади контактов (107-108) близко к измеренной плотности дислокаций в исходном материале (108 см-2). PACS: 73.40.Cg, 73.40.Ns
Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Константинов О.В., Никитин В.Г., Поссе Е.А. Механизм протекания тока всплавном омическом контакте In-GaN // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1204

Исследованы электрические характеристики барьеров Шоттки на электронном дифосфиде кадмия. Установлено, что область объемного заряда является слоем Шоттки и образуется большой концентрацией глубоких центров. Перенос заряда в прямом направлении в таких структурах связан с надбарьерной эмиссией электронов и описывается диффузионной теорией для одного или двух типов носителей заряда. Большая концентрация ионизованных центров в области объемного заряда приводит к туннельному механизму пробоя в обратном направлении. Частотные зависимости комплексной проводимости определяются обменом носителями заряда между зоной проводимости и донором, определяющим тип проводимости материала, а также перезарядкой центров с большей энергией залегания. Получено хорошее согласие рассматриваемых явлений с теорией. PACS:71.55.Gs, 72.30.+q, 72.80.Ey, 73.20.At, 72.30.+q, 73.30.+y
Стамов И.Г., Ткаченко Д.В. Влияние уровней собственных дефектов взапрещенной зоне CdP2 на электрические свойства структур сбарьером Шоттки наего основе // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1196

Для обнаружения резонансных состояний в GaNxAs1-x предложено исследовать спектры собственной фотолюминесценции при комнатной температуре или высоких уровнях возбуждения, позволяющих заселить создаваемыми светом носителями высокоэнергетические состояния в разрешенных зонах. Спомощью этих методов в объемных слоях GaNxAs1-x (x=< 0.015) обнаружены состояния с энергетическими уровнями в зоне проводимости. Эти уровни создают полосу с полушириной около0.07 эВ, максимум плотности в которой при температуре 290 и80 К находится соответственно на~1.4 и~1.48 эВ выше потолка валентной зоны. Положение этого максимума относительно валентной зоны практически не зависит от содержания азота во всем исследованном диапазоне 0.0005=< x=< 0.015. Предполагается, что эти состояния связаны с различными кластерами атомов азота. PACS: 78.55.Cr; 71.20.Nr
Гуткин А.А., Брунков П.Н., Гладышев А.Г., Крыжановская Н.В., Берт Н.Н., Конников С.Г., Hopkinson M., Patane A., Eaves L. Оптическое исследование резонансных состояний вGaNxAs1-x // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1192

Исследованы спектры катодолюминесценции поликристаллических CVD-конденсатов ZnSxSe1-x, выращенных с избытком цинка. По положению экситонных полос при 300 K уточнен ход зависимости Eg(x). Подтверждена перестройка спектров при растворении кислорода в решетке под воздействием высоких давлений и температур газостатирования. Выявлена зависимость самоактивированного свечения от состава сульфоселенидов. Для составов, близких к ZnSe, возникает самоактивированная SAL-полоса, а для составов со стороны ZnS наблюдается только коротковолновое смещение SA-полосы, что наиболее типично и для самих соединений. Дано объяснение этим особенностям на основе расчетов равновесия собственных точечных дефектов, влияющих на положение уровня Ферми при отклонении от стехиометрии ZnSe и ZnS. Оценены области спектров, в которых могут наблюдаться полосы кислородсодержащих комплексов SA и SAL в ZnSxSe1-x, зависящие от x и от концентрации кислорода в узлах решетки. Изучено поведение экситонных полос и возникающего инфракрасного излучения в ионах Cu (3d9) после газостатирования. Показано, что изменение ансамбля собственных точечных дефектов при газостатировании определяется увеличением количества дефектов с меньшим объемом, в частности, для сульфоселенидов--- SSe. Интерпретация спектров дается на основе теории непересекающихся зон, инициируемых изоэлектронной примесью. PACS: 78.60.Hk, 78.66.Hf, 81.05.Dz, 81.40.Tv
Морозова Н.К., Каретников И.А., Мидерос Д.А., Гаврищук Е.М., Иконников В.Б. Исследование влияния кислорода на спектры катодолюминесценции иширину запрещенной зоны ZnSxSe1-x // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1185

Исследовался кристаллическийSi, имплантированный ионами кобальта (флюенс Phi=1014-1016 см-2) с энергией380 кэВ. Методом резерфордовского обратного рассеяния определен порог аморфизацииSi (Phi= 3· 1014 см-2). При температуре T=78 K в имплантированномCo+ кремнии для Phi>=q3·1014 см-2 зарегистрирована квазирезонансная анизотропная линия электронного парамагнитного резонанса шириной порядка170 мТл. На фоне этой линии наблюдался резонансный сигнал парамагнитных центров аморфных областейSi (g=2.0057, delta B=0.74 мТл). Квазирезонансная линия электронного парамагнитного резонанса от атомовCo и собственных дефектовSi при T=300 K не наблюдалась. PACS: 61.72.Hh, 61.72.Tt, 76.30.Lh, 81.05.Cy, 81.40.Rs
Поклонский Н.А., Лапчук Н.М., Коробко А.О. Магнитное упорядочение в кристаллическомSi, имплантированном ионамиCo промежуточных флюенсов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1181

Генерация дислокаций в кристаллах CdTe вызывает появление в спектрах излучательной рекомбинации новых линий--- \glqq дислокационной\grqq фотолюминесценции. Получены спектральное распределение \glqq дислокационных\grqq полос и профили пространственного распределения их интенсивности вблизи места индентирования на гранях(111) и(001). Из сопоставления профилей с кристаллографической структурой дислокаций идентифицированы типы дефектов, ответственных за две группы полос излучения. Первая группа (основной максимум при841 нм) определяется электронными состояниями 60-градусных дислокаций с экстраполуплоскостями, обрамленными атомами теллура,--- Te(g)-дислокаций. Линии излучения другой группы (максимум при806 нм) связаны с упорядоченными структурами точечных дефектов, которые генерируются ступеньками на винтовых сегментах дислокационных полупетель с головными Cd(g)-дислокациями. PACS: 78.55.Et, 61.72.Lk, 61.72.Ji
Тарбаев Н.И., Шепельский Г.А. Две серии полос &#92;glqq дислокационной&#92;grqq фотолюминесценции вкристаллах теллурида кадмия // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1175

Исследована кинетика СВЧ фотопроводимости пленок CdSe, полученных методом пиролиза аэрозоля водных растворов тиомочевинных координационных соединений на кварцевых и ситалловых подложках в диапазоне температур Ts=300-600oC. Для характеризации пленок использован анализ рентгеновских дифрактограмм, спектров оптического поглощения и отражения. СВЧ фотопроводимость (возбуждение лазерными импульсами10 нс, 337 нм) исследовалась при 295 K резонаторным методом и диапазонах 9и36 ГГц. Кинетика процессов гибели фотоэлектронов, определяющих временные характеристики фотоотклика, зависела от температуры опытаT и интенсивности падающего осветаI. На пленках, полученных при Ts450oC кинетика гибели не соответствовала ни 1-му, ни 2-му порядку при низких величинахI, но приближалась к кинетике 2-го порядка при высоких значениях I>1014 фотон/см2 на один импульс. PACS: 73.50.Mx, 73.50.Pz, 78.30.Fs, 78.47+p
Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф. Получение и СВЧ фотопроводимость полупроводниковых пленокCdSe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1167