Исследованы электрические свойства диодов Шоттки Au/Ti--n-GaAs в зависимости от технологии получения. Прямые и обратные вольт-амперные характеристики диодов в слабых электрических полях анализируются на основе механизма термоэлектронной эмиссии через барьер металл--полупроводник. Предполагается, что рост обратных токов в интервале 20-60 B можно объяснить эффектом Пула--Френкеля. При напряжениях выше60 B избыточные обратные токи обусловлены туннелированием, облегченным фононами, через глубокие состояния в области обеднения полупроводника. PACS: 73.30+y, 85.30.De, 85.30.Hi
Захаров Д.Н., Калыгина В.М., Нетудыхатко А.В., Панин А.В. Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические характеристики диодов Шоттки Au/Ti--n-GaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 747

Обобщаются литературные данные и сообщаются новые результаты исследования потерь, сопровождающих фотоэлектрическое преобразование энергии в тонкопленочных солнечных элементах CdS/CdTe. Обсуждаются и уточняются требования к электрическим характеристикам материала, минимизирующие электрические потери и обеспечивающие эффективное поглощение излучения в активной области диодной структуры. Показано, в какой степени неполное собирание фотогенерированных носителей заряда определяется рекомбинацией как на границе раздела CdS/CdTe (исходя из уравнения непрерывности с учетом поверхностной рекомбинации), так и в области пространственного заряда (на основе уравнения Гехта). Сравнение результатов расчетов и эксперимента показывает, что в общем оба вида рекомбинационных потерь являются существенными, но могут быть практически устранены выбором параметров как барьерной структуры, так и используемого материала. Обсуждаются предельные значения плотности тока короткого замыкания и коэффициента полезного действия солнечного элемента CdS/CdTe. PACS: 84.60.Jt
Косяченко Л.А. Проблемы эффективности фотоэлектрического преобразования втонкопленочных солнечных элементах CdS/CdTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 730

На основе простой модели резистивного тонкопленочного сенсора получено аналитическое выражение, описывающее зависимости отклика на воздействие восстановительного газа от температуры, парциального давления газа, концентрации донорной примеси в пленкеSnO2 и от времени после начала действия газа. Анализ экспериментальных данных показал, что при T563 K--- центрами сO-. Молекулы метана при T>=q 510 K взаимодействуют с центрами, занятымиO-. С помощью данных по временным зависимостям отклика в широком интервале температур определены энергии активации десорбции. При T563 K для водорода и при T>510 K для метана она равна1.3 эВ. Энергия активации адсорбции для метана равна2.5 эВ. PACS: 07.07.Df; 73.50.Dn; 68.43.Mn
Анисимов О.В., Гаман В.И., Максимова Н.К., Мазалов С.М., Черников Е.В. Электрические и газочувствительные свойства резистивного тонкопленочного сенсора наоснове диоксида олова // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 724

Проанализированы спектральные, вольт- и ватт-амперные характеристики при прямом и обратном смещении, распределение ближнего поля излучения светодиодов флип-чип на основе гетероструктур с активным слоем из InAsSb (длина волны4.2 мкм, 300 K), имеющих глубину мезы 40--50 мкм и диаметр240 мкм. Обсуждаются фактор увеличения выхода излучения, связанный с особенностями геометрии структуры, и выбор оптимального режима работы светодиода в зависимости от рабочей температуры. PACS:85.60.Jb
Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М. Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 717

Предложена методика анализа частотных зависимостей нормированной проводимости МДП структур с учетом влияния флуктуаций поверхностного потенциала и заглубления электрически активных состояний в диэлектрик. Произведен выбор параметров для оценки уширения зависимостей. Получены аналитические выражения для этих параметров. Предложен метод разделения влияния туннельного и флуктуационного механизмов уширения на форму частотной зависимости проводимости. PACS: 85.30.De, 85.30.Hi, 73.40.Qv, 72.30.+q
Авдеев Н.А., Гуртов В.А., Климов И.В., Яковлев Р.А. Анализ частотных зависимостей проводимости МДП структур сучетом флуктуационной итуннельной теоретических моделей // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 711

Исследовано влияние gamma-излучения на структурные изменения в транзисторных многослойных гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs. Спомощью рентгенодифракционных измерений и просвечивающей электронной микроскопии установлено, что при gamma-облучении с дозой выше ~3· 107 рад начинает происходить разрушение слоя GaAs, находящегося на поверхноcти таких структур. При дозе облучения 108 рад планарность поверхности значительно ухудшается и ее шероховатость достигает нескольких нанометров. Кроме того, в приповерхностном слое структуры под воздействием gamma-облучения наблюдается образование дислокаций. Причина такого поведения поверхностного слоя может быть связана с существованием слоя окисла на его свободной поверхности и с возможными, индуцируемыми gamma-облучением, химическими реакциями между атомами слоя и свободными радикалами, образующимися в окисле и в окружающей атмосфере. Заметных изменений структуры и состава тонкого слоя канала InGaAs при дозах до 108 рад не происходит. PACS:61.80.Cb, 68.35.Ct, 68.37.Lp, 68.55.Jk, 81.40.Wx
Бобыль А.В., Гуткин А.А., Брунков П.Н., Заморянская И.А., Яговкина М.А., Мусихин Ю.Г., Саксеев Д.А., Конников С.Г., Малеев Н.А., Устинов В.М., Копьев П.С., Пунин В.Т., Илькаев Р.И., Алферов Ж.И. Рентгенодифракционные иэлектронно-микроскопические исследования влияния gamma -излучения намногослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 707

Рассмотрено явление накопления зарядов, образовавшихся из-за поглощения света в структурах с квантовыми ямами в продольном электрическом поле. Показано, что процесс накопления зарядов в такой двумерной структуре существенно отличается от трехмерного случая. Рассчитаны распределения зарядов в структурах для различных значений электрических полей и полного количества накопленных зарядов. Показано также, что при значительных количествах накопленных зарядов существенную роль в распределении потенциалов и зарядов начинает играть фермиевское вырождение. Такое накопление зарядов может привести к необычной люминесценции, когда процессы генерации носителей заряда и последующей рекомбинации могут быть значительно разнесены по времени. Кроме того, такая люминесценция не будет замаскирована излучением от переходов, связанных с хвостами в запрещенной зоне, и излучением от подложки. PACS: 73.63.Hs, 78.40.-q, 78.67.De
Герус А.В., Герус Т.Г. Эффекты накопления зарядов в структурах с квантовыми ямами // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 701

-1 На основе совместного решения уравнений Шредингера и Пуассона с учетом спонтанной и пьезоэлектрической поляризации изучены особенности туннельного тока в двухбарьерных вюрцитных структурах GaN / AlGaN (0001). Показано, что внутренние поля проявляют себя в асимметрии туннельного тока через величину электронного заряда в квантовой яме. Этот заряд больше, когда внешнее и внутреннее поля в яме компенсируют друг друга, что приводит к уменьшению сдвигов потенциала активной области и резонансных уровней от напряжения, увеличению сопротивления структуры и линейной зависимости тока от напряжения в широком интервале напряжений. При совпадении внешнего и внутерннего полей в токе возникает резкая структура отрицательной дифференциальной проводимости с отношением пик / долина ~4, подобная одной из ветвей вольт-амперной характеристики двухбарьерной структуры GaAs / AlGaAs (001), что свидетельствует о перспективности использования нитридных материалов в резонансно-туннельных приборах. PACS: 73.63.Hs, 73.21.Fg
Гриняев С.Н., Разжувалов А.Н. Самосогласованный расчет туннельного тока вдвухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001) // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 695

Рассмотрены D(-)-состояния в квантовой яме при наличии продольного по отношению к направлению оси роста магнитного поля. Врамках модели потенциала нулевого радиуса получено уравнение, определяющее зависимость энергии связи D(-)-состояния от параметров потенциала структуры, координат D(-)-центра и величины магнитного поля. Проведено сравнение с экспериментальными данными по зависимости энергии связи D(-)-состояния от величины магнитного поля и показано удовлетворительное согласие с теоретическими расчетами в области магнитных полей B
Кревчик В.Д., Грунин А.Б., Евстифеев Вас.В. Магнитооптика квантовых ям сD(-)-центрами // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 689

Вычислено излучательное время жизни невырожденных электронов и дырок, однородно распределенных в полупроводниковом слое, который расположен на подложке или ограничен двумя диэлектрическими средами. Полученное выражение учитывает эффекты перепоглощения и интерференции излучения и определяет зависимости излучательного времени жизни от показателей преломления внешних сред и от толщины слоя. PACS:78.20.Bh, 78.20.Ci, 78.55.-m
Пипа В.И. Излучательное время жизни электронов идырок в тонком слое полупроводника // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 686