Исследованы частотные и температурные зависимости компонент полного импеданса монокристаллов Pb0.75Sn0.25Te(In) в частотном диапазоне от20 до106 Гц в температурном интервале T=4.2-300 K. Анализ импеданс-спектров проведен в рамках модели эквивалентных схем. Показано, что при T=4.2 K импеданс-спектр образца соответствует эквивалентной схеме параллельного RC-контура. Рассчитанные параметры контура соответствуют значению диэлектрической проницаемости материала varepsilon~1000 при низких температурах. Повышение концентрации свободных носителей заряда, индуцированное либо нагревом образца, либо подсветкой, осуществляемой при температурах ниже Tc~25 K, приводит к существенному возрастанию емкостного вклада в проводимость. Показано, что увеличение этого вклада не может быть связано с фазовым переходом. Рассматривается возможность увеличения емкостного вклада в связи с процессами перезарядки в примесной подсистеме, индуцированными переменным электрическим полем. PACS:6470.Kb, 72.20.Ht, 77.80.Bh
Кожанов А.Е., Никорич А.В., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Проводимость твердых растворов Pb1-xSnxTe(In) впеременном электрическом поле // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1047

Исследовано воздействие gamma-лучей и электронного пучка на электролюминесценцию люминофоров ZnS : Cu,Br и ZnS : Cu,Al,Br. Облучение обоих образцов gamma-квантами и образца ZnS : Cu,Br электронным пучком позволяет повысить яркость свечения на 20-35% при оптимальной дозе 5-10 Мрад. При этом в спектре люминесценции всех образцов увеличивается относительная интенсивность \glqq зеленой\grqq полосы, предположительно вследствие диссоциации донорно-акцепторных пар Cui-CuZn и BrZn-VZn. Таким образом, облучение позволяет регулировать яркость и цвет свечения люминофоров, что может быть использовано для нехимической литографии люминесцентных слоев. PACS: 61.80.Cb, 61.80.Ed, 61.82.Fk, 78.60.Fi, 81.40.Tv
Сычев М.М., Комаров Е.В., Григорьев Л.В., Мякин С.В., Васильева И.В., Кузнецов А.И., Усачева В.П. Гамма- и электронно-лучевое модифицирование цинкосульфидных люминофоров // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1042

Исследовалась возможность увеличения интенсивности внутрицентровых переходов ионаEu в кристаллахGaN путем введения дополнительной примеси для изменения локального окружения редкоземельного иона. Вюрцитные кристаллы p-GaN исходно были легированыMg, а затем--- европием. Введение дополнительной примесиZn приводит к существенному увеличению интенсивности фотолюминесценции в области 3580-4250 Angstrem и в длинноволновой области спектра5400-6237 Angstrem. Это можно объяснить проявлением сенсибилизации люминесценции оптически-активных внутрицентровых f-f-переходов Eu3+ вследствие введения дополнительной примеси, способствующей образованию комплексов редкоземельного иона с большим сечением захвата носителей заряда. PACS: 61.72.Vv, 61.72.Yx, 78.47.+p, 78.55.Cr
Криволапчук В.В., Мездрогина М.М., Кожанова Ю.В., Родин С.Н. Сенсибилизация люминесценции вюрцитных кристалловGaN, легированныхEu идополнительно введенной примесьюZn // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1033

Исследовано влияние отжига в атмосфере насыщенных паровCd на проводимость мелко- и крупнозернистных поликристалловCdTe. Показано, что до отжига и в мелко- и в крупнозернистных поликристаллах транспорт носителей определяется в основном прыжковой проводимостью. Отжиг приводит к исчезновению прыжковой проводимости и возникновению в крупнозернистых поликристаллах единственного дефекта, по-видимому, сложного, однако никак не связанного с наличием межзеренных границ. Вмелкозернистых поликристаллах отжиг приводит к появлению сложных протяженных дефектов, определяемых либо сегрегацией примесей на межзеренных границах, либо скоплением вблизи них собственных дефектов. PACS: 72.20.Ee, 81.20.Dz, 81.40.Rs
Клевков Ю.В., Колосов С.А., Плотников А.Ф. Транспорт носителей заряда в отожженных крупно- имелкозернистых поликристаллах CdTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1028

Исследована диффузия хрома в GaAs при равновесном давлении паров мышьяка. Определена температурная зависимость коэффициента диффузии и растворимости хрома в GaAs. Температурная зависимость коэффициента диффузии и растворимости хрома описывается уравнением Аррениуса с параметрами для коэффициента диффузии: D0=3.1·105 см2/с, E=3.2±0.4 эВ; для растворимости: NS=2.1·1021 см-3, ES=1.0±0.3 эВ. Полученные экспериментальные результаты сравниваются с ранее опубликованными данными по диффузии хрома при большом давлении паров мышьяка и анализируются с позицийдиссоциативного механизма миграции атомов хрома вGaAs. PACS: 66.30.-h, 81.05.Ea
Хлудков С.С., Корецкая О.Б., Бурнашова Г.Р. Диффузия хрома в GaAs при равновесном давлении паров мышьяка // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1025

Установлено, что причиной, ограничивающей максимально достижимую мощность оптического излучения в полупроводниковых лазерах, является конечная величина времени рассеяния энергии электронов на неравновесных оптических фононах в квантово-размерной активной области. Экспериментально исследованы мощностные и спектральные характеристики полупроводниковых лазеров при высоких уровнях возбуждения (до100 кА/см2) в импульсном режиме генерации (100 нс, 10 кГц). Получено, что с увеличением тока накачки максимальная интенсивность стимулированного излучения насыщается, а рост излучаемой мощности происходит за счет расширения спектра в коротковолновую область. Насыщение интенсивности излучения обусловлено ограничением скорости стимулированной рекомбинации. Фактором, ограничивающим скорость стимулированной рекомбинации, является конечная величина времени рассеяния энергии электронов на полярных оптических фононах. Обнаружено, что расширение спектра стимулированного излучения связано с ростом концентрации носителей тока в активной области, что приводит к усилению выброса электронов в волноводные слои. С ростом тока накачки концентрация носителей тока в волноводе достигает порогового значения и возникает эффективный канал токовых утечек из активной области. Экспериментально показано, что появление волноводной полосы генерации коррелирует с резким снижением дифференциальной квантовой эффективности полупроводникового лазера. PACS: 42.55.Px, 78.45.th, 63.40.Kr
Слипченко С.О., Соколова З.Н., Пихтин Н.А., Борщев К.С., Винокуров Д.А., Тарасов И.С. Конечное время рассеяния энергии носителей заряда как причина ограничения оптической мощности полупроводниковых лазеров // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 1017

Предложен метод на основе сканирующей кельвин-зонд-микроскопии, позволяющий прямое наблюдение и количественную характеризацию утечки носителей тока из активной области работающих полупроводниковых светодиодов и лазеров. Спомощью разработанного метода на поверхности зеркал мощных InGaAs/AlGaAs/GaAs-лазерных диодов выявлены неосновные дырки, появляющиеся из активной области и растекающиеся на участки поверхности над n-эмиттером и n-подложкой. Показано, что перемещение дырок по поверхностным каналам, сформированным областями приповерхностного изгиба зон, может происходить на десятки микрон от места их первоначального появления на поверхности. Показано, что с подъемом тока инжекции величина утечки плавно нарастает, а после достижения лазерной генерации ее рост прекращается. PACS: 07.79.-v, 42.55.Px, 73.40.Kp.
Анкудинов А.В., Евтихиев В.П., Ладутенко К.С., Титков А.Н., Laiho R. Сканирующая кельвин-зонд-микроскопия утечки дырок из активной области работающего инжекционного полупроводникового лазерного диода // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 1009

Исследованы электрические и оптические свойства эпитаксиальных слоев InGaAsSb с электронным типом проводимости, близких по составу к арсениду индия и согласованных с ним по периоду решетки, полученных на подложках InAs методом жидкофазной эпитаксии из расплавов, легированных теллуром. Слои прозрачны в области 3 мкм благодаря эффекту Мосса--Бурштейна. Приводятся и обсуждаются ватт-амперные и пространственные характеристики электролюминесценции светодиодов на основе InAs, изготовленных в конструкции типа флип-чип, в которых вывод излучения осуществляется через буферные слои n+-InGaAsSb. PACS:85.60.Jb, 78.40.Fy
Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Шустов В.В., Тараканова Н.Г. Флип-чип светодиоды на основе InAs сбуферными слоями изInGaAsSb // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 1004

Исследовано влияние различных распределений температуры на основные параметры анизотропных оптикотермоэлементов при режимах оптического пропускания. Показана перспективность таких приборов, реализирующих оригинальный метод \glqq прозрачной стенки\grqq, предназначенный для регистрации лучистых потоков различной плотности в широком спектральном и энергетическом диапазонах. PACS: 72.20.Pa, 85.80.Fi
Ащеулов А.А., Гуцул И.В. Особенности анизотропных оптикотермоэлементов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 995

Рассмотрены процессы осаждения и электронные свойства тонкопленочных полупроводников и диэлектриков на основе кремния для производства электронных приборов на гибких пластиковых пленках. Пленки аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si : H), нанокристаллического кремния (nc-Si) и аморфного нитрида кремния (a-SiNx), а также тонкопленочные транзисторы (ТПТ) были изготовлены при низких температурах процессов (120oC, 75oC) с использованием существующего промышленного плазмохимического оборудования. Параметры тонкопленочных транзисторов на основе a-Si : H, изготовленных при столь низких температурах, соответствуют своим высокотемпературным аналогам. PACS: 81.15.Gh, 85.30.Tv
Сазонов А., Мейтин М., Стряхилев Д., Nathan A. Низкотемпературные материалы итонкопленочные транзисторы дляэлектроники нагибких подложках // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 986