Проведены исследования фотолюминесценции в окисленных в присутствии паров йода поликристаллических слоях Pb1-xCdxSe. Показано, что в таких структурах излучательная рекомбинация определяется прямыми межзонными переходами и переходами на глубокий уровень при наличии варизонности в объеме кристаллитов. Последнее способствует существенному увеличению интенсивности люминесценции. PACS: 78.55.Hx, 78.66.Li
Гамарц А.Е., Мошников В.А., Чеснокова Д.Б. Фотолюминесценция вполикристаллических слоях Pb1-x CdxSe, активированных в присутствии паров йода // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 683

Исследовано влияние значительных концентраций акцепторных примесей (NA~ 1020 см-3) на изменение электронной структуры, положение уровня Ферми, электропроводности, коэффициента Зеебека и магнитной восприимчивости интерметаллических полупроводников n-ZrNiSn. Определена роль примесных донорной и акцепторной зон в проводимости сильно легированного n-ZrNiSn. Обнаружен переход от активационной к металлической проводимости при изменении концентрации акцепторных примесей. PACS: 72.20.-i, 72.80.Jc
Ромака В.А., Шеляпина М.Г., Гореленко Ю.К., Фрушарт Д., Стаднык Ю.В., Ромака Л.П., Чекурин В.Ф. Особенности механизмов проводимости сильно легированных интерметаллических полупроводников n-ZrNiSn // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 676

Исследованы электрические свойства тонких поликристаллических пленокSmS с различными величинами постоянной кристаллической решетки при T=300-580 K. Выявлены особенности поведения температурных зависимостей электропроводности при T>450 K. Обнаружен эффект генерации электродвижущей силы величиной до1.3 В при T=440-470 K при воздействии на пленки давлением сферического индентора. Показана возможность перевода пленок SmS в высокоомное состояние (разница сопротивлений на 3порядка) путем приложения электрического поля напряженностью более 100 В/см. Все полученные результаты объяснены с привлечением модели эффекта генерации эдс в SmS при равномерном нагреве образца, а также переменной валентностью ионов самария--- дефектов решетки. PACS: 71.30.+h, 71.55.Ht, 72.80.Jc, 81.40.Rs
Каминский В.В., Казанин М.М., Соловьев С.М., Шаренкова Н.В., Володин Н.М. Влияние эффекта генерации электродвижущей силы наэлектрические свойства тонких пленок сульфида самария // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 672

Впервые исследованы высокотемпературные (400-900oC) электрические свойства монокристаллов CdTe<Pb> под контролируемым давлением пара Cd (0.001-3 атм). Измерялись температурные и барические зависимости удельной проводимости и коэффициента Холла. Пониженная по сравнению с нелегированным CdTe концентрация электронов свидетельствует об увеличении количества примесных точечных дефектов, связанных с примесьюPb. Полученные результаты объясняются с использованием теории квазихимических реакций дефектообразования Крегера в предположении возможности существования свинца в изолированном состоянии (Pb+Cd) и в составе ассоциата (Pb+CdV2-Cd)-. PACS: 72.80.Ey
Фочук П.М., Парфенюк О.А., Панчук О.Э. Электрические характеристики монокристаллов CdTe&lt;Pb&gt; привысоких температурах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 667

Обнаружено, что в области температур, при которых в p-CdxHg1-xTe проводимость становится смешанной, магнитофотопроводимость, измеренная в геометрии эффекта Холла при подсветке вдоль магнитного поля ( k|| B normal E), имеет немонотонную зависимость от магнитного поля. Немонотонность выражается в появлении максимума при B#0 и появляется вследствие существенного магнитосопротивления, связанного с равновесными носителями заряда. Максимум появляется при условии, что проводимость равновесных электронов больше или равна половине проводимости равновесных тяжелых дырок, что выполняется в CdxHg1-xTe с x=0.22 при температурах 140-150 K. PACS: 72.20.My, 72.20.Fr, 72.80.Ey, 72.40.+W
Протасов Д.Ю., Костюченко В.Я., Овсюк В.Н. Немонотонное поведение магнитофотопроводимости в p-CdHgTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 663

Методом FLAPW впервые рассчитаны энергетическая зонная структура, плотность состояний, распределение электронной плотности, уравнение состояния и объемные модули трех нитридборных кристаллов фулборенитов: B12N12 с алмазной решеткой иB24N24, B12N12 с простой кубической решеткой, вузлах которой расположены молекулы фулборенов--- B12N12, B24N24. Получены следующие характеристики гипералмазногоB12N12: равновесный параметр решетки a=1.1191 нм, длина B--N-связи aBN=0.1405 нм, число атомов в элементарной ячейке Z=192, плотность rho=2.823 г/см3, объемный модуль B0=658 ГПа, ширина запрещенной зоны Delta Eg=3.05 эВ. Это неизвестный ранее уникальный легкий сверхтвердый полупроводниковый фажозит с рекордным объемным модулем выше, чем у алмаза. Есть основания предполагать, что это E-фаза. Характеристики B24N24 спростой кубической решеткой: равновесный параметр решетки a=0.7346 нм, длина B--N-связи aBN=0.1521 нм, чисто атомов в элементарной ячейке Z=48, плотностьrho=2.495 г/см3, объемный модуль B0=367 ГПа, ширина запрещенной зоныDelta Eg=3.76 эВ. Это гетерополярный полупроводник или диэлектрик с объемным модулем, сравнимым с объемным модулем кубического нитрида бора, а также новый нитридборный цеолит с диаметром каналов0.46 нм. B12N12 спростой кубической решеткой--- молекулярный полуметалл. PACS: 71.15.Ap
Покропивный В.В., Бекенев В.Л. Электронные свойства и объемные модули новых полиморф нитрида бора--- гипералмазногоB12N12 ипростых кубическихB24N24, B12N12 фулборенитов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 656

Проведено численное моделирование воздействия наносекундного излучения KrF эксимерного лазера (lambda=248 нм, tau=20 нс) на фазовые переходы в теллуриде кадмия с учетом диффузии компонентов в расплаве и их испарения с поверхности. Показано, что в результате испарения и диффузии компонентов теллурида кадмия в расплаве происходит обогащение приповерхностной области теллуром. Полученное значение пороговой плотности энергии излучения 0.05 Дж/см2, при которой происходит плавление, согласуется с экспериментальными данными. PACS: 64.70.Kb
Жвавый С.П., Зыков Г.Л. Численное моделирование динамики фазовых переходов вCdTe, инициируемых наносекундным излучением эксимерного лазера // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 652

Исследована диффузия тербия в кремнии в интервале температур 1100-1250oC сиспользованием впервые прямого метода--- метода радиоактивных изотопов. Установлены диффузионные параметры тербия вкремнии. PACS: 61.72.Tt; 66.30.Jt; 81.40.Ef
Назыров Д.Э. Диффузия тербия в кремнии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 650

Представлены результаты исследования характера влияния облучения быстрыми и полным спектром реакторных нейтронов и последующих термообработок на структурные характеристики монокристалловInP. Показано, что в отличие от других полупроводниковых соединений AIIIBV в монокристаллахInP при облучении нейтронами период решетки уменьшается. Основной вклад в изменение периода решетки вносят быстрые нейтроны. Наличие составляющей тепловых нейтронов, приводящих к образованию в материале атомовSn, не вызывает существенного изменения периода решетки. Термообработка облученных образцов до температуры порядка600oC приводит к отжигу радиационных дефектов и восстановлению периода решетки, а при больших флюенсах нейтронов период решетки становится больше, чем до облучения. Анализ полученных экспериментальных результатов позволил сделать предположение о том, что уменьшение периода решетки вInP при облучении нейтронами вызвано в основном образовавшимися антиструктурными дефектамиPIn, вызывающими в данном случае эффект, аналогичный вакансионным дефектам. PACS: 61.66.-f, 61.80.Hg, 61.82.Fk, 81.40.Wx, 81.40.Gh
Бойко В.М., Бублик В.Т., Воронова М.И., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И., Щербачев К.Д. Влияние облучения реакторными нейтронами итемпературы наструктуру монокристалловInP // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 641

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены структуры вертикально-излучающих лазеров с активной областью на основе массивов субмонослойных квантовых точек InGaAs и легированными распределенными брэгговскими отражателями AlGaAs / GaAs. Показана работа одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 980 нм с диаметром токовой апертуры 3 мкм, пороговым током0.6 мА, максимальной выходной мощностью до4 мВт и внешней дифференциальной эффективностью68%. Многомодовые вертикально-излучающие лазеры с диаметром апертуры 10-12 мкм обладают сверхнизкими внутренними оптическими потерями (0.09% на один проход фотона), что сравнимо с лучшими результатами для лазеров такого типа с нелегированными распределенными брэгговскими отражателями. PACS: 42.55.Px, 78.67.He
Блохин С.А., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Шерняков Ю.М., Новиков И.И., Гордеев Н.Ю., Дюделев В.В., Соколовский Г.С., Кучинский В.И., Кулагина М.М., Максимов М.В., Устинов В.М., Ковш А.Р., Михрин С.С., Леденцов Н.Н. Вертикально-излучающие лазеры наоснове массивов субмонослойных квантовых точек InGaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 633