Впервые измерена индуцированная магнитным полем циркулярная поляризация пика фотолюминесценции, связанного с A(+)-центрами квантовых ям. Показано, что степень поляризации в магнитном поле 4 Тл достигает 13%, тогда как его расщепление практически отсутствует. Развита теория, описывающая поведение тонкой спиновой структуры A(+)-центра в магнитном поле. Экспериментальные результаты хорошо согласуются с теоретическим расчетом. PACS: 73.20.Hb, 73.21.Cd, 78.67.Pt
Петров П.В., Иванов Ю.Л., Романов К.С., Тонких А.А., Аверкиев Н.С. Циркулярно поляризованная фотолюминесценция, связанная сA(+)-центрами вквантовых ямах GaAs/AlGaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1099

Сделан анализ связи осцилляций Келдыша--Франца с электронными параметрами полупроводниковых материалов при сильнополевом режиме измерений. Возможности использования модуляционной спектроскопии электроотражения для исследования электронных свойств поверхности полупроводников продемонстрированы на примере спектров электроотражения гомоэпитаксиальных пленок n-GaAs(100) с концентрацией 1017-1018 см-3. Спектры измерены методом барьера Шоттки при комнатной температуре, в неполяризованном свете, в спектральном диапазоне 1.3-1.65 эВ в области перехода E0 (Gamma8V-Gamma6C). Из количественного анализа спектров электроотражения получены электронные параметры пленок: энергия электронного переходаE0, электрооптическая энергияhtheta, поверхностное электрическое полеFs, энергетическое время релаксации носителей зарядаtau, протяженность осцилляции волновой функции квантово-механической частицыlambdaKF с приведенной эффективной массойmu при данном поверхностном электрическом полеFs, величина электронной подвижностиmue. PACS: 78.20.Bh, 78.20.Jq, 78.40.Fy, 78.68.+m
Генцарь П.А., Власенко А.И. Исследование электронных свойств поверхности полупроводников методом модуляционной спектроскопии электроотражения // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1094

Проведена комплексная рентгенодифрактометрическая и спектрально-оптическая характеризация эпитаксиальных слоев GaN и AlxGa1-xN (x=0.25), выращенных методом металлорганической газофазной эпитаксии на подложках монокристаллического сапфира(0001). Определены значения компонентов деформаций и плотности дислокаций, изучено их влияние на интенсивность и спектры фотолюминесценции. Результаты исследования позволили лучше понять природу и объяснить механизмы дефектообразования в эпитаксиальных гетероструктурах AlGaN/GaN. PACS: 61.10.Nz, 68.35.Ct, 68.55.Jk, 78.55.Cr
Кладько В.П., Чорненький С.В., Наумов А.В., Комаров А.В., Tacano M., Свешников Ю.Н., Витусевич С.А., Беляев А.Е. Cтруктурные дефекты нагетерограницах ифотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaN и AlGaN/GaN, выращенных на сапфире // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1087

При температуре 77 K в макроскопических Si-МОП структурах со встроенным p-каналом обнаружены мезоскопические флуктуации недиагональной компоненты тензора сопротивления Rxy в условиях обеднения канала свободными дырками. Установлено, что флуктуации delta Rxy обусловлены переходом от трехмерной к квазидвумерной перколяционной проводимости свободных дырок во флуктуационном потенциале ионизованных примесей легированного поверхностного p-слоя, обедняемого под действием эффекта поля. Изанализа delta Rxy получены оценки радиуса корреляции перколяционного кластера Lc, определяющего масштаб электрической неоднородности структуры, в зависимости от потенциала затвораVg. Показано, что зависимость Lc от Vg хорошо описывается в рамках представлений о нелинейном экранировании флуктуационного потенциала дырками и о перколяционном характере их транспорта при изменении Lc от значений ~ 10 нм до~ 1 мкм. PACS: 73.40.Qv, 73.23.-b
Аронзон Б.А., Веденеев А.С., Панферов А.А., Рыльков В.В. Мезоскопические флуктуации проводимости при обеднении встроенного канала полевого транзистора // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1082

Исследованы в широком температурном интервале вольт-амперные характеристики структур Al/SiO2/c-Si с кремниевыми нанокристаллами (nc-Si) в оксидном слое. Выполненный на основе полученных экспериментальных данных анализ показал, что наиболее вероятным механизмом переноса носителей заряда в таких структурах является термоактивированное туннелирование через электронные состояния в nc-Si. PACS: 73.60.Bd; 72.80.Jc; 73.40.Gk.
Рябчиков Ю.В., Форш П.А., Лебедев Э.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К., Kamenev B.V., Tsybeskov L. Перенос носителей заряда вструктуре скремниевыми нанокристаллами, внедренными воксидную матрицу // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1079

Исследованы вольт-амперные характеристики контактов при температурах300 и77 K. Контакты были получены химическим осаждениемAu на поверхность(111) поликристаллического p-CdTe после травления в бром-метаноле и после пассивации в(NH4)2Sx. Показано, что пассивация поверхности заметно приближает вольт-амперные характеристики к линейным при300 K и лишь незначительно при77 K. Измерения низкотемпературной фотопроводимости образцов показали, что пассивация поверхности в(NH4)2Sx уменьшает плотность поверхностных состояний на границе металл-полупроводник. PACS: 73.40.Ns, 81.65.Ps
Клевков Ю.В., Колосов С.А., Плотников А.Ф. Влияние пассивации поверхности p-CdTe в(NH4)2Sx навольт-амперные характеристики контактов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1074

В условиях перколяционного перехода диэлектрик--металл обсуждается поведение латеральной проводимостиG мезоскопических Si-МОП структур с инверсионным p-каналом, обладающих высокой концентрацией встроенных (ионных) зарядов (Nt=<q 3· 1012 см-2). При температурах >=q77 K на зависимостяхG от поперечного(Vg) и продольного(Vd) напряжений обнаружены: квазиплатоG(Vg) при G~ 2e2/h и минимумG(Vd) при |Vd|
Веденеев А.С., Феклисов М.А. Точечные квантовые контакты вразупорядоченных Si-МОП структурах синверсионным p-каналом: нелинейное поведение системы в продольном ипоперечном электрическом поле // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1069

Исследовались туннельные эмиссионные токи электронов из полупроводников в вакуум (игольчатые GaAs-фотодетекторы) и в металл (кремниевые МДП диоды с туннельно-тонким слоем диэлектрика) в сильных и сверхсильных электрических полях. Показано, что в полупроводниках n-типа проводимости в обоих случаях основной вклад в эмиссионный ток вносит туннельная эмиссия электронов из валентной зоны полупроводника, а не из зоны проводимости. PACS: 79.70.+q, 79.60.Jv
Калганов В.Д., Милешкина Н.В., Остроумова Е.В. Туннельная эмиссия электронов из валентной зоны полупроводников всильных электрических полях // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1062

Выращены монокристаллы тройных соединений CuGa3Te5 иCuGa5Te8 и исследованы их физические свойства. На гомогенных кристаллах созданы первые фоточувствительные структуры In/p-CuGa3Te5 и In/p-CuGa5Te8. Выполнены исследования фотоэлектрических свойств новых структур, определены параметры структур и новых полупроводников, сделан вывод о возможностях их применения в широкополосных фотопреобразователях неполяризованного излучения. PACS: 72.40.+v, 73.30.+y, 85.60.Gz
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Боднарь И.В. Поверхностно-барьерные структуры In/p-CuGa3Te5 и In/p-CuGa5Te8: создание исвойства // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1054

Методом электроотражения исследованы электронные переходыE0, E0+Delta0 в гомоэпитаксиальных пленках n-GaP (111) с концентрацией электронов 5.7·1023 м-3 до и после облучения gamma-квантами 60Co в интервале доз 105-106 рад при комнатной температуре с использованием электролитической методики. Наблюдалось расщепление низкоэнергетического экстремума после облучения. Уменьшение внутренних механических напряжений в пленке под действием gamma-облучения оценивалось по изменению энергии электронного перехода и столкновительного параметра уширения. Оценено также увеличение времени энергетической релаксации носителей заряда после облучения. PACS:61.80.Ed, 71.70.Ej, 78.20.Jq, 81.40.Wx
Генцарь П.А. Радиационно-стимулированная релаксация внутренних механических напряжений вгомоэпитаксиальных пленках фосфида галлия // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1051