Исследованы особенности спектров фотолюминесценции в имплантированных ионами водорода структурах кремний-на-изоляторе. Обнаружено увеличение интенсивности фотолюминесценции с ростом гидростатического давленияP во время отжига и формирование системы узких периодических пиков фотолюминесценции в спектральном диапазоне~500-700 нм для структур, отожженных при P>6 кбар. Показано, что появление тонкой структуры в спектре фотолюминесценции коррелирует с замедлением выхода водорода из имплантированных образцов и подавлением процесса образования микропузырей водорода в приповерхностном слое. Эти процессы способствуют формированию оптического резонатора с зеркалами, образованными границами раздела \glqq кремний-на-изоляторе-воздух\grqq и \glqq кремний-на-изоляторе-SiO2\grqq, и оптически активным слоем, созданным имплантацией ионов водорода и последующим отжигом. PACS: 78.55.Hx, 78.66.-w, 81.40.Tv, 81.60.Cp, 68.55.Ln
Тысченко И.Е., Журавлев К.С., Талочкин А.Б., Попов В.П. Особенности фотолюминесценции вструктурах кремний-на-изоляторе, имплантированных ионами водорода // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 426

Проведены исследования оптических и электрических свойств алмазоподобных пленок углерода, имплантированных ионами меди с энергией 40 кэВ дозами 3·1014-3·1017 ион / см2, а также влияние на них постимплантационного термического отжига в условиях вакуума. Установлено, что имплантированные атомы меди при дозах менее 6·1015 ион / см2 не влияют на электронные свойства углеродных пленок. Постимплантационный термический отжиг при температурах отжига ниже 500oC не приводит к их активации. Однако формирование наночастиц меди ведет к характерным изменениям оптических и электрических свойств углеродных пленок. Установлено, что эффективная оптическая щель композитной пленки, определенная из зависимости Тауца, является функцией фактора заполнения металлической фазы и может принимать отрицательные значения. Показано, что оптическое поглощение синтезированной медь-углеродной композитной пленки в видимой и ближней ультрафиолетовых областях спектра хорошо описывается на основе двухслойной модели. При формировании наночастиц меди в углеродной матрице происходит изменение температурной зависимости электропроводимости, однако механизм переноса заряда остается прыжковым. PACS: 73.50.Dn, 78.20.Ci, 61.72.Ww
Файзрахманов И.А., Базаров В.В., Степанов А.Л., Хайбуллин И.Б. Влияние имплантации ионов меди наоптические свойства инизкотемпературную проводимость углеродных пленок // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 419

Исследованы инфракрасные спектры отражения, обусловленные колебаниями решетки в эпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs (100), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, с различными концентрациямиAl в металлической подрешетке. Вспектре образца с x~0.50 обнаружены моды колебаний, соответствующие сверхструктурной фазе упорядочения AlGaAs2. Атомно-силовая микроскопия поверхности образца с x~0.50 показала наличие областей упорядочения нанорельефа с периодом ~115 нм, в которых проявляется структурная фаза AlGaAs2. PACS: 78.66.Fd, 81.05.Ea, 68.05.Nq
Домашевская Э.П., Середин П.В., Лукин А.Н., Битюцкая Л.А., Гречкина М.В., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Тарасов И.С. Инфракрасные спектры отражения иморфология поверхности эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs (100) сфазой упорядоченияAlGaAs2 // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 411

В кристаллах CdZnTe, содержащих многообразие структурных неоднородностей, выявлены спектральная, временная и пространственная неустойчивости фотоэлектрического откликаI. Показано, что их характер и взаимосвязь наиболее ярко проявляются в диаграммах dI(t)/dt=fl(I(t)r) иdI(nu)/dnu=fl(I(nu)r) (nu--- частота, t--- время), на которых хорошо видны процессы, протекающие при срыве устойчивости. PACS: 72.40.+w, 61.72.Hh, 61.66.Fh
Мигаль В.П., Фомин А.С. Временная и пространственная устойчивость фотоэлектрического отклика кристалловCdZnTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 408

Исследованы люксамперные и спектральные характеристики фотолюминесценции монокристаллов CuInSe2. Суперлинейная область интенсивной зависимости фотопроводимости при низких уровнях возбуждения в компенсированных кристаллах p-CuInSe2 объясняется на базе рекомбинационной модели. Вспектре фотолюминесценции n-CuInSe2 полоса излучения 0.98 эВ соответствует излучательной рекомбинации электронов донорного уровня с глубиной залегания 0.04 эВ. Максимум интенсивности полосы соответствует энергетическому зазору между уровнем прилипания и валентной зоной. PACS: 72.40.+w, 78.55.-m
Гусейнов А.Г., Салманов В.М., Мамедов Р.М. Фотопроводимость илюминесценция вмонокристалле CuInSe2 привысоком уровне возбуждения // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 406

Предложена модель сужения энергетической щели между зонами Хаббарда (A0- и A+-зонами для акцепторов иD0- и D--зонами для доноров) с ростом концентрации легирующей водородоподобной примеси при низкой концентрации компенсирующей примеси. Ширина примесных зон предполагается малой по сравнению со щелью между ними. Учтено, что локальное кулоновское взаимодействие ионов электрического диполя, образовавшегося в результате перехода дырки (электрона) между двумя электрически нейтральными примесными атомами, уменьшает величину щели. Рассчитанные значения термической энергии активации прыжкового перехода дырок (электронов) между примесными зонами согласуются с экспериментальными данными для слабо компенсированных кристаллов p-Si : B, p-Ge : Ga и n-Ge : Sb. PACS: 71.27.+a, 71.20.Fi, 71.30.+h, 71.55.Cn, 72.20.Fr
Поклонский Н.А., Вырко С.А., Забродский А.Г. Дипольная модель сужения энергетической щели между зонами Хаббарда вслабо компенсированных полупроводниках // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 400

Измерены спектры нелинейного поглощения света методом двух источников излучения в монокристаллахGaSe, GaSe : Ni, Ga1.05Se0.95 иGa0.95Se1.05. Обнаружены уровни с глубиной залегания1.38, 1.45, 1.55, 1.65 и1.80 эВ. Вспектрах нелинейного поглощения света наблюдаются поглощение на неравновесных носителях тока, индуцированное поглощение и индуцированное просветление, обусловленное изменением заселенности примесных центров излучением лазера. PACS: 78.66.Li, 78.40.Fy
Байдуллаева А., Власенко З.К., Даулетмуратов Б.К., Кузан Л.Ф., Мозоль П.Е. Особенности спектров нелинейного поглощения света внестехиометрических илегированныхNi монокристаллахGaSe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 397

Проведен численный расчет влияния компонентного состава, размеров и температурного коэффициента расширения самоиндуцированных наноостровковGe иSiGe, сформированных на кремнии, на величину их полной энергии. Рассмотрена взаимосвязь дискретных минимумов поверхностной энергии наноостровков и их формы. Учтено влияние интердиффузионных процессов, существенных при высоких температурах эпитаксии. Результаты расчетов сопоставлены с экспериментальными данными, полученными с помощью атомной силовой микроскопии. PACS: 61.46.+w, 68.35.-p, 68.37.Ps, 68.47.Fg, 82.60.Av
Яремко А.М., Валах М.Я., Джаган В.Н., Литвин П.М., Юхимчук В.А. Взаимосвязь минимумов поверхностной энергии самоиндуцированных наноостровковSiGe иихформы // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 391

Показано, что накопление примесиAl вблизи поверхности кремния, наблюдающееся при диффузии из поверхностного источника в инертной среде, не может быть объяснено в рамках обычного для примесей замещения непрямого вакансионно-межузельного (vacancy-interstitialcy) механизма. Особенности диффузииAl как в инертной, так и в окислительной среде удовлетворительно описываются в рамках механизма вытеснения (kick-out), характерного для примесей быстро диффундирующих металлов в кремнии. PACS: 68.35.Fx, 68.35.Dv
Александров О.В., Криворучко А.А., Соболев Н.А. Моделирование диффузии алюминия вкремнии винертной иокислительной средах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 385

Предложена методика определения коэффициента ослабления света в тонком GaN-слое на основе измерений интенсивности электролюминесценции вдоль и поперек слоя. Получена величина коэффициента ослабления света 90±15 см-1 в GaN-слое светодиодной InGaN-структуры. PACS: 85.60.Jb, 78.60.Fi, 78.66.Fd
Ефремов А.А., Тархин Д.В., Бочкарева Н.И., Горбунов Р.И., Ребане Ю.Т., Шретер Ю.Г. Определение коэффициента ослабления света втонких слоях светодиодных структур // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 380