Рассмотрена гетероструктура, образованная включением кубической 3Cобласти между гексагональными \glqq обкладками\grqq. Предполагается, что величина спонтанной поляризации пропорциональна степени гексагональности \glqq обкладок\grqq. Вэтом предположении вычислены значения электростатических полей в кубической области и определено положение двумерных подзон. Оценена энергия квазипрямых и непрямых экситонных переходов с использованием моделей треугольной и прямоугольной ям. Оценки для системы4H/3C/4H показывают вполне удовлетворительное согласие с расчетами других авторов и экспериментальными данными. PACS: 71.35.-y, 77.22.Ej, 73.40.Lq
Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В. Оценки энергии экситонных переходов вгетероструктурах NH/3C/NH (N=2,4,6,8) наоснове политипов карбида кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 563

Методом DLTS исследованы распределения по глубине дефектов, возникающих в кремнии при имплантации ионов бора с энергией14 MэВ, и их трансформация при отжиге в интервале температур 200-800oC. Установлено, что в результате имплантации формируется стандартный набор радиационных дефектов вакансионного типа (комплексы кислород--вакансия, фосфор--вакансия, дивакансии) и центр с уровнем Ec-0.57 эВ. Термообработки при температуре 200-300oC приводят к удалению всех вакансионных комплексов на расстоянии от поверхности h>12-9 мкм. Это происходит, скорее всего, за счет распада межузельных комплексов, локализованных на глубине h>12-9 мкм, и аннигиляции их с вакансионными дефектами. Отжиги при более высоких температурах вызывают дальнейшее сужение слоя, в котором выживают вакансионные дефекты, до h~ 6 мкм при 500oC, и смену наблюдаемых электрически активных центров в интервале температур 400-500oC. Специфика отжига радиационных дефектов после высокоэнергетической ионной имплантации обусловлена пространственным разделением вакансионных и межузельных дефектов. PACS: 61.72.Tt, 61.72.Cc
Антонова И.В., Шаймеев С.С., Смагулова С.А. Трансформация при отжиге электрически активных дефектов вкремнии, имплантированном ионами высоких энергий // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 557

На основе 18-зонной kp-модели проведен анализ волновых функций состояний валентной зоны. Найдено, что обычно используемое приближение не зависящих от энергии эффективных масс для зон легких и тяжелых дырок оправдано только вблизи вершины валентной зоны. Рассмотрены условия сшивания огибающих функций дырок на гетерограницах GaAs/AlAs с ориентациями (111) и(110) как с учетом, так и без учета спин-орбитального взаимодействия для энергий в окрестности вершины валентной зоны. Они получены в результате упрощения описания электронных состояний методом псевдопотенциала. Полученные условия сшивания полностью согласуются с симметрией задачи. Вних присутствует смешивание огибающих функций с их нормальными производными и смешивание производных с функциями. Показано, что смешивание легких и тяжелых дырок на гетерогранице не имеет места для границы(111), но существует для границы(110). Найдено, что для гетерограницы(110) имеется заметно большее, чем для границы(001), резонансное смешивание состояний. PACS: 73.50.Dn, 73.40.Kp
Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н. Рассеяние дырок гетерограницами GaAs/AlAs (111) и(110) // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 549

The stationary and time-resolved polariton radiation in ultra-high quality AlGaAs layers have studied. It has been found that elastic exciton--exciton collisions lead to the appearance of a low-energy line of the polariton radiation. We show that the rate of the exciton-to-polariton transitions caused by elastic exciton--exciton collisions is determined not only by the density of the excitonic gas but also by its temperature which is in accordance to existing theoretical predictions. PACS: 71.35.+z, 71.36.+c, 71.38.+i
Shamirzaev T.S., Toropov A.I., Bakarov A.K., Zhuravlev K.S., Kobitski A.Yu., Wagner H.P., Zahn D.R.T. Exciton--polariton transition induced by elastic exciton--exciton collisions in ultra-high quality AlGaAs alloys // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 542

Обсуждаются недостаточно исследованные аспекты проблемы электронных фазовых переходов металл-диэлектрик в полупроводниках: влияние гибридизации резонансных квазилокализованных примесных состояний с состояниями зонного континуума на этот переход; влияние всестороннего давления на характер перехода; особенности превращения металл-диэлектрик в слабо легированных узкозонных и широкозонных полупроводниках в системе водородоподобных примесей в области промежуточного легирования; андерсоновская локализация в сильно легированных полупроводниках. Определены минимальные металлические проводимости в p-CdSnAs2<Cu> при переходах Мотта и Андерсона. Приведены фазовые диаграммы. PACS: 64.70.Kb, 71.30.+h
Даунов М.И., Камилов И.К., Габибов С.Ф. Об электронных фазовых переходах металл-диэлектрик вполупроводниках // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 536

Приведены результаты детального исследования магнитотранспортных свойств разъединенных гетеропереходов IIтипа в системе GaInAsSb/InAs(GaSb). Впервые обнаружен и исследован электронный канал с высокой подвижностью носителей (до50 000-60 000 см2/B·с) в изотипной разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs. Изучен эффект истощения электронного канала и переход от полуметаллической к полупроводниковой проводимости при сильном легировании акцепторами четверного твердого раствора. Детально исследованы магнитотранспортные свойства при температурах 4.2-200 K и получены данные об энергетическом спектре и параметрах двумерных носителей на гетерогранице. Экспериментально установлено, что в гетероструктурах Ga1-xInxAsySb1-y/GaSb в зависимости от состава могут быть реализованы как ступенчатые гетеропереходы (x=0.85), так и разъединенные (x=0.95), что подтверждается теоретическими расчетами. Вгетероструктурах GaInAsSb/InAs : Mn, выращенных на подложках, легированных магнитной примесьюMn с высокой концентрацией (p>5·1018 см-3), обнаружены аномальный эффект Холла и отрицательное магнитосопротивление, обусловленные обменным взаимодействием ионовMn вInAs с высокоподвижными электронами в канале на гетерогранице. PACS: 73.63.Hs, 73.43.Qt, 73.43.-f
Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Липаев А.Ф., Яковлев Ю.П. Магнитотранспортные свойства гетеропереходов IIтипа наоснове GaInAsSb/InAs иGaInAsSb/GaSb // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 519

Микрометровые пленки CdS исследованы методами СВЧ фотопроводимости (резонаторный метод в3 смдиапазоне), рентгенофазового анализа и диффузного отражения. Пленки были получены методом пиролиза аэрозоля из тиомочевинных координационных соединений при температуре подложки 250-550oC и содержали примесь хлора. Для освещения использовали импульсный азотный лазер(337 нм) длительностью импульса10 нс. Обнаружена зависимость параметров отклика СВЧфотопроводимости, энергии запрещенной зоны и микродеформации кристаллической решетки от температуры синтеза пленок. PACS: 73.61.Ga, 73.50.Pz, 73.50.Gr, 78.70.Gq
Сермакашева Н.Л., Шульга Ю.М., Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф. Влияние условий пиролиза аэрозоля водных растворов тиомочевинных комплексов наСВЧфотопроводимость пленок сульфида кадмия // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 513

Экспериментально определено значение эффективной массы дырки в туннельно-тонком (2-3 нм) слое SiO2: mh=(0.32-0.33)m0. Использование этого значения обеспечивает адекватное моделирование дырочного тока прямого туннелирования в приборах на основе МОП структур. Для нахождения указанного параметра впервые применена математическая обработка характеристик транзисторов с туннельным МОП эмиттером, что дает возможность точно найти эффективную толщину окисла, поскольку эффективная масса электрона в SiO2 известна из литературы. При расчетах использовалась модель, в которой вероятность прохождения через барьер зависит только от компоненты энергии частицы Ez, связанной с движением в направлении туннелирования. PACS: 85.30.De, 73.40.Qv
Векслер М.И., Тягинов С.Э., Шулекин А.Ф. Транзистор стуннельным МОП эмиттером как инструмент дляопределения эффективной массы дырки втонкой пленке диоксида кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 498

Проведена параметрическая оптимизация структуры брэгговских зеркал лазера с вертикальным резонатором, в котором для генерации излучения среднего инфракрасного диапазона используется трехволновое нелинейное смещение. Показано, что полоса отражения брэгговских зеркал может быть существенно увеличена по сравнению с обычными четвертьволновыми отражателями, изготовленными из той же пары материалов. При этом открывается принципиальная возможность создания лазера с нелинейным преобразованием частоты на решеточной нелинейности в системе GaAs/AlGaAs, излучающего в диапазоне
Морозов Ю.А., Нефедов И.С., Алешкин В.Я., Морозов М.Ю. Параметрическая оптимизация брэгговских отражателей лазера свертикальным резонатором инелинейным преобразованием частоты // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 493

Исследовано влияние внутризонной релаксации носителей заряда на пороговые характеристики лазеров на квантовых ямах на основе InGaAsP. Исследована зависимость времени внутризонной дырочно-дырочной релаксакции tauint от температуры и концентрации носителей. Показано, что учет конечного значенияtauint и его зависимости от температуры и концентрации носителей оказывает сильное влияние на величину коэффициента усиления и пороговой плотности тока в лазерах на квантовых ямах. PACS: 42.55.Ah, 42.55.Px, 78.67.De
Костко И.А., Гунько Н.А., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г. Влияние внутризонной электронной релаксации напороговые характеристики лазеров наквантовых ямах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 488