Теоретически исследована возможность управления с помощью постоянного поперечного электрического поля эффектами пространственного повторения и мультипликации для плотности потока вероятности jx(x,z) (или квантовомеханической плотности токаejx(x,z), e--- заряд электрона), возникающими при интерференции электронных волн в полупроводниковых двумерных наноструктурах. Показано, что в структурах, представляющих собой последовательно расположенные в направлении распространения электронной волны (осьx) узкую и широкую вдоль осиz (ось размерного квантования) квантовые ямы прямоугольного профиля, поперечное распределениеjx(0,z), существующее на входе широкой квантовой ямы, с определенной точностью периодически воспроизводится в сечениях Xp=pX1 (повторяемость) и расщепляется в симметричной по осиz наноструктуре наq идентичных пиков вqраз меньшей интенсивности на расстоянииX1/q от входа (мультипликация) (p иq--- целые числа). Показано, что управление этими эффектами возможно с помощью постоянного поперечного (вдоль осиz) электрического поля в области широкой квантовой ямы. Уменьшение в электрическом поле эффективной ширины квантовой ямы и возникновение в ней асимметрии в поперечном направлении приводят к кардинальному изменению в ней пространственного распределенияjx(x,z) и возможности инверсной заселенности квантово-размерных подзон. PACS:73.21.Fg, 73.63.Hs
Петров В.А., Никитин А.В. Управление электрическим полем эффектами пространственной повторяемости имультипликации электронных волн вполупроводниковых двумерных наноструктурах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 977

В приближении эффективной массы и квадратичного закона дисперсии рассчитаны энергии связи экситона и энергии излучательных экситонных переходов в одиночных квантовых ямах SiOx--Si--SiOx. Кроме реальных конечных величин разрывов зон в структурах с такими квантовыми ямами был учтен также эффект диэлектрического усиления энергии связи экситона из-за поляризации гетерограниц. Рассчитана также зависимость экситонного бесфононного времени излучательной рекомбинации от ширины квантовой ямы SiOx--Si--SiOx. Она имеет немонотонный (осциллирующий) характер, что обусловлено непрямозонностью кремниевого материала. Показано, что теоретически рассчитанные энергии излучательных экситонных переходов в квантовых ямах SiO2--Si--SiO2 согласуются с полученными из эксперимента при ширинах квантовых ям >=q 1.5 нм. Достигнуто достаточно хорошее согласие между экспериментальными и теоретически рассчитанными спектральными зависимостями фотолюминесценции квантовых ям SiO2--Si--SiO2. PACS: 78.67.Hc, 73.21.Fg
Саченко А.В., Корбутяк Д.В., Крюченко Ю.В., Купчак И.М. Экситонная фотолюминесценция структур скремниевыми квантовыми ямами // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 969

Получены и проанализированы спектры фотолюминесценции квантовых точек CdS, выращенных в боросиликатном стекле золь--гель методом. Показано, что спектры фотолюминесценции образцов обусловлены аннигиляцией свободных (внутренних) экситонов в основном и возбужденном состояниях. Впервые обнаружено излучение из поверхностных уровней квантовых точек в области 2.7 эВ, обусловленное рекомбинацией локализованных на поверхности электронов с тяжелыми дырками в свободных состояниях квантовых точек. Резонансное возбуждение этих структур позволило установить характерные особенности поверхностных локализованных состояний, формирующих полосу фотолюминесценции, свойства которой во многом схожи со свойствами полос излучения как трехмерных (аморфные полупроводники, твердые растворы замещения), так и двумерных (квантовые ямы и сверхрешетки) систем. PACS: 73.21.La, 78.67.Hc, 78.55.Et
Бондарь Н.В., Бродин М.С., Тельбиз Г.М. Вклад внутренних и поверхностных состояний носителей заряда вспектры излучения квантовых точек CdS вборосиликатном стекле // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 962

Выполнен анализ погрешностей определения глубины уровней поверхностных состояний катодной границы раздела диэлектрик-люминофор, ширины потенциального барьера и вероятности туннелирования электронов с поверхностных состояний при численном моделировании экспериментальных зависимостей тока, протекающего через слой люминофора, от времени. Получены зависимости указанных параметров от времени для полного цикла работы электролюминесцентных излучателей, установлено влияние на них частоты и амплитуды импульсов напряжения возбуждения, а также засветки излучателей в синей области спектра во время паузы между импульсами. Определены зависимости от времени коэффициента умножения и числа ионизаций, приходящихся на один электрон в области ударной ионизации. Оценена максимальная величина коэффициента ударной ионизации, составляющая>=q 2.6· 104 см-1. PACS: 78.60.Fi, 78.66.Hf
Гурин Н.Т., Афанасьев А.М., Сабитов О.Ю., Рябов Д.В. Туннелирование и ударная ионизация втонкопленочных электролюминесцентных структурах на основеZnS : Mn // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 949

Исследованы особенности влияния быстрого отжига на электрофизические характеристики структурSiO2/Si с тонкими слоями анодного оксида кремния (столщиной диэлектрических слоев ~10 нм), сформированных на подложках из монокристаллического кремния, в зависимости от полупроводниковых свойств кремниевой основы, длительности, температуры и среды термического воздействия. Определена оптимальная длительность высокотемпературного отжига этих структур в инертной среде для их использования в технологии наноразмерных МОП структур интегральных схем. PACS: 73.40.Qv, 81.65.Mq, 85.30.Tv
Баранов И.Л., Табулина Л.В., Становая Л.С., Русальская Т.Г. Влияние быстрого отжига наэлектрофизические свойства структурSiO2/Si стонкими слоями анодного оксида кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 944

Установлено влияние характеристического рентгеновского излучения (длина волны lambda=0.056 нм) на фотоэлектрические параметры гетеропереходов <собственный термический окисел>-p-InSe. Исследованы вольт-амперные и спектральные характеристики структур до и после облучения. Обнаруженные изменения напряжения холостого хода, тока короткого замыкания, вольт-амперных характеристик и спектров фоточувствительности гетеропереходов обусловлены образованием радиационных дефектов вInSe. Они приводят к увеличению рекомбинационных процессов в механизмах токопереноса, незначительно изменяют скорость поверхностной рекомбинации и не оказывают деструктивного влияния на величину контактной разности потенциалов. Полученные результаты объясняются в рамках электростатической модели образования радиационных дефектов в кристаллической решетке. PACS:73.40Lq, 73.50.Pz, 61.80.Cb
Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Политанская О.А., Раранский Н.Д. Характеристики гетеропереходов окисел--p-InSe вусловиях рентгеновского облучения // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 940

Исследовано нейтронное трансмутационное легирование кристаллов кремния, обогащенных изотопом 30Si, методом электронного парамагнитного резонанса: наблюдались доноры фосфора и возникающие в процессе нейтронного легирования радиационные дефекты. Исследованы сигналы ЭПР неконтролируемой примеси фосфора в30Si до нейтронного легирования (концентрация ~1015 см-3) и фосфора, введенного легированием с дозами ~1·1019 см-2 и~1·1020 см-2 (концентрации P~5·1016 см-3 и~7·1017 см-3 соответственно). Благодаря резкому сужению линий ЭПР фосфора в30Si интенсивность сигналов существенно увеличилась, что позволило контролировать фосфор в образцах с малым объемом (до10-6 мм-3). Разработаны методы контроля концентрации доноровP по сверхтонкой структуре в спектрах ЭПР изолированных атомовP, обменно-связанных пар, троек, четверок и более крупных кластеров доноровP. Вобласти высоких концентрацийP, когда сверхтонкая структура исчезает, концентрация доноровP оценивалась по ширине обменно-суженной линииЭПР. PACS: 81.40.Wx, 61.80.Hg, 61.82.Fk, 76.30.Da
Баранов П.Г., Бер Б.Я., Годисов О.Н., Ильин И.В., Ионов А.Н., Калитеевский А.К., Калитеевский М.А., Лазебник И.М., Сафронов А.Ю., Пол Х.-Дж., Риманн Х., Абросимов Н.В., Копьев П.С., Буланов А.Д., Гусев А.В. Особенности нейтронного легирования фосфором кристаллов кремния, обогащенных изотопом30Si: исследования методом электронного парамагнитного резонанса // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 930

Согласно распределению Гиббса получена зависимость концентрации промежуточного зарядового состоянияSn3+ двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией вPbS от величины корреляционной энергии. Продемонстрировано, что указанное состояние олова может быть обнаружено с помощью мессбауэровской спектроскопии на изотопе119Sn при высоких температурах. PACS: 71.55.Ht, 76.80.+y
Кастро Р.А., Немов С.А., Серегин П.П. Обнаружение однократно ионизованного состояния двухэлектронных центров олова сотрицательной корреляционной энергией втвердых растворахPb1-xSnxS // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 927

Исследованы электрофизические свойства сплавов n-Pb1-xSnxTe (x=0.09-0.21), легированных галлием. Обнаружены аномальные температурные зависимости коэффициента Холла, указывающие на стабилизацию уровня Ферми резонансным уровнем галлия, расположенным в зоне проводимости. По экспериментальным данным в рамках двухзонного закона дисперсии Кейна рассчитаны зависимости концентрации электронов и энергии Ферми от состава сплава и температуры. Показано, что положение резонансного уровня галлия относительно потолка валентной зоны практически не зависит от состава матрицы, и получена зависимость термического коэффициента движения резонансного уровня относительно середины запрещенной зоны от состава сплава. PACS: 71.20Nr, 71.55.Ht
Скипетров Е.П., Зверева Е.А., Дмитриев Н.Н., Голубев А.В., Слынько В.Е. Стабилизация уровня Ферми резонансным уровнем галлия всплавахPb1-xSnxTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 922

Сцелью изучения влияния температуры облученияTirr на процесс дефектообразования исследовались монокристаллы n-Si. Исследуемые образцы облучались электронами с энергией2 МэВ винтервале Tirr=20-400oC. Изохронный отжиг облученных кристаллов проводился в интервале 80-600oC. Измерения проводились методом Холла в интервале77-300 K. Показано, что эффективность введения радиационных дефектов с высокой термостабильностью (Tann>=350oC) достигает максимума при Tirr=150oC. Наблюдаемый эффект объясняется образованием мультивакансионных дефектовPV2 на базе ионизированных E-центров и неравновесных вакансий. PACS: 71.55.Cn, 72.15.Gd, 61.80.-x, 61.72.Cc
Пагава Т.А. Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах n-Si // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 919