Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е., Киперман В.А., Лопатин Д.А. Дислокационное зондирование состояния дефектов решетки, возбужденных импульсом магнитного поля в ионных кристаллах // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 4, Стр. 634
Приведены результаты исследования влияния импульсного магнитного поля на состояние линейных и точечных дефектов ионных кристаллов. При различных амплитудах (1--7 T) и длительностях импульса поля (3· 10-5-102 s) в интервале температур 77--400 K исследованы кинетика перехода дефектов в новое состояние и их релаксация после выключения поля. Установлено, что релаксация состояний точечных дефектов носит преимущественно рекомбинационный характер, а изменение состояний дислокаций и точечных дефектов вносит неаддитивный вклад в изменение подвижности дислокаций. Экспозиция кристалла в магнитном поле приводит к увеличению подвижности дислокаций при механическом нагружении образца и уменьшению их смещений под действием повторного импульса поля.
Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е., Киперман В.А., Лопатин Д.А. Дислокационное зондирование состояния дефектов решетки, возбужденных импульсом магнитного поля в ионных кристаллах // ФТТ, 1997, том 39, выпуск 4, Стр. 634