Было изучено влияние облучения электронами на стойкость резиста NOVER-1 к ионно-лучевому травлению. Для травления использовались ионы Ar с энергиями от 300 до 2500 eV. Было обнаружено, что в зависимости от энергии ионов и угла их падения на поверхность резиста электронное облучение может приводить как к ускорению, так и к замедлению травления NOVER-1. Наблюдается четкая корреляция между глубиной проникновения ионов в резист и характером влияния облучения электронами на стойкость резиста к травлению. При энергии ионов больше 500 eV (глубина проникновения ионов >~=3.5 nm) стойкость уменьшается, при небольших дозах электронного облучения проходит через минимум и возвращается к скорости травления исходного резиста при больших дозах электронного облучения. При скользящих углах травления (~70o к нормали поверхности) и малой энергии ионов (300 eV), т. е. при малой глубине проникновения ионов (=<sssim2.5 nm), облученный электронами резист травится медленнее исходного во всем диапазоне исследованных доз электронного облучения. Этот эффект может быть использован для структур в резисте с высотой больше ширины с целью увеличения их стойкости, которая в данном случае определяется преимущественно скоростью травления наклонных фасеток.
Коваль Ю.И., Петрашов В.Т. Влияние электронного облучения вакуумного резиста NOVER-1 на его стойкость к ионно-лучевому травлению // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 1, Стр. 140

Получено обобщенное нестационарное уравнение переноса частиц с конечной скоростью свободного движения, включающее "полеты Леви" и эффект "ловушек". Показано, что вследствие учета конечной скорости асимптотическое (по времени) распределение блуждающей в одном измерении частицы имеет фрактальный характер только в случае, когда степенные хвосты распределений пробега и времени пребывания частицы в ловушке имеют одинаковые показатели.
Учайкин В.В. Аномальный перенос частиц с конечной скоростью и асимптотическая фрактальность // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 1, Стр. 138

Экспериментально получена зависимость коэффициента распыления золота от энергии падающих ионов криптона в неупругой области потерь энергии. Показано, что эта зависимость не отличается от предсказаний каскадной теории. Работа выполнена на пучке циклотрона У-400 ОИЯИ.
Акапьев Г.И., Балабаев А.Н., Васильев Н.А., Латышев С.В., Назаров В.М., Пиуто А.Р., Рудской И.В., Чеблуков Ю.Н. Распыление золота ионами криптона в неупругой области потерь энергии // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 1, Стр. 134

Исследован перенос водорода через напыленный слой бериллия методами водородопроницаемости и концентрационных импульсов. Слой бериллия наносился катодным распылением в плазме тлеющего разряда особочистого водрода на предварительно очищенную никелевую мембрану. Анализ экспериментальных данных показал, что основным лимитирующим процессом для переноса водорода является не диффузия в объеме слоя, а десорбция из него. Предлагается математическая модель переноса, по которой определяется константа скорости десорбции водорода из бериллия.
Самсонов А.В., Кореньков А.Ю., Габис И.Е., Курдюмов А.А. Лимитирующая роль десорбции в транспорте водорода через напыленную пленку бериллия // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 1, Стр. 128

Исследован эффект возбуждения ритмических токовых осцилляций в диодной ячейке с нематическим жидким кристаллом (НЖК). Внешнее электрическое поле в межэлектродном пространстве направлено параллельно поверхностям, ориентирующим молекулы НЖК. Токовые осцилляции сопровождаются образованием у катода автосолитона, его распространением и исчезновением у анода. Предложена гипотетическая модель, объясняющая токовую неустойчивость.
Бартонь Я., Кальнин А.А. Диодный генератор низкочастотных колебаний на основе жидкого кристалла // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 1, Стр. 125

Рассматривается топологическая структура векторного электромагнитного поля в окрестности точки, где амплитуда поля обращается в нуль. Изучаются линейные топологические дефекты в виде дислокаций волнового фронта и дисклинаций. Показано, что поляризация поля в окрестности нуля амплитуды отлична от исходной. Исследуется структурная устойчивость нулей амплитуды.
Сопин М.О. Линейные топологические дефекты в векторных электромагнитных полях // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 1, Стр. 122

Работа посвящена исследованию эволюции атомной структуры гранецентрированных (ГЦК) и объемноцентрированных кристаллов (ОЦК) в условиях импульсных внешних нагрузок и больших пластических деформаций на основе компьютерных экспериментов. Деформацию кристаллов осуществляли поэтапно до 32%. После каждого этапа деформации (2%) систему релаксировали методом молекулярной динамики к новому равновесному состоянию при температуре 300 K. Результаты компьютерных экспериментов показали, что при мгновенных внешних нагрузках пластическая деформация в зависимости от ее стадии может протекать либо за счет движения частичных дислокаций, либо за счет двойникования, либо путем разворота и сдвига атомных плоскостей. Найдены закономерности изменения потенциальной энергии системы и угла разворота атомных плоскостей в зависимости от величины пластической деформации кристалла.
Лобастов А.И., Шудегов В.Е., Чудинов В.Г. Изучение атомной структуры ОЦК и ГЦК кристаллов при мгновенной пластической деформации // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 12, Стр. 100

Приведены первые результаты формирования двумерной периодической структуры локальных областей плавления на поверхности кремния при импульсном световом облучении. Установлены условия и обсуждается механизм образования таких структур.
Фаттахов Я.В., Галяутдинов М.Ф., Львова Т.Н., Хайбуллин И.Б. Формирование двумерной периодической структуры локальных областей плавления на поверхности кремния при импульсном световом облучении // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 12, Стр. 97

Исследован эффект резонансной раскачки и срыва сверхпроводников переменным магнитным полем при жесткой левитации. Сделан расчет срывающей амплитуды и частоты переменного поля.
Смоляк Б.М., Бабанов М.В., Ермаков Г.В. Влияние переменного магнитного поля на устойчивость магнитного подвеса высокотемпературных сверхпроводников // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 12, Стр. 95

Экспериментально и теоретически исследовано распространение нормальной фазы по высокотемпературной сверхпроводящей пленке с транспортным током. Показано, что учет влияния подложки на развитие тепловой неустойчивости в пленке позволяет удовлетворительно описать экспериментальные данные.
Бузников Н.А., Пухов А.А., Скоков В.Н. Особенности развития тепловой неустойчивости в тонкой высокотемпературной сверхпроводящей пленке с транспортным током // ЖТФ, 1997, том 67, выпуск 12, Стр. 92