Структуры с самоорганизованными квантовыми точками Ge/Si, выращенные при помощи молекулярно-лучевой эпитаксии, подвергались импульсному воздействию пикосекундным лазером. Изменения в колебательном спектре наноструктур, обусловленные внешним воздействием, изучены методом комбинационного рассеяния ...
Структуры с самоорганизованными квантовыми точками Ge/Si, выращенные при помощи молекулярно-лучевой эпитаксии, подвергались импульсному воздействию пикосекундным лазером. Изменения в колебательном спектре наноструктур, обусловленные внешним воздействием, изучены методом комбинационного рассеяния света. Анализ спектров комбинационного рассеяния света, измеренных вдоль обработанной области с микронным разрешением, указывает на перемешивание атомов Ge и Si и изменение встроенных механических напряжений в квантовых точках. PACS: 78.30.Am, 78.67.Hc
Милехин А.Г., Варавин В.В., Никифоров А.И., Пчеляков О.П., Маев Д.Е., Vogel N., Zahn D.R.T. Комбинационное рассеяние света лазерно-модифицированными структурами сквантовыми точкамиGe/Si // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 11, Стр. 2063