Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследована зависимость концентрации радиационных дефектов донорного и акцепторного типов от времени облучения потоками beta-частиц малой интенсивности (I~9·105 см-2·с-1). Обнаружены немонотонные изменения концентраций дефектовCi, Ci-Cs и(или) V-O для кристаллов n-типа проводимости, а также V-B, Ci-Oi и(или) V2-O-C для кристаллов p-типа. PACS: 61.72.Ji, 61.72.Ss, 61.80.Fe
Бадылевич М.В., Блохин И.В., Головин Ю.И., Дмитриевский А.А., Карцев С.В., Сучкова Н.Ю., Толотаев М.Ю. Немонотонные изменения концентрации радиационных дефектов донорного иакцепторного типов в кремнии, индуцируемые потоками beta -частиц малой интенсивности // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1409

Исследованы люминесцентные свойства пар двух близко расположенных трехмерных ZnO-микрорезонаторов цилиндрической формы диаметром1.8 мкм с разными расстояниями между ними, полученных методом электронно-лучевой литографии и реактивного ионного травления. Обнаружены узкие пики свечения в экситонной области спектра оксида цинка, обусловленные одномодовой лазерной генерацией. Проведен теоретический расчет энергии обменного взаимодействия связанных мод двух микрорезонанторов в зависимости от расстояния между ними. Обнаружено уширение линии стимулированной ультрафиолетовой люминесценции на связанных фотонных модах двух микрорезонаторов при их сближении. PACS: 78.45.+h, 78.66.Hf, 42.60.Da
Грузинцев А.Н., Волков В.Т., Князев М.А., Якимов Е.Е. Взаимодействие когерентных оптических связанных мод вблизко расположенных трехмерных ZnO-микрорезонаторах цилиндрической формы // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1402

Рассматриваются характеристики светодиодов на основе AlGaInN c удаленной сапфировой подложкой. Для удаления подложки применялся метод лазерного отделения (lift-off). Подложка удалялась с готового светодиодного кристалла, смонтированного методом флип-чип на кремниевой плате. Сцелью увеличения эффективности вывода света на поверхности n-GaN был создан рассеивающий рельеф методом реактивного ионного травления в газовой смеси Cl2:Ar. Врезультате этой операции было достигнуто увеличение внешней квантовой эффективности светодиодного кристалла на 25--30%. Светодиоды, изготовленные из кристаллов, полученных описанным способом, устойчиво работают в диапазоне токов накачки до 300 мА, достигая оптической мощности 110 мВт. PACS: 85.60.Jb, 85.40.Ls
Смирнова И.П., Марков Л.К., Закгейм Д.А., Аракчеева Е.М., Рымалис М.Р. Синие флип-чип светодиоды наоснове AlGaInN с удаленной сапфировой подложкой // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1397

Исследованы закономерности изменения квантовых выходов фотогенерации носителей заряда в полиимидных структурах, содержащих гетероциклические фрагменты. Показано, что эффективность сенсибилизации полиимидов зависит от донорных и акцепторных свойств фрагментов мономерного звена полиимида, а для гетероциклических фрагментов, представляющих собой внутримолекулярные комплексы с переносом заряда, область спектральной чувствительности более широкая, чем для гетероциклов, не являющихся такими комплексами. PACS: 78.40.Pg, 78.55.Qr, 78.66.Qn
Александрова Е.Л. Структурные закономерности фотоэффекта вполиимидных структурах, содержащих гетероциклические фрагменты // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1388